TiOxNy anti-resonant layer ARROW waveguides (2010)
- Authors:
- Autor USP: CHÁVEZ, MARCO ISAÍAS ALAYO - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1002/pssc.200982878
- Assunto: PROCESSOS DE MICROELETRÔNICA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Physica Status Solidi (c)
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 7, n. 3-4, p. 960-963, 2010
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
CARVALHO, Daniel Orquiza de; ALBERTIN, Katia Franklin; ALAYO CHÁVEZ, Marco Isaías. TiOxNy anti-resonant layer ARROW waveguides. Physica Status Solidi (c), Warsaw, Wiley-VCH, v. 7, n. 3-4, p. 960-963, 2010. DOI: 10.1002/pssc.200982878. -
APA
Carvalho, D. O. de, Albertin, K. F., & Alayo Chávez, M. I. (2010). TiOxNy anti-resonant layer ARROW waveguides. Physica Status Solidi (c), 7( 3-4), 960-963. doi:10.1002/pssc.200982878 -
NLM
Carvalho DO de, Albertin KF, Alayo Chávez MI. TiOxNy anti-resonant layer ARROW waveguides. Physica Status Solidi (c). 2010 ; 7( 3-4): 960-963. -
Vancouver
Carvalho DO de, Albertin KF, Alayo Chávez MI. TiOxNy anti-resonant layer ARROW waveguides. Physica Status Solidi (c). 2010 ; 7( 3-4): 960-963. - Deposição e caracterização de filmes de 'SI''O IND.2' crescidos pela técnica de pecvd a baixa temperatura
- Fabrication of Yb3+/Er3+ codoped Bi2O3–WO3–TeO2 pedestal type waveguide for optical amplifiers
- Hollow core ARROW waveguides fabricated with SiOxNy films deposited at low temperatures
- Photonic band gaps of wurtzite GaN and AlN photonic crystals at short wavelengths
- Production and characterization of Tm3+/Yb3+ codoped pedestal-type PbO–GeO2 waveguides1
- Fabrication and characterization of pedestal optical waveguides using TeO2–WO3–Bi2O3 thin film as core layer
- Study of the pedestal process for reducing sidewall scattering in photonic waveguides
- Desenvolvimento de dipositivos ópticos integrados
- Fabrication and characterization of pedestal optical waveguides using TeO 2 – WO 3 – Bi 2 O 3 thin fi lm as core layer
- Estudo e otimização das propriedades estruturais, ópticas e elétricas de películas de Si´O IND.x´´N IND.y´ depositadas por PECVD para aplicações em dispositivos MOS, microestruturas e guias de onda
Informações sobre o DOI: 10.1002/pssc.200982878 (Fonte: oaDOI API)
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