Expressões básicas para o desenvolvimento de um sistema computadorizado de simulação e análise automática de curvas c-v af, c-v bf e c-t (1987)
- Authors:
- Autor USP: SWART, JACOBUS WILLIBRORDUS - EP
- Unidade: EP
- Subjects: MICROELETRÔNICA; SIMULAÇÃO
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Sbmicro/Epusp
- Publisher place: São Paulo
- Date published: 1987
- Source:
- Título: Anais
- Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica
-
ABNT
PIRES, R G e STANQUEVISCH, F e SWART, Jacobus Willibrordus. Expressões básicas para o desenvolvimento de um sistema computadorizado de simulação e análise automática de curvas c-v af, c-v bf e c-t. 1987, Anais.. São Paulo: Sbmicro/Epusp, 1987. . Acesso em: 26 jan. 2026. -
APA
Pires, R. G., Stanquevisch, F., & Swart, J. W. (1987). Expressões básicas para o desenvolvimento de um sistema computadorizado de simulação e análise automática de curvas c-v af, c-v bf e c-t. In Anais. São Paulo: Sbmicro/Epusp. -
NLM
Pires RG, Stanquevisch F, Swart JW. Expressões básicas para o desenvolvimento de um sistema computadorizado de simulação e análise automática de curvas c-v af, c-v bf e c-t. Anais. 1987 ;[citado 2026 jan. 26 ] -
Vancouver
Pires RG, Stanquevisch F, Swart JW. Expressões básicas para o desenvolvimento de um sistema computadorizado de simulação e análise automática de curvas c-v af, c-v bf e c-t. Anais. 1987 ;[citado 2026 jan. 26 ] - Thin w film deposition and analysis of w / 'GA''AS' schottky diodes
- Decapagem de fotorresiste por plasma de 02 e sf6 e a sua aplicacao no processo de fabricacao de air bridge
- Caracterizacao e extracao de parametros spice de mesfet / s de 'GA''AS' fabricados a partir de camadas difundidas
- Etching of tungsten in a magnetically confined plasma reactor: general trends and etch rate limiting mechanisms
- BCCD: estudo teórico-experimental e desenvolvimento de um processo de fabricação
- Dopagem de 'SI' com boro por tratamento térmico rápido
- Caracterização de filmes finos empregando a técnica de difração de raio-x
- Influencia do ambiente de recozimento sobre estabilidade termica de diodos schottky w / 'GA''AS'
- Construção e obtenção das principais características elétricas de capacitoresMOS com porta de policeto de titânio
- Processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2um: resultados finais
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
