Characterization of the electrical properties of an optical device manufactured with CMOS 0.35 µm technology (2023)
- Authors:
- Autor USP: CHÁVEZ, MARCO ISAÍAS ALAYO - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.11591/ijeecs.v32.i3.pp1346-1352
- Subjects: DISPOSITIVOS ÓPTICOS; ÓPTICA; SEMICONDUTORES
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher place: Yogyakarta
- Date published: 2023
- Source:
- Título: Indonesian Journal of Electrical Engineering and Computer Science
- ISSN: 2502-4752
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 32, n.3, p.1346-1352, Dec. 2023
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo é de acesso aberto
- URL de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: gold
- Licença: cc-by-nc
-
ABNT
YAURI, Ricardo e GAMERO SOBERO, Vanessa Julia e ALAYO CHÁVEZ, Marco Isaías. Characterization of the electrical properties of an optical device manufactured with CMOS 0.35 µm technology. Indonesian Journal of Electrical Engineering and Computer Science, v. 32, n. 3, p. 1346-1352, 2023Tradução . . Disponível em: http://doi.org/10.11591/ijeecs.v32.i3.pp1346-1352. Acesso em: 29 dez. 2025. -
APA
Yauri, R., Gamero Sobero, V. J., & Alayo Chávez, M. I. (2023). Characterization of the electrical properties of an optical device manufactured with CMOS 0.35 µm technology. Indonesian Journal of Electrical Engineering and Computer Science, 32( 3), 1346-1352. doi:10.11591/ijeecs.v32.i3.pp1346-1352 -
NLM
Yauri R, Gamero Sobero VJ, Alayo Chávez MI. Characterization of the electrical properties of an optical device manufactured with CMOS 0.35 µm technology [Internet]. Indonesian Journal of Electrical Engineering and Computer Science. 2023 ; 32( 3): 1346-1352.[citado 2025 dez. 29 ] Available from: http://doi.org/10.11591/ijeecs.v32.i3.pp1346-1352 -
Vancouver
Yauri R, Gamero Sobero VJ, Alayo Chávez MI. Characterization of the electrical properties of an optical device manufactured with CMOS 0.35 µm technology [Internet]. Indonesian Journal of Electrical Engineering and Computer Science. 2023 ; 32( 3): 1346-1352.[citado 2025 dez. 29 ] Available from: http://doi.org/10.11591/ijeecs.v32.i3.pp1346-1352 - Deposição e caracterização de filmes de 'SI''O IND.2' crescidos pela técnica de pecvd a baixa temperatura
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Informações sobre o DOI: 10.11591/ijeecs.v32.i3.pp1346-1352 (Fonte: oaDOI API)
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