Caracterização de interfaces em heteroestruturas InP/InGaAs (2002)
- Authors:
- Autor USP: HENRIQUES, ANDRE BOHOMOLETZ - IF
- Unidade: IF
- Subjects: SEMICONDUTORES; SUPERFÍCIE FÍSICA
- Language: Português
- Imprenta:
- Source:
- Título: Resumos
- Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada
-
ABNT
HANAMOTO, Luciana Kazumi et al. Caracterização de interfaces em heteroestruturas InP/InGaAs. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 11 out. 2024. -
APA
Hanamoto, L. K., Henriques, A. B., Souza, P. L., Tribuzy, C. V. -B., & Yavich, B. (2002). Caracterização de interfaces em heteroestruturas InP/InGaAs. In Resumos. São Paulo: SBF. -
NLM
Hanamoto LK, Henriques AB, Souza PL, Tribuzy CV-B, Yavich B. Caracterização de interfaces em heteroestruturas InP/InGaAs. Resumos. 2002 ;[citado 2024 out. 11 ] -
Vancouver
Hanamoto LK, Henriques AB, Souza PL, Tribuzy CV-B, Yavich B. Caracterização de interfaces em heteroestruturas InP/InGaAs. Resumos. 2002 ;[citado 2024 out. 11 ] - Theoretical investigation of the photoluminescence and fermi surface of periodically delta-dopped 'GA''AS'
- Magneto-optical studies of screened excitons in 'GA''AS' / 'AL IND.X' 'GA IND.1-X''AS' modulation doped quantum wells
- Analise espectral de processos magneto-oscilatorios
- Quantum and transport mobilities in 'DELTA'-doped semiconductors
- Magnetic quantum effects in degenerate superlattices
- High magnetic field transport and photoluminescence in doped InGaAs/InP superlattices
- Optical investigation of magnetic phases in epitaxial 'EU''SE'
- Pseudomorphic InxGal -xAs/InO.52Al0.48As modulation doped heterostructures grown by LP-MOVPE
- Carbon delta-doped AlGaAs grown by metalorganic vapor phase epitaxy
- InP/InGaAs doped quantum barrier systems
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas