Doping of silicon with boron by rapid thermal processing (1988)
- Autores:
- Autor USP: SWART, JACOBUS WILLIBRORDUS - EP
- Unidade: EP
- Assuntos: SILÍCIO; SEMICONDUTORES
- Idioma: Português
- Imprenta:
- Fonte:
- Título do periódico: Semiconductor Science and Technology
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.3 , n.4 , p.277-90, apr. 1988
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ABNT
SOUZA, J. P. e HASENACK, Claus Martin e SWART, Jacobus Willibrordus. Doping of silicon with boron by rapid thermal processing. Semiconductor Science and Technology, v. 3 , n. 4 , p. 277-90, 1988Tradução . . Acesso em: 16 abr. 2024. -
APA
Souza, J. P., Hasenack, C. M., & Swart, J. W. (1988). Doping of silicon with boron by rapid thermal processing. Semiconductor Science and Technology, 3 ( 4 ), 277-90. -
NLM
Souza JP, Hasenack CM, Swart JW. Doping of silicon with boron by rapid thermal processing. Semiconductor Science and Technology. 1988 ;3 ( 4 ): 277-90.[citado 2024 abr. 16 ] -
Vancouver
Souza JP, Hasenack CM, Swart JW. Doping of silicon with boron by rapid thermal processing. Semiconductor Science and Technology. 1988 ;3 ( 4 ): 277-90.[citado 2024 abr. 16 ] - Analise da influencia de impurezas em filmes de 'CO' na formacao do siliceto
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