Nonlinear optical properties and fatigue effect in porous silicon (1993)
- Authors:
- USP affiliated authors: ZILIO, SÉRGIO CARLOS - IFQSC ; BASMAJI, PIERRE - IFQSC
- Unidade: IFQSC
- DOI: 10.1557/PROC-298-217
- Subjects: MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS); MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: Materials Research Society - MRS
- Publisher place: Pittsburgh
- Date published: 1993
- Source:
- Título: Materials Research Society Symposium Proceedings
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 298
- Conference titles: MRS Spring Meeting
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
-
ABNT
GRIVICKAS, V. et al. Nonlinear optical properties and fatigue effect in porous silicon. 1993, Anais.. Pittsburgh: Materials Research Society - MRS, 1993. Disponível em: https://doi.org/10.1557/PROC-298-217. Acesso em: 20 jan. 2026. -
APA
Grivickas, V., Kolenda, J., Misoguti, L., Basmaji, P., & Zílio, S. C. (1993). Nonlinear optical properties and fatigue effect in porous silicon. In Materials Research Society Symposium Proceedings (Vol. 298). Pittsburgh: Materials Research Society - MRS. doi:10.1557/PROC-298-217 -
NLM
Grivickas V, Kolenda J, Misoguti L, Basmaji P, Zílio SC. Nonlinear optical properties and fatigue effect in porous silicon [Internet]. Materials Research Society Symposium Proceedings. 1993 ; 298[citado 2026 jan. 20 ] Available from: https://doi.org/10.1557/PROC-298-217 -
Vancouver
Grivickas V, Kolenda J, Misoguti L, Basmaji P, Zílio SC. Nonlinear optical properties and fatigue effect in porous silicon [Internet]. Materials Research Society Symposium Proceedings. 1993 ; 298[citado 2026 jan. 20 ] Available from: https://doi.org/10.1557/PROC-298-217 - Ion incorporation and exchange effects in porous silicon
- Optical absorption in porous silicon of high porosity
- Formacao natural de pontos quanticos
- Propriedades óticas, estruturais e elétricas de camadas múltiplas de pontos quânticos naturais de InAs crescidos sobre substrato de GaAs
- Nano estruturas luminescentes de silicio poroso fabricado pelo processo eletroquimico
- Estudo da influencia da temperatura de crescimento por mbe na cristalinidade das camadas de 'GA''AS'
- Propriedades eletricas de pocos quanticos 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixes moleculares
- Movpe growth of 'AL IND.1-X''AS' above 850'GRAUS'c
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- Analise da estrutura de sub-bandas em camadas de 'GA''AS' com dopagem planar
Informações sobre o DOI: 10.1557/PROC-298-217 (Fonte: oaDOI API)
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