ReP USP - Resultado da busca

Artigo de periodico
Acetonitrile adsorption on Si(001) (2004)
Miotto, R; Oliveira, M C de; Pinto, M M; Léon Pérez, F de; Ferraz, A. C.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SUPERFÍCIE FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIOTTO, R et al. Acetonitrile adsorption on Si(001). Physical Review B, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.69.235331. Acesso em: 20 jul. 2024.
APA
Miotto, R., Oliveira, M. C. de, Pinto, M. M., Léon Pérez, F. de, & Ferraz, A. C. (2004). Acetonitrile adsorption on Si(001). Physical Review B. doi:10.1103/physrevb.69.235331
NLM
Miotto R, Oliveira MC de, Pinto MM, Léon Pérez F de, Ferraz AC. Acetonitrile adsorption on Si(001) [Internet]. Physical Review B. 2004 ;[citado 2024 jul. 20 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.69.235331
Vancouver
Miotto R, Oliveira MC de, Pinto MM, Léon Pérez F de, Ferraz AC. Acetonitrile adsorption on Si(001) [Internet]. Physical Review B. 2004 ;[citado 2024 jul. 20 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.69.235331
Artigo de periodico
C 'H IND. 3'CN on Si(001): adsorption geometries and electronic structure (2004)
Miotto, R; Oliveira, M C; Pinto, M M; Léon-Perez, F de; Ferraz, A. C.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIOTTO, R et al. C 'H IND. 3'CN on Si(001): adsorption geometries and electronic structure. Brazilian Journal of Physics, 2004Tradução . . Disponível em: http://www.scielo.br/pdf/bjp/v34n2b/a45v342b.pdf. Acesso em: 20 jul. 2024.
APA
Miotto, R., Oliveira, M. C., Pinto, M. M., Léon-Perez, F. de, & Ferraz, A. C. (2004). C 'H IND. 3'CN on Si(001): adsorption geometries and electronic structure. Brazilian Journal of Physics. Recuperado de http://www.scielo.br/pdf/bjp/v34n2b/a45v342b.pdf
NLM
Miotto R, Oliveira MC, Pinto MM, Léon-Perez F de, Ferraz AC. C 'H IND. 3'CN on Si(001): adsorption geometries and electronic structure [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 jul. 20 ] Available from: http://www.scielo.br/pdf/bjp/v34n2b/a45v342b.pdf
Vancouver
Miotto R, Oliveira MC, Pinto MM, Léon-Perez F de, Ferraz AC. C 'H IND. 3'CN on Si(001): adsorption geometries and electronic structure [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 jul. 20 ] Available from: http://www.scielo.br/pdf/bjp/v34n2b/a45v342b.pdf
Artigo de periodico
A theoretical study of acrylonitride adsorption on Si(001) (2004)
Léon-Pérez, F de; Miotto, R; Ferraz, A. C.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LÉON-PÉREZ, F de e MIOTTO, R e FERRAZ, A. C. A theoretical study of acrylonitride adsorption on Si(001). Brazilian Journal of Physics, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400052. Acesso em: 20 jul. 2024.
APA
Léon-Pérez, F. de, Miotto, R., & Ferraz, A. C. (2004). A theoretical study of acrylonitride adsorption on Si(001). Brazilian Journal of Physics. doi:10.1590/s0103-97332004000400052
NLM
Léon-Pérez F de, Miotto R, Ferraz AC. A theoretical study of acrylonitride adsorption on Si(001) [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 jul. 20 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400052
Vancouver
Léon-Pérez F de, Miotto R, Ferraz AC. A theoretical study of acrylonitride adsorption on Si(001) [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 jul. 20 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400052
Artigo de periodico
Carrier diffusion in InGaAs/GaAs quantum wells grow on vicinal GaAs(001) substrates (2004)
Monte, A F G; Soler, M A G; Silva, S W da; Rodrigues, B B D; Morais, P C; Quivy, A. A.; Leite, J. R.
Source: Physica E. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MONTE, A F G et al. Carrier diffusion in InGaAs/GaAs quantum wells grow on vicinal GaAs(001) substrates. Physica E, v. 23, n. 3-4, p. 466-470, 2004Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=6159&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=17f1fea449f699588a0075ae9a65600c. Acesso em: 20 jul. 2024.
APA
