Construção e obtenção das principais características elétricas de capacitoresMOS com porta de policeto de titânio (1988)
- Authors:
- Autor USP: SWART, JACOBUS WILLIBRORDUS - EP
- Unidade: EP
- Assunto: CAPACITORES
- Language: Português
- Imprenta:
- Source:
- Título: Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.1 , p.199-220, 1988
-
ABNT
SWART, Jacobus Willibrordus e PIRES, R G. Construção e obtenção das principais características elétricas de capacitoresMOS com porta de policeto de titânio. Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade, v. 1 , p. 199-220, 1988Tradução . . Acesso em: 26 jan. 2026. -
APA
Swart, J. W., & Pires, R. G. (1988). Construção e obtenção das principais características elétricas de capacitoresMOS com porta de policeto de titânio. Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade, 1 , 199-220. -
NLM
Swart JW, Pires RG. Construção e obtenção das principais características elétricas de capacitoresMOS com porta de policeto de titânio. Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade. 1988 ;1 199-220.[citado 2026 jan. 26 ] -
Vancouver
Swart JW, Pires RG. Construção e obtenção das principais características elétricas de capacitoresMOS com porta de policeto de titânio. Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade. 1988 ;1 199-220.[citado 2026 jan. 26 ] - Thin w film deposition and analysis of w / 'GA''AS' schottky diodes
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