Ion exchange effects in porous silicon (1993)
- Authors:
- Autor USP: BASMAJI, PIERRE - IFQSC
- Unidade: IFQSC
- DOI: 10.1557/PROC-298-331
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: Materials Research Society - MRS
- Publisher place: Pittsburgh
- Date published: 1993
- Source:
- Título: Materials Research Society Symposium Proceedings
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 298
- Conference titles: MRS Spring Meeting
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
-
ABNT
MATVIENKO, B. et al. Ion exchange effects in porous silicon. 1993, Anais.. Pittsburgh: Materials Research Society - MRS, 1993. Disponível em: https://doi.org/10.1557/PROC-298-331. Acesso em: 20 jan. 2026. -
APA
Matvienko, B., Basmaji, P., Grivickas, V., & Bernussi, A. A. (1993). Ion exchange effects in porous silicon. In Materials Research Society Symposium Proceedings (Vol. 298). Pittsburgh: Materials Research Society - MRS. doi:10.1557/PROC-298-331 -
NLM
Matvienko B, Basmaji P, Grivickas V, Bernussi AA. Ion exchange effects in porous silicon [Internet]. Materials Research Society Symposium Proceedings. 1993 ; 298[citado 2026 jan. 20 ] Available from: https://doi.org/10.1557/PROC-298-331 -
Vancouver
Matvienko B, Basmaji P, Grivickas V, Bernussi AA. Ion exchange effects in porous silicon [Internet]. Materials Research Society Symposium Proceedings. 1993 ; 298[citado 2026 jan. 20 ] Available from: https://doi.org/10.1557/PROC-298-331 - Ion incorporation and exchange effects in porous silicon
- Optical absorption in porous silicon of high porosity
- Formacao natural de pontos quanticos
- Propriedades óticas, estruturais e elétricas de camadas múltiplas de pontos quânticos naturais de InAs crescidos sobre substrato de GaAs
- Nano estruturas luminescentes de silicio poroso fabricado pelo processo eletroquimico
- Estudo da influencia da temperatura de crescimento por mbe na cristalinidade das camadas de 'GA''AS'
- Propriedades eletricas de pocos quanticos 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixes moleculares
- Movpe growth of 'AL IND.1-X''AS' above 850'GRAUS'c
- Movpe growth and characterization of 'GA''AS' and 'GA''AL''AS' on 'SI'
- Analise da estrutura de sub-bandas em camadas de 'GA''AS' com dopagem planar
Informações sobre o DOI: 10.1557/PROC-298-331 (Fonte: oaDOI API)
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas