Propriedades eletronicas do complexo ferro-boro em silicio (1987)
- Authors:
- USP affiliated authors: LEITE, JOSE ROBERTO - IF ; ASSALI, LUCY VITORIA CREDIDIO - IF
- Unidade: IF
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Sociedade Brasileira de Fisica
- Publisher place: Sao Paulo
- Date published: 1987
- Source:
- Título do periódico: Programa e Resumos
- Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada
-
ABNT
ASSALI, L. V. C. e LEITE, J. R. Propriedades eletronicas do complexo ferro-boro em silicio. 1987, Anais.. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1987. . Acesso em: 12 set. 2024. -
APA
Assali, L. V. C., & Leite, J. R. (1987). Propriedades eletronicas do complexo ferro-boro em silicio. In Programa e Resumos. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica. -
NLM
Assali LVC, Leite JR. Propriedades eletronicas do complexo ferro-boro em silicio. Programa e Resumos. 1987 ;[citado 2024 set. 12 ] -
Vancouver
Assali LVC, Leite JR. Propriedades eletronicas do complexo ferro-boro em silicio. Programa e Resumos. 1987 ;[citado 2024 set. 12 ] - Chemical trends in electronic properties of gold-3d transition metal pair complex in silicon
- Chemical trends in electronic properties of gold-3d transition metal pair complex in silicon
- Microscopic model for the vibrational modes associated to the 'B IND.S''H IND.I' complex in si
- Ground state electronic properties of fe-b complex pair in silicon
- Microscopic structure of group-iii acceptor-hidrogen complexes in crystalline silicon
- Estrutura microscopica dos complexos aceitadores do grupo iii - hidrogenio em silicio
- Theoretical investigations of the bistability of iron-group iii acceptor pairs in silicon
- Bistability of iron-group iii acceptor pairs in silicon
- Hydrogen passivation of isolated impurities in silicon
- Modelo microscopico do aglomerado complexo 'MN IND.4' em silicio
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas