Electronic properties of the iron-boron impurity pair in silicon (1987)
- Authors:
- USP affiliated authors: LEITE, JOSE ROBERTO - IF ; ASSALI, LUCY VITORIA CREDIDIO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1103/physrevb.36.1296
- Assunto: ELETRÔNICA
- Language: Português
- Source:
- Título: Physical Review B
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.36, n.2 , p.1296-9, 1987
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
-
ABNT
ASSALI, Lucy Vitoria Credidio e LEITE, J. R. Electronic properties of the iron-boron impurity pair in silicon. Physical Review B, v. 36, n. 2 , p. 1296-9, 1987Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.36.1296. Acesso em: 23 jan. 2026. -
APA
Assali, L. V. C., & Leite, J. R. (1987). Electronic properties of the iron-boron impurity pair in silicon. Physical Review B, 36( 2 ), 1296-9. doi:10.1103/physrevb.36.1296 -
NLM
Assali LVC, Leite JR. Electronic properties of the iron-boron impurity pair in silicon [Internet]. Physical Review B. 1987 ;36( 2 ): 1296-9.[citado 2026 jan. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.36.1296 -
Vancouver
Assali LVC, Leite JR. Electronic properties of the iron-boron impurity pair in silicon [Internet]. Physical Review B. 1987 ;36( 2 ): 1296-9.[citado 2026 jan. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.36.1296 - Microscopic model for the vibrational modes associated to the 'B IND.S''H IND.I' complex in si
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Informações sobre o DOI: 10.1103/physrevb.36.1296 (Fonte: oaDOI API)
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