Deposição e caracterização de filmes de 'SI''O IND.2' crescidos pela técnica de pecvd a baixa temperatura (1996)
- Authors:
- Autor USP: CHÁVEZ, MARCO ISAÍAS ALAYO - EP
- Unidade: EP
- Sigla do Departamento: PEE
- Subjects: FILMES FINOS; MICROELETRÔNICA
- Language: Português
- Abstract: Reportamos os resultados da deposição e caracterização de películas de dióxido de silício obtidas pela técnica de deposição química a vapor assistida por plasma direto (DPECVD) a baixas temperaturas (< 400 'GRAUS'c). As películas foram crescidas pela decomposição apropriada de silano e óxido nitroso, variando essencialmente cinco parâmetros de deposição e suas propriedades ópticas e estruturais foram analisadas através da espectroscopia de absorção infravermelha e elipsometria. Para analisar também as propriedades de interface e obter a resistividade e constante dielétrica do material, foram fabricados capacitores MOS usando as películas depositadas por DPECVD como camada isolante, e suas curvasI-V eC-V para alta e baixa frequência foram medidas. Os resultados demonstram a viabilidade de obter películas finas de dióxido de silício por DPECVD sem traços (dentro dos limites de detecção da análise de FTIR) de ligações 'SI'o h, 'SI'n h ou 'SI'h, desde que adequadas condições de deposição sejam utilizadas. Em particular, mostramos que a técnica de `PECVD combinada com baixos fluxos de silano, baixa pressao de deposicao e alta densidade de potencia de rf e tao efetiva como as técnicas de alta diluição com hélio ou plasma remoto CVD, em promover o crescimento de películas altamente estequiométricas, estruturalmente similares ao dióxido de silício crescido termicamente.
- Imprenta:
- Data da defesa: 26.07.1996
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ABNT
ALAYO CHÁVEZ, Marco Isaías. Deposição e caracterização de filmes de 'SI''O IND.2' crescidos pela técnica de pecvd a baixa temperatura. 1996. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1996. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-17052022-090901/. Acesso em: 19 abr. 2024. -
APA
Alayo Chávez, M. I. (1996). Deposição e caracterização de filmes de 'SI''O IND.2' crescidos pela técnica de pecvd a baixa temperatura (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-17052022-090901/ -
NLM
Alayo Chávez MI. Deposição e caracterização de filmes de 'SI''O IND.2' crescidos pela técnica de pecvd a baixa temperatura [Internet]. 1996 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-17052022-090901/ -
Vancouver
Alayo Chávez MI. Deposição e caracterização de filmes de 'SI''O IND.2' crescidos pela técnica de pecvd a baixa temperatura [Internet]. 1996 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-17052022-090901/ - Estudo e otimização das propriedades estruturais, ópticas e elétricas de películas de SiOxNy depositadas por PECVD para aplicações em dispositivos MOS, microestruturas e guias de onda
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