Electrical characterization of thin gate oxynitride obtained by N+ implantation into polysilicon thermal oxide/silicon structure (2004)
- Autores:
- Autor USP: SANTOS FILHO, SEBASTIAO GOMES DOS - EP
- Unidade: EP
- Assuntos: MICROELETRÔNICA; POLÍMEROS (MATERIAIS)
- Idioma: Inglês
- Imprenta:
- Editora: The Electrochemical Society
- Local: Pennington
- Data de publicação: 2004
- ISBN: 1-56677-416-0
- Fonte:
- Título do periódico: Microelectronics technology and devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03
- Nome do evento: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices SBMICRO
-
ABNT
TOQUETTI, Leandro Zeidan et al. Electrical characterization of thin gate oxynitride obtained by N+ implantation into polysilicon thermal oxide/silicon structure. 2004, Anais.. Pennington: The Electrochemical Society, 2004. . Acesso em: 26 abr. 2024. -
APA
Toquetti, L. Z., Santos Filho, S. G. dos, Diniz, J. A., & Swart, J. W. (2004). Electrical characterization of thin gate oxynitride obtained by N+ implantation into polysilicon thermal oxide/silicon structure. In Microelectronics technology and devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03. Pennington: The Electrochemical Society. -
NLM
Toquetti LZ, Santos Filho SG dos, Diniz JA, Swart JW. Electrical characterization of thin gate oxynitride obtained by N+ implantation into polysilicon thermal oxide/silicon structure. Microelectronics technology and devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03. 2004 ;[citado 2024 abr. 26 ] -
Vancouver
Toquetti LZ, Santos Filho SG dos, Diniz JA, Swart JW. Electrical characterization of thin gate oxynitride obtained by N+ implantation into polysilicon thermal oxide/silicon structure. Microelectronics technology and devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03. 2004 ;[citado 2024 abr. 26 ] - Potentiostatic electrodeposition of Au-Sn alloys from a non-cyanide bath for soldering: influence of reagents concentrations
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