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Trabalho de evento
A Fase 5:17 em Sm-Nd-Fe (1994)
Neiva, Augusto Camara ; Missell, Frank Patrick
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Seminario sobre Materiais Magneticos e Eletricos. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, MATERIAIS MAGNÉTICOS
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ABNT
NEIVA, Augusto Camara e MISSELL, Frank Patrick. A Fase 5:17 em Sm-Nd-Fe. 1994, Anais.. São Paulo: Abm, 1994. . Acesso em: 30 nov. 2025.
APA
Neiva, A. C., & Missell, F. P. (1994). A Fase 5:17 em Sm-Nd-Fe. In Proceedings. São Paulo: Abm.
NLM
Neiva AC, Missell FP. A Fase 5:17 em Sm-Nd-Fe. Proceedings. 1994 ;[citado 2025 nov. 30 ]
Vancouver
Neiva AC, Missell FP. A Fase 5:17 em Sm-Nd-Fe. Proceedings. 1994 ;[citado 2025 nov. 30 ]
Trabalho de evento
Anisotropia induzida na liga 'FE IND.73.5' 'CU IND.1' 'NB IND.3' 'SI IND.13.5' 'B IND.9' nanocristalina (1994)
Emura, M; Altoe, Maria Virginia Pires; Severino, A M; Rechenberg, H R; Missell, Frank Patrick
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Congresso Anual da Abm. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, MATERIAIS MAGNÉTICOS
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ABNT
EMURA, M et al. Anisotropia induzida na liga 'FE IND.73.5' 'CU IND.1' 'NB IND.3' 'SI IND.13.5' 'B IND.9' nanocristalina. 1994, Anais.. São Paulo: Abm, 1994. . Acesso em: 30 nov. 2025.
APA
Emura, M., Altoe, M. V. P., Severino, A. M., Rechenberg, H. R., & Missell, F. P. (1994). Anisotropia induzida na liga 'FE IND.73.5' 'CU IND.1' 'NB IND.3' 'SI IND.13.5' 'B IND.9' nanocristalina. In Proceedings. São Paulo: Abm.
NLM
Emura M, Altoe MVP, Severino AM, Rechenberg HR, Missell FP. Anisotropia induzida na liga 'FE IND.73.5' 'CU IND.1' 'NB IND.3' 'SI IND.13.5' 'B IND.9' nanocristalina. Proceedings. 1994 ;[citado 2025 nov. 30 ]
Vancouver
Emura M, Altoe MVP, Severino AM, Rechenberg HR, Missell FP. Anisotropia induzida na liga 'FE IND.73.5' 'CU IND.1' 'NB IND.3' 'SI IND.13.5' 'B IND.9' nanocristalina. Proceedings. 1994 ;[citado 2025 nov. 30 ]
Trabalho de evento
Novas fases ferromagneticas no sistema 'FE'-'ND'-b e o efeito do recozimento a 600'GRAUS'c (1989)
Schneider, G; Landgraf, Fernando José Gomes ; Missell, Frank Patrick
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Seminario sobre Materiais Magneticos. Unidade: IF
Assunto: FERROMAGNETISMO
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ABNT
SCHNEIDER, G e LANDGRAF, Fernando José Gomes e MISSELL, Frank Patrick. Novas fases ferromagneticas no sistema 'FE'-'ND'-b e o efeito do recozimento a 600'GRAUS'c. 1989, Anais.. São Paulo: Associacao Brasileira de Metais, 1989. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/c0bb46cc-b0cb-4c0b-8a10-0fd214ae57d6/LANDGRAF-1989-Novasfasesferromagn%C3%A9ticas.pdf. Acesso em: 30 nov. 2025.
APA
Schneider, G., Landgraf, F. J. G., & Missell, F. P. (1989). Novas fases ferromagneticas no sistema 'FE'-'ND'-b e o efeito do recozimento a 600'GRAUS'c. In Proceedings. São Paulo: Associacao Brasileira de Metais. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/c0bb46cc-b0cb-4c0b-8a10-0fd214ae57d6/LANDGRAF-1989-Novasfasesferromagn%C3%A9ticas.pdf
NLM
Schneider G, Landgraf FJG, Missell FP. Novas fases ferromagneticas no sistema 'FE'-'ND'-b e o efeito do recozimento a 600'GRAUS'c [Internet]. Proceedings. 1989 ;[citado 2025 nov. 30 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/c0bb46cc-b0cb-4c0b-8a10-0fd214ae57d6/LANDGRAF-1989-Novasfasesferromagn%C3%A9ticas.pdf
Vancouver
Schneider G, Landgraf FJG, Missell FP. Novas fases ferromagneticas no sistema 'FE'-'ND'-b e o efeito do recozimento a 600'GRAUS'c [Internet]. Proceedings. 1989 ;[citado 2025 nov. 30 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/c0bb46cc-b0cb-4c0b-8a10-0fd214ae57d6/LANDGRAF-1989-Novasfasesferromagn%C3%A9ticas.pdf
Trabalho de evento
Anisotropia induzida na liga amorfa 'CO IND.70.4''FE IND.4.6''SI IND.15''B IND.10' (1989)
Santos, Antonio Domingues dos ; Missell, Frank Patrick
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Seminario sobre Materiais Magneticos. Unidade: IF
Assunto: MATERIAIS MAGNÉTICOS
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ABNT
SANTOS, Antonio Domingues dos e MISSELL, Frank Patrick. Anisotropia induzida na liga amorfa 'CO IND.70.4''FE IND.4.6''SI IND.15''B IND.10'. 1989, Anais.. São Paulo: Associacao Brasileira de Metais, 1989. . Acesso em: 30 nov. 2025.
