TiOxNy anti-resonant layer ARROW waveguides (2010)
- Autores:
- Autor USP: CHÁVEZ, MARCO ISAÍAS ALAYO - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1002/pssc.200982878
- Assunto: PROCESSOS DE MICROELETRÔNICA
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Fonte:
- Título do periódico: Physica Status Solidi (c)
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 7, n. 3-4, p. 960-963, 2010
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
CARVALHO, Daniel Orquiza de e ALBERTIN, Katia Franklin e ALAYO CHÁVEZ, Marco Isaías. TiOxNy anti-resonant layer ARROW waveguides. Physica Status Solidi (c), v. 7, n. 3-4, p. 960-963, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/pssc.200982878. Acesso em: 23 abr. 2024. -
APA
Carvalho, D. O. de, Albertin, K. F., & Alayo Chávez, M. I. (2010). TiOxNy anti-resonant layer ARROW waveguides. Physica Status Solidi (c), 7( 3-4), 960-963. doi:10.1002/pssc.200982878 -
NLM
Carvalho DO de, Albertin KF, Alayo Chávez MI. TiOxNy anti-resonant layer ARROW waveguides [Internet]. Physica Status Solidi (c). 2010 ; 7( 3-4): 960-963.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1002/pssc.200982878 -
Vancouver
Carvalho DO de, Albertin KF, Alayo Chávez MI. TiOxNy anti-resonant layer ARROW waveguides [Internet]. Physica Status Solidi (c). 2010 ; 7( 3-4): 960-963.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1002/pssc.200982878 - Deposição e caracterização de filmes de 'SI''O IND.2' crescidos pela técnica de pecvd a baixa temperatura
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Informações sobre o DOI: 10.1002/pssc.200982878 (Fonte: oaDOI API)
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