Análise do funcionamento dos dispositivos GC SOI MOSFET em baixas temperaturas (2003)
- Authors:
- Autor USP: AGOPIAN, PAULA GHEDINI DER - EP
- Unidade: EP
- Sigla do Departamento: PSI
- Subjects: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS; TRANSISTORES (CARACTERÍSTICAS)
- Language: Português
- Abstract: Este trabalho apresenta uma análise do funcionamento do transistor SOI nMOSFET de canal gradual (GC) em baixas temperaturas. A análise realizada é comparativa e tem por referência o transistor SOI nMOSFET convencional e o próprio transistor GC SOI quando operando em temperatura ambiente. A caracterização elétrica do dispositivo foi realizada através de medidas experimentais e de simulações numéricas bidimensionais realizadas na faixa de temperatura de 100K a 300K. As características de saída do transistor GC SOI foram avaliadas e apresentaram melhoras significativas da tensão de ruptura em todas as temperaturas estudadas. A melhora da tensão de ruptura apresentada foi comprovada com os resultados dos estudos de simulação da taxa de ionização por impacto e da distribuição do campo elétrico na região de canal. Apesar da maior ocorrência da ionização por impacto com o decréscimo da temperatura, os dispositivos GC SOI apresentaram a redução da taxa de ionização por impacto com o aumento da relação LLD/L até valores desta relação que apresentem o efeito da redução do comprimento efetivo do canal superando o efeito do campo elétrico da região fracamente dopada próxima ao dreno. A partir de resultados experimentais notou-se ainda uma grande melhora da transcondutância e da relação gm/IDS com a redução da temperatura. Além disso, a não degradação dos parâmetros como a tensão de limiar e a inclinação de sublimiar com a redução da temperatura, do transistor GC SOI em relação ao SOI convencional, mostram que a região fortemente dopada do canal controla o dispositivo, mantendo assim as características do dispositivo.
- Imprenta:
- Data da defesa: 15.08.2003
-
ABNT
AGOPIAN, Paula Ghedini Der. Análise do funcionamento dos dispositivos GC SOI MOSFET em baixas temperaturas. 2003. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2003. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21102024-152634/pt-br.php. Acesso em: 19 fev. 2026. -
APA
Agopian, P. G. D. (2003). Análise do funcionamento dos dispositivos GC SOI MOSFET em baixas temperaturas (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21102024-152634/pt-br.php -
NLM
Agopian PGD. Análise do funcionamento dos dispositivos GC SOI MOSFET em baixas temperaturas [Internet]. 2003 ;[citado 2026 fev. 19 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21102024-152634/pt-br.php -
Vancouver
Agopian PGD. Análise do funcionamento dos dispositivos GC SOI MOSFET em baixas temperaturas [Internet]. 2003 ;[citado 2026 fev. 19 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21102024-152634/pt-br.php - Estudo do efeito de elevação atípica da transcondutância na região linear de polarização em dispositivos SOI nMOSFETs ultra-submicrométricos
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