APA
Santos, A. D. dos, & Missell, F. P. (1989). Anisotropia induzida na liga amorfa 'CO IND.70.4''FE IND.4.6''SI IND.15''B IND.10'. In Proceedings. São Paulo: Associacao Brasileira de Metais.
NLM
Santos AD dos, Missell FP. Anisotropia induzida na liga amorfa 'CO IND.70.4''FE IND.4.6''SI IND.15''B IND.10'. Proceedings. 1989 ;[citado 2025 nov. 30 ]
Vancouver
Santos AD dos, Missell FP. Anisotropia induzida na liga amorfa 'CO IND.70.4''FE IND.4.6''SI IND.15''B IND.10'. Proceedings. 1989 ;[citado 2025 nov. 30 ]
Trabalho de evento
Superconductive fractions in y'BA IND.2'' ('cu ind.1-x''mn ind.X') IND.3''O IND.7's compounds (1988)
Jardim, Renato de Figueiredo ; Gama, S; Lima, O F; Torriani, I; Paduan-Filho, Armando ; Zacarelli, S; Becerra, Carlos Castilla
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Latin-American Conference on High Superconductors. Unidade: IF
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ABNT
JARDIM, Renato de Figueiredo et al. Superconductive fractions in y'BA IND.2'' ('cu ind.1-x''mn ind.X') IND.3''O IND.7's compounds. 1988, Anais.. Singapore: World Scientific, 1988. . Acesso em: 30 nov. 2025.
APA
Jardim, R. de F., Gama, S., Lima, O. F., Torriani, I., Paduan-Filho, A., Zacarelli, S., & Becerra, C. C. (1988). Superconductive fractions in y'BA IND.2'' ('cu ind.1-x''mn ind.X') IND.3''O IND.7's compounds. In Proceedings. Singapore: World Scientific.
NLM
Jardim R de F, Gama S, Lima OF, Torriani I, Paduan-Filho A, Zacarelli S, Becerra CC. Superconductive fractions in y'BA IND.2'' ('cu ind.1-x''mn ind.X') IND.3''O IND.7's compounds. Proceedings. 1988 ;[citado 2025 nov. 30 ]
Vancouver
Jardim R de F, Gama S, Lima OF, Torriani I, Paduan-Filho A, Zacarelli S, Becerra CC. Superconductive fractions in y'BA IND.2'' ('cu ind.1-x''mn ind.X') IND.3''O IND.7's compounds. Proceedings. 1988 ;[citado 2025 nov. 30 ]
Trabalho de evento-resumo
Theoretical studies of ' (GAAS) IND.N'' (ALAS) IND.N' superlattices (1988)
Ferraz, A. C.; Srivastava, G. P.
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Escola Brasileira de Fisica de Semicondutores. Unidade: IF
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ABNT
FERRAZ, A. C. e SRIVASTAVA, G. P. Theoretical studies of ' (GAAS) IND.N'' (ALAS) IND.N' superlattices. 1988, Anais.. Sisngapore: World Scientific, 1988. . Acesso em: 30 nov. 2025.
APA
Ferraz, A. C., & Srivastava, G. P. (1988). Theoretical studies of ' (GAAS) IND.N'' (ALAS) IND.N' superlattices. In Proceedings. Sisngapore: World Scientific.
NLM
Ferraz AC, Srivastava GP. Theoretical studies of ' (GAAS) IND.N'' (ALAS) IND.N' superlattices. Proceedings. 1988 ;[citado 2025 nov. 30 ]
Vancouver
Ferraz AC, Srivastava GP. Theoretical studies of ' (GAAS) IND.N'' (ALAS) IND.N' superlattices. Proceedings. 1988 ;[citado 2025 nov. 30 ]
Trabalho de evento-resumo
Dangling bonds reconstruction effects on the formation entropy of a silicon vacancy (1988)
Dal Pino Junior, A; Silva, E C F; Leite, J. R.
