In-situ and ion implantation nitrogen doping on near stoichiometric a-SiC:H films (2003)
- Authors:
- Autor USP: CARRENO, MARCELO NELSON PAEZ - EP
- Unidade: EP
- Assunto: MICROELETRÔNICA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: Electrochemical Society
- Publisher place: Pennington
- Date published: 2003
- ISBN: 1-56677-389-X
- Source:
- Título do periódico: Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003
-
ABNT
OLIVEIRA, Alessandro Ricardo de e PAEZ CARREÑO, Marcelo Nelson. In-situ and ion implantation nitrogen doping on near stoichiometric a-SiC:H films. Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Tradução . Pennington: Electrochemical Society, 2003. . . Acesso em: 13 maio 2024. -
APA
Oliveira, A. R. de, & Paez Carreño, M. N. (2003). In-situ and ion implantation nitrogen doping on near stoichiometric a-SiC:H films. In Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Pennington: Electrochemical Society. -
NLM
Oliveira AR de, Paez Carreño MN. In-situ and ion implantation nitrogen doping on near stoichiometric a-SiC:H films. In: Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Pennington: Electrochemical Society; 2003. [citado 2024 maio 13 ] -
Vancouver
Oliveira AR de, Paez Carreño MN. In-situ and ion implantation nitrogen doping on near stoichiometric a-SiC:H films. In: Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Pennington: Electrochemical Society; 2003. [citado 2024 maio 13 ] - Formation of 3C-SIC films on silicon by thermal annealing process
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