Doping of silicon with boron by rapid thermal processing (1988)
- Authors:
- Autor USP: SWART, JACOBUS WILLIBRORDUS - EP
- Unidade: EP
- Subjects: SILÍCIO; SEMICONDUTORES
- Language: Português
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Semiconductor Science and Technology
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.3 , n.4 , p.277-90, apr. 1988
-
ABNT
SOUZA, J. P. e HASENACK, Claus Martin e SWART, Jacobus Willibrordus. Doping of silicon with boron by rapid thermal processing. Semiconductor Science and Technology, v. 3 , n. 4 , p. 277-90, 1988Tradução . . Acesso em: 18 mar. 2024. -
APA
Souza, J. P., Hasenack, C. M., & Swart, J. W. (1988). Doping of silicon with boron by rapid thermal processing. Semiconductor Science and Technology, 3 ( 4 ), 277-90. -
NLM
Souza JP, Hasenack CM, Swart JW. Doping of silicon with boron by rapid thermal processing. Semiconductor Science and Technology. 1988 ;3 ( 4 ): 277-90.[citado 2024 mar. 18 ] -
Vancouver
Souza JP, Hasenack CM, Swart JW. Doping of silicon with boron by rapid thermal processing. Semiconductor Science and Technology. 1988 ;3 ( 4 ): 277-90.[citado 2024 mar. 18 ] - Analise da influencia de impurezas em filmes de 'CO' na formacao do siliceto
- Interconexoes e contatos em circuitos integrados
- Presilha eletrostatica para camadas em sistemas de deposicao cvd
- Dopagem de 'SI' com boro por tratamento térmico rápido
- Processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2um: resultados finais
- Dopagem de 'SI' com fósforo por tratamento térmico rápido
- Projeto de transistores mesfet / 'GA''AS' com estrutura auto-alinhada obtida por implantacao ionica
- Desenvolvimento de um sistema rp / rtcvd
- Redução de oxido durante a formação de siliceto de titanio
- Caracterização de filmes finos empregando a técnica de difração de raio-x
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas