Pseudomorphic InxGal -xAs/InO.52Al0.48As modulation doped heterostructures grown by LP-MOVPE (1998)
- Authors:
- Autor USP: HENRIQUES, ANDRE BOHOMOLETZ - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1049/el:19981251
- Assunto: ENGENHARIA MECÂNICA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Electronics Letters
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 34, n. 22, p. 2173-2174, 1998
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
PEREIRA, R G et al. Pseudomorphic InxGal -xAs/InO.52Al0.48As modulation doped heterostructures grown by LP-MOVPE. Electronics Letters, v. 34, n. 22, p. 2173-2174, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1049/el:19981251. Acesso em: 05 jan. 2026. -
APA
Pereira, R. G., Yavich, B., Gonçalves, L. C. D., Souza, P. L., & Henriques, A. B. (1998). Pseudomorphic InxGal -xAs/InO.52Al0.48As modulation doped heterostructures grown by LP-MOVPE. Electronics Letters, 34( 22), 2173-2174. doi:10.1049/el:19981251 -
NLM
Pereira RG, Yavich B, Gonçalves LCD, Souza PL, Henriques AB. Pseudomorphic InxGal -xAs/InO.52Al0.48As modulation doped heterostructures grown by LP-MOVPE [Internet]. Electronics Letters. 1998 ; 34( 22): 2173-2174.[citado 2026 jan. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1049/el:19981251 -
Vancouver
Pereira RG, Yavich B, Gonçalves LCD, Souza PL, Henriques AB. Pseudomorphic InxGal -xAs/InO.52Al0.48As modulation doped heterostructures grown by LP-MOVPE [Internet]. Electronics Letters. 1998 ; 34( 22): 2173-2174.[citado 2026 jan. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1049/el:19981251 - Density and graviton pertubations in the cosmic microwave background
- Diamagnetic effects in structures containing a single, a few or an infinite number of coupled delta layers
- Characterization of delta-doped superlattices by shubnikov-de haas measurements
- Band-edge polarized optical absorption in europium chalcogenides
- Obervation of densely populated Tamm states in modulation-doped superlattices
- Magneto-photoluminescence of Tamm states in 'InP/In.IND.0.53' 'Ga IND.0.47' As superlattices
- Strong luminescence from Tamm states in modulation-doped superlattices
- Magneto-optical studies of 'Pb IND.1-X' 'Eu IND.X' Te
- Níveis de Landau e fotoluminescência de super-redes 'In IND.0,53' 'Ga IND.0,47'As/InP tipo-n
- Influence of the interface layers on the transport properties of InP/InGaAs quantum barrier structures grow low pressure metalorganic vapor phase epitaxy
Informações sobre o DOI: 10.1049/el:19981251 (Fonte: oaDOI API)
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
