Doping of silicon with boron by rapid thermal processing (1988)
- Authors:
- Autor USP: SWART, JACOBUS WILLIBRORDUS - EP
- Unidade: EP
- Subjects: SILÍCIO; SEMICONDUTORES
- Language: Português
- Imprenta:
- Source:
- Título: Semiconductor Science and Technology
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.3 , n.4 , p.277-90, apr. 1988
-
ABNT
SOUZA, J. P. e HASENACK, Claus Martin e SWART, Jacobus Willibrordus. Doping of silicon with boron by rapid thermal processing. Semiconductor Science and Technology, v. 3 , n. 4 , p. 277-90, 1988Tradução . . Acesso em: 14 mar. 2026. -
APA
Souza, J. P., Hasenack, C. M., & Swart, J. W. (1988). Doping of silicon with boron by rapid thermal processing. Semiconductor Science and Technology, 3 ( 4 ), 277-90. -
NLM
Souza JP, Hasenack CM, Swart JW. Doping of silicon with boron by rapid thermal processing. Semiconductor Science and Technology. 1988 ;3 ( 4 ): 277-90.[citado 2026 mar. 14 ] -
Vancouver
Souza JP, Hasenack CM, Swart JW. Doping of silicon with boron by rapid thermal processing. Semiconductor Science and Technology. 1988 ;3 ( 4 ): 277-90.[citado 2026 mar. 14 ] - Design and processing of hbts
- Difusao de estanho em 'GA''AS' por processamento termico rapido
- Fabricacao de hbt de 'AL''GA''AS' / 'GA''AS'
- Projeto de transistores mesfet / 'GA''AS' com estrutura auto-alinhada obtida por implantacao ionica
- Thin w film deposition and analysis of w / 'GA''AS' schottky diodes
- Decapagem de fotorresiste por plasma de 02 e sf6 e a sua aplicacao no processo de fabricacao de air bridge
- Caracterizacao e extracao de parametros spice de mesfet / s de 'GA''AS' fabricados a partir de camadas difundidas
- Etching of tungsten in a magnetically confined plasma reactor: general trends and etch rate limiting mechanisms
- BCCD: estudo teórico-experimental e desenvolvimento de um processo de fabricação
- Dopagem de 'SI' com boro por tratamento térmico rápido
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
