Ground state electronic properties of fe-b complex pair in silicon (1987)
- Authors:
- USP affiliated authors: LEITE, JOSE ROBERTO - IF ; ASSALI, LUCY VITORIA CREDIDIO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1002/qua.560320712
- Language: Português
- Source:
- Título do periódico: International Journal of Quantum Chemistry Symposia
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.21, p.89-97, 1987
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
ASSALI, L. V. C. e LEITE, J. R. Ground state electronic properties of fe-b complex pair in silicon. International Journal of Quantum Chemistry Symposia, v. 21, p. 89-97, 1987Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/qua.560320712. Acesso em: 19 abr. 2024. -
APA
Assali, L. V. C., & Leite, J. R. (1987). Ground state electronic properties of fe-b complex pair in silicon. International Journal of Quantum Chemistry Symposia, 21, 89-97. doi:10.1002/qua.560320712 -
NLM
Assali LVC, Leite JR. Ground state electronic properties of fe-b complex pair in silicon [Internet]. International Journal of Quantum Chemistry Symposia. 1987 ;21 89-97.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1002/qua.560320712 -
Vancouver
Assali LVC, Leite JR. Ground state electronic properties of fe-b complex pair in silicon [Internet]. International Journal of Quantum Chemistry Symposia. 1987 ;21 89-97.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1002/qua.560320712 - Chemical trends in electronic properties of gold-3d transition metal pair complex in silicon
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Informações sobre o DOI: 10.1002/qua.560320712 (Fonte: oaDOI API)
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