Epitaxial pulsep laser crystallization of amorphous germanium on GaAs (2001)
- Authors:
- Autor USP: ZANATTA, ANTONIO RICARDO - IFSC
- Unidade: IFSC
- DOI: 10.1063/1.1390312
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher place: College Park
- Date published: 2001
- Source:
- Título: Journal of Applied Physics
- ISSN: 0021-8979
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.90, n.5, p.2575-2581, 2001
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
SANTOS, P V et al. Epitaxial pulsep laser crystallization of amorphous germanium on GaAs. Journal of Applied Physics, v. 90, n. 5, p. 2575-2581, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1390312. Acesso em: 13 nov. 2024. -
APA
Santos, P. V., Trampert, A., Dondeo, F., Comedi, D., Zhu, H. J., Ploog, K. H., et al. (2001). Epitaxial pulsep laser crystallization of amorphous germanium on GaAs. Journal of Applied Physics, 90( 5), 2575-2581. doi:10.1063/1.1390312 -
NLM
Santos PV, Trampert A, Dondeo F, Comedi D, Zhu HJ, Ploog KH, Zanatta AR, Chambouleyron I. Epitaxial pulsep laser crystallization of amorphous germanium on GaAs [Internet]. Journal of Applied Physics. 2001 ;90( 5): 2575-2581.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1390312 -
Vancouver
Santos PV, Trampert A, Dondeo F, Comedi D, Zhu HJ, Ploog KH, Zanatta AR, Chambouleyron I. Epitaxial pulsep laser crystallization of amorphous germanium on GaAs [Internet]. Journal of Applied Physics. 2001 ;90( 5): 2575-2581.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1390312 - Structural investigation of cobalt oxide films grown by reactive DC magnetron sputtering
- Pesquisadores criam sensor de temperatura ultrassensível. [Depoimento a José Tadeu Arantes]
- Thermally synthesized ruby microstructures and luminescence centers
- Influence of film thickness on the crystallization of Ni-doped amorphous silicon samples
- Photoelectron spectroscopic investigation of Mn-containing amorphous silicon and germanium films
- Pulsed laser crystallization of Er-doped amorphous GeN films
- Determinação numérica da espessura e das constantes ópticas de filmes de silício amorfo dopados com níquel através de espectroscopia de transmissão
- Optical and structural properties in serpentines structures a-C
- Microcrystalline silicon with high electron field-effect mobility deposited at '230 GRAUS'
- Pulsed laser crystallization of SiGe alloys on GaAs
Informações sobre o DOI: 10.1063/1.1390312 (Fonte: oaDOI API)
Download do texto completo
| Tipo | Nome | Link | |
|---|---|---|---|
 |
PROD007416_1199195.pdf |
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