Monte, A. F. G., Soler, M. A. G., Silva, S. W. da, Rodrigues, B. B. D., Morais, P. C., Quivy, A. A., & Leite, J. R. (2004). Carrier diffusion in InGaAs/GaAs quantum wells grow on vicinal GaAs(001) substrates. Physica E, 23( 3-4), 466-470. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=6159&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=17f1fea449f699588a0075ae9a65600c
NLM
Monte AFG, Soler MAG, Silva SW da, Rodrigues BBD, Morais PC, Quivy AA, Leite JR. Carrier diffusion in InGaAs/GaAs quantum wells grow on vicinal GaAs(001) substrates [Internet]. Physica E. 2004 ; 23( 3-4): 466-470.[citado 2024 jul. 20 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=6159&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=17f1fea449f699588a0075ae9a65600c
Vancouver
Monte AFG, Soler MAG, Silva SW da, Rodrigues BBD, Morais PC, Quivy AA, Leite JR. Carrier diffusion in InGaAs/GaAs quantum wells grow on vicinal GaAs(001) substrates [Internet]. Physica E. 2004 ; 23( 3-4): 466-470.[citado 2024 jul. 20 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=6159&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=17f1fea449f699588a0075ae9a65600c
Artigo de periodico
CW photoluminescence determination of the capture cross-section of self-assembled InAs quantum dots (2003)
Cruz, J M R; Sales, F V de; Silva, S W da; Soler, M A G; Morais, P C; Silva, M J da; Quivy, A. A.; Leite, J. R.
Source: Physica E. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CRUZ, J M R et al. CW photoluminescence determination of the capture cross-section of self-assembled InAs quantum dots. Physica E, v. 17, n. 1-4, p. 107-108, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00721-x. Acesso em: 20 jul. 2024.
APA
Cruz, J. M. R., Sales, F. V. de, Silva, S. W. da, Soler, M. A. G., Morais, P. C., Silva, M. J. da, et al. (2003). CW photoluminescence determination of the capture cross-section of self-assembled InAs quantum dots. Physica E, 17( 1-4), 107-108. doi:10.1016/s1386-9477(02)00721-x
NLM
Cruz JMR, Sales FV de, Silva SW da, Soler MAG, Morais PC, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. CW photoluminescence determination of the capture cross-section of self-assembled InAs quantum dots [Internet]. Physica E. 2003 ; 17( 1-4): 107-108.[citado 2024 jul. 20 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00721-x
Vancouver
Cruz JMR, Sales FV de, Silva SW da, Soler MAG, Morais PC, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. CW photoluminescence determination of the capture cross-section of self-assembled InAs quantum dots [Internet]. Physica E. 2003 ; 17( 1-4): 107-108.[citado 2024 jul. 20 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00721-x
Artigo de periodico
Observation of the spectral dependence of the spatial photocarrier redistribution in InAs/GaAs quantum dots (2003)
Sales, F V de; Silva, S W da; Cruz, J M R; Soler, M A G; Morais, P C; Silva, M J da; Quivy, A. A.; Leite, J. R.
Source: Physica E. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SALES, F V de et al. Observation of the spectral dependence of the spatial photocarrier redistribution in InAs/GaAs quantum dots. Physica E, v. 17, n. 1-4, p. 120-121, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00739-7. Acesso em: 20 jul. 2024.
APA
Sales, F. V. de, Silva, S. W. da, Cruz, J. M. R., Soler, M. A. G., Morais, P. C., Silva, M. J. da, et al. (2003). Observation of the spectral dependence of the spatial photocarrier redistribution in InAs/GaAs quantum dots. Physica E, 17( 1-4), 120-121. doi:10.1016/s1386-9477(02)00739-7
NLM
Sales FV de, Silva SW da, Cruz JMR, Soler MAG, Morais PC, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Observation of the spectral dependence of the spatial photocarrier redistribution in InAs/GaAs quantum dots [Internet]. Physica E. 2003 ; 17( 1-4): 120-121.[citado 2024 jul. 20 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00739-7
Vancouver
Sales FV de, Silva SW da, Cruz JMR, Soler MAG, Morais PC, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Observation of the spectral dependence of the spatial photocarrier redistribution in InAs/GaAs quantum dots [Internet]. Physica E. 2003 ; 17( 1-4): 120-121.[citado 2024 jul. 20 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00739-7
Artigo de periodico
Adsorption of 'Nh IND. 3' on Ge(001) (2003)
Miotto, R; Miwa, R H; Ferraz, A. C.
Source: Phisical Review B. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIOTTO, R e MIWA, R H e FERRAZ, A. C. Adsorption of 'Nh IND. 3' on Ge(001). Phisical Review B, v. 68, n. 11, p. 115436/1-1155436/6, 2003Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000068000011115436000001&idtype=cvips. Acesso em: 20 jul. 2024.
APA
Miotto, R., Miwa, R. H., & Ferraz, A. C. (2003). Adsorption of 'Nh IND. 3' on Ge(001). Phisical Review B, 68( 11), 115436/1-1155436/6. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000068000011115436000001&idtype=cvips
NLM
Miotto R, Miwa RH, Ferraz AC. Adsorption of 'Nh IND. 3' on Ge(001) [Internet]. Phisical Review B. 2003 ; 68( 11): 115436/1-1155436/6.[citado 2024 jul. 20 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000068000011115436000001&idtype=cvips
Vancouver
Miotto R, Miwa RH, Ferraz AC. Adsorption of 'Nh IND. 3' on Ge(001) [Internet]. Phisical Review B. 2003 ; 68( 11): 115436/1-1155436/6.[citado 2024 jul. 20 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000068000011115436000001&idtype=cvips
Trabalho de evento-resumo
Energy transfer in small lens-shaped in as quantum dots observed by microluminescence image (2003)
Sales, F V de; Silva, S W da; Cruz, J M R; Monte, A F G; Soler, M A G; Morais, P C; Silva, M J da; Quivy, A. A.; Leite, J. R.
Source: Book of Abstracts. Conference titles: International Meeting on Applied Physics. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SALES, F V de et al. Energy transfer in small lens-shaped in as quantum dots observed by microluminescence image. 2003, Anais.. Badajoz: APHYS, 2003. . Acesso em: 20 jul. 2024.
APA
Sales, F. V. de, Silva, S. W. da, Cruz, J. M. R., Monte, A. F. G., Soler, M. A. G., Morais, P. C., et al. (2003). Energy transfer in small lens-shaped in as quantum dots observed by microluminescence image. In Book of Abstracts. Badajoz: APHYS.
NLM
Sales FV de, Silva SW da, Cruz JMR, Monte AFG, Soler MAG, Morais PC, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Energy transfer in small lens-shaped in as quantum dots observed by microluminescence image. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 jul. 20 ]
Vancouver
Sales FV de, Silva SW da, Cruz JMR, Monte AFG, Soler MAG, Morais PC, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Energy transfer in small lens-shaped in as quantum dots observed by microluminescence image. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 jul. 20 ]
Trabalho de evento-resumo
Acetronitrile adsorption on the silicon (001) surface (2003)
Miotto, R; Ferraz, A. C.
Source: Book of Abstract. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIOTTO, R e FERRAZ, A. C. Acetronitrile adsorption on the silicon (001) surface. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 20 jul. 2024.
APA
Miotto, R., & Ferraz, A. C. (2003). Acetronitrile adsorption on the silicon (001) surface. In Book of Abstract. Fortaleza: DF/UFC.
NLM
Miotto R, Ferraz AC. Acetronitrile adsorption on the silicon (001) surface. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2024 jul. 20 ]
Vancouver
Miotto R, Ferraz AC. Acetronitrile adsorption on the silicon (001) surface. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2024 jul. 20 ]
Artigo de periodico
Ab initio study of the GaAs(001)-In(4 X 2) surface (2003)
Miwa, Roberto Hiroki; Miotto, R.; Ferraz, A. C.; Srivastava, G P
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIWA, Roberto Hiroki et al. Ab initio study of the GaAs(001)-In(4 X 2) surface. Physical Review B, v. 67, n. 4, p. 045325/1-045325/5, 2003Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000067000004045325000001&idtype=cvips. Acesso em: 20 jul. 2024.
APA
Miwa, R. H., Miotto, R., Ferraz, A. C., & Srivastava, G. P. (2003). Ab initio study of the GaAs(001)-In(4 X 2) surface. Physical Review B, 67( 4), 045325/1-045325/5. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000067000004045325000001&idtype=cvips
NLM
Miwa RH, Miotto R, Ferraz AC, Srivastava GP. Ab initio study of the GaAs(001)-In(4 X 2) surface [Internet]. Physical Review B. 2003 ; 67( 4): 045325/1-045325/5.[citado 2024 jul. 20 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000067000004045325000001&idtype=cvips
Vancouver
Miwa RH, Miotto R, Ferraz AC, Srivastava GP. Ab initio study of the GaAs(001)-In(4 X 2) surface [Internet]. Physical Review B. 2003 ; 67( 4): 045325/1-045325/5.[citado 2024 jul. 20 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000067000004045325000001&idtype=cvips
Artigo de periodico
Carrier kinetics in quantum dots through continuos wave photoluminescence modeling: a systematic study on a sample with surface dot density gradient (2003)
Sales, F V de; Cruz, J M R; Silva, S W da; Soler, M A G; Morais, P C de; Silva, M J da; Quivy, A. A.; Leite, J. R.
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SALES, F V de et al. Carrier kinetics in quantum dots through continuos wave photoluminescence modeling: a systematic study on a sample with surface dot density gradient. Journal of Applied Physics, v. 94, n. 3, p. 1787-1794, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1586953. Acesso em: 20 jul. 2024.
APA
Sales, F. V. de, Cruz, J. M. R., Silva, S. W. da, Soler, M. A. G., Morais, P. C. de, Silva, M. J. da, et al. (2003). Carrier kinetics in quantum dots through continuos wave photoluminescence modeling: a systematic study on a sample with surface dot density gradient. Journal of Applied Physics, 94( 3), 1787-1794. doi:10.1063/1.1586953
NLM
Sales FV de, Cruz JMR, Silva SW da, Soler MAG, Morais PC de, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Carrier kinetics in quantum dots through continuos wave photoluminescence modeling: a systematic study on a sample with surface dot density gradient [Internet]. Journal of Applied Physics. 2003 ; 94( 3): 1787-1794.[citado 2024 jul. 20 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1586953
Vancouver
Sales FV de, Cruz JMR, Silva SW da, Soler MAG, Morais PC de, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Carrier kinetics in quantum dots through continuos wave photoluminescence modeling: a systematic study on a sample with surface dot density gradient [Internet]. Journal of Applied Physics. 2003 ; 94( 3): 1787-1794.[citado 2024 jul. 20 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1586953
Artigo de periodico
Photoexcited carrier diffusion in self-assembled InAs/GaAs quantum dots with different dot densities (2003)
Monte, A F G; Sales, F V de; Silva, S W da; Soler, M A G; Cruz, J M R; Morais, P C; Silva, M J da; Quivy, A. A.; Leite, J. R.
Source: Physica E. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MONTE, A F G et al. Photoexcited carrier diffusion in self-assembled InAs/GaAs quantum dots with different dot densities. Physica E, v. 17, n. 1-4, p. 122-123, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00741-5. Acesso em: 20 jul. 2024.
APA
Monte, A. F. G., Sales, F. V. de, Silva, S. W. da, Soler, M. A. G., Cruz, J. M. R., Morais, P. C., et al. (2003). Photoexcited carrier diffusion in self-assembled InAs/GaAs quantum dots with different dot densities. Physica E, 17( 1-4), 122-123. doi:10.1016/s1386-9477(02)00741-5
NLM
Monte AFG, Sales FV de, Silva SW da, Soler MAG, Cruz JMR, Morais PC, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Photoexcited carrier diffusion in self-assembled InAs/GaAs quantum dots with different dot densities [Internet]. Physica E. 2003 ; 17( 1-4): 122-123.[citado 2024 jul. 20 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00741-5
Vancouver
Monte AFG, Sales FV de, Silva SW da, Soler MAG, Cruz JMR, Morais PC, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Photoexcited carrier diffusion in self-assembled InAs/GaAs quantum dots with different dot densities [Internet]. Physica E. 2003 ; 17( 1-4): 122-123.[citado 2024 jul. 20 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00741-5

USP Schools

ReP

Filtros

Authors

Subjects

Source title