Characterization of the electrical properties of an optical device manufactured with CMOS 0.35 µm technology (2023)
- Authors:
- Autor USP: CHÁVEZ, MARCO ISAÍAS ALAYO - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.11591/ijeecs.v32.i3.pp1346-1352
- Subjects: DISPOSITIVOS ÓPTICOS; ÓPTICA; SEMICONDUTORES
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher place: Yogyakarta
- Date published: 2023
- Source:
- Título: Indonesian Journal of Electrical Engineering and Computer Science
- ISSN: 2502-4752
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 32, n.3, p.1346-1352, Dec. 2023
- Status:
- Artigo publicado em periódico de acesso aberto (Gold Open Access)
- Versão do Documento:
- Versão publicada (Published version)
- Acessar versão aberta:
-
ABNT
YAURI, Ricardo e GAMERO SOBERO, Vanessa Julia e ALAYO CHÁVEZ, Marco Isaías. Characterization of the electrical properties of an optical device manufactured with CMOS 0.35 µm technology. Indonesian Journal of Electrical Engineering and Computer Science, v. 32, n. 3, p. 1346-1352, 2023Tradução . . Disponível em: http://doi.org/10.11591/ijeecs.v32.i3.pp1346-1352. Acesso em: 08 abr. 2026. -
APA
Yauri, R., Gamero Sobero, V. J., & Alayo Chávez, M. I. (2023). Characterization of the electrical properties of an optical device manufactured with CMOS 0.35 µm technology. Indonesian Journal of Electrical Engineering and Computer Science, 32( 3), 1346-1352. doi:10.11591/ijeecs.v32.i3.pp1346-1352 -
NLM
Yauri R, Gamero Sobero VJ, Alayo Chávez MI. Characterization of the electrical properties of an optical device manufactured with CMOS 0.35 µm technology [Internet]. Indonesian Journal of Electrical Engineering and Computer Science. 2023 ; 32( 3): 1346-1352.[citado 2026 abr. 08 ] Available from: http://doi.org/10.11591/ijeecs.v32.i3.pp1346-1352 -
Vancouver
Yauri R, Gamero Sobero VJ, Alayo Chávez MI. Characterization of the electrical properties of an optical device manufactured with CMOS 0.35 µm technology [Internet]. Indonesian Journal of Electrical Engineering and Computer Science. 2023 ; 32( 3): 1346-1352.[citado 2026 abr. 08 ] Available from: http://doi.org/10.11591/ijeecs.v32.i3.pp1346-1352 - TiOxNy anti-resonant layer ARROW waveguides
- Optimized-geometry ARROW waveguides using TiO2 as anti-resonant layer
- Pedestal waveguides based on GeO2-Bi2O3, GeO2-PbO, Ta2O5 and SiOxNy cores as platforms for optical amplifiers and nonlinear optics applications: review of recent advances
- Influence of gold nanoparticles on the 805 nm gain in Tm3+/Yb3+ codoped PbO-GeO2 pedestal waveguides
- Real time water-in-oil emulsion size measurement in optofluidic channels
- Desenvolvimento de dipositivos ópticos integrados
- Deposição e caracterização de filmes de 'SI''O IND.2' crescidos pela técnica de pecvd a baixa temperatura
- Synthesis of nitrogen-doped graphene quantum dots from sucrose carbonization
- Estudo e otimização das propriedades estruturais, ópticas e elétricas de películas de SiOxNy depositadas por PECVD para aplicações em dispositivos MOS, microestruturas e guias de onda
- Fabrication of Yb3+/Er3+ codoped Bi2O3–WO3–TeO2 pedestal type waveguide for optical amplifiers
Informações sobre a disponibilidade de versões do artigo em acesso aberto coletadas automaticamente via oaDOI API (Unpaywall).
Por se tratar de integração com serviço externo, podem existir diferentes versões do trabalho (como preprints ou postprints), que podem diferir da versão publicada.
Download do texto completo
| Tipo | Nome | Link | |
|---|---|---|---|
 |
Characterization_of_the_e... | Direct link |
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