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Escola Brasileira de Fisica de Semicondutores. Unidade: IF
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ABNT
DAL PINO JUNIOR, A e SILVA, E C F e LEITE, J. R. Dangling bonds reconstruction effects on the formation entropy of a silicon vacancy. 1988, Anais.. Singapore: World Scientific, 1988. . Acesso em: 30 nov. 2025.
APA
Dal Pino Junior, A., Silva, E. C. F., & Leite, J. R. (1988). Dangling bonds reconstruction effects on the formation entropy of a silicon vacancy. In Proceedings. Singapore: World Scientific.
NLM
Dal Pino Junior A, Silva ECF, Leite JR. Dangling bonds reconstruction effects on the formation entropy of a silicon vacancy. Proceedings. 1988 ;[citado 2025 nov. 30 ]
Vancouver
Dal Pino Junior A, Silva ECF, Leite JR. Dangling bonds reconstruction effects on the formation entropy of a silicon vacancy. Proceedings. 1988 ;[citado 2025 nov. 30 ]
Trabalho de evento-resumo
Deep levels induced by 3d transition metal impurities in diamond (1988)
Alves, H W L; Leite, J. R.; Alves, J L A
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Escola Brasileira de Fisica de Semicondutores. Unidade: IF
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ABNT
ALVES, H W L e LEITE, J. R. e ALVES, J L A. Deep levels induced by 3d transition metal impurities in diamond. 1988, Anais.. Singapore: World Scientific, 1988. . Acesso em: 30 nov. 2025.
APA
Alves, H. W. L., Leite, J. R., & Alves, J. L. A. (1988). Deep levels induced by 3d transition metal impurities in diamond. In Proceedings. Singapore: World Scientific.
NLM
Alves HWL, Leite JR, Alves JLA. Deep levels induced by 3d transition metal impurities in diamond. Proceedings. 1988 ;[citado 2025 nov. 30 ]
Vancouver
Alves HWL, Leite JR, Alves JLA. Deep levels induced by 3d transition metal impurities in diamond. Proceedings. 1988 ;[citado 2025 nov. 30 ]
Trabalho de evento-resumo
Role playde by interstitial 3d transition-metal atoms in gaas (1988)
Scolfaro, L M R; Fazzio, Adalberto
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Escola Brasileira de Fisica de Semicondutores. Unidade: IF
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ABNT
SCOLFARO, L M R e FAZZIO, Adalberto. Role playde by interstitial 3d transition-metal atoms in gaas. 1988, Anais.. Singapore: World Scientific, 1988. . Acesso em: 30 nov. 2025.
APA
Scolfaro, L. M. R., & Fazzio, A. (1988). Role playde by interstitial 3d transition-metal atoms in gaas. In Proceedings. Singapore: World Scientific.
NLM
Scolfaro LMR, Fazzio A. Role playde by interstitial 3d transition-metal atoms in gaas. Proceedings. 1988 ;[citado 2025 nov. 30 ]
Vancouver
Scolfaro LMR, Fazzio A. Role playde by interstitial 3d transition-metal atoms in gaas. Proceedings. 1988 ;[citado 2025 nov. 30 ]
Trabalho de evento-resumo
Chemical trends in electronic properties of gold-3d transition metal pair complex in silicon (1988)
Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Leite, J. R.
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Escola Brasileira de Fisica de Semicondutores. Unidade: IF
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ABNT
ASSALI, Lucy Vitoria Credidio e LEITE, J. R. Chemical trends in electronic properties of gold-3d transition metal pair complex in silicon. 1988, Anais.. Singapore: World Scientific, 1988. . Acesso em: 30 nov. 2025.
APA
Assali, L. V. C., & Leite, J. R. (1988). Chemical trends in electronic properties of gold-3d transition metal pair complex in silicon. In Proceedings. Singapore: World Scientific.
NLM
Assali LVC, Leite JR. Chemical trends in electronic properties of gold-3d transition metal pair complex in silicon. Proceedings. 1988 ;[citado 2025 nov. 30 ]
Vancouver
Assali LVC, Leite JR. Chemical trends in electronic properties of gold-3d transition metal pair complex in silicon. Proceedings. 1988 ;[citado 2025 nov. 30 ]
Trabalho de evento-resumo
Atomic geometries of iii-v compound semiconductor surfaces by total energy and force methods (1988)
Ferraz, A. C.; Srivastava, G. P.
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Escola Brasileira de Fisica de Semicondutores. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERRAZ, A. C. e SRIVASTAVA, G. P. Atomic geometries of iii-v compound semiconductor surfaces by total energy and force methods. 1988, Anais.. Singapore: World Scientific, 1988. . Acesso em: 30 nov. 2025.
APA
Ferraz, A. C., & Srivastava, G. P. (1988). Atomic geometries of iii-v compound semiconductor surfaces by total energy and force methods. In Proceedings. Singapore: World Scientific.
NLM
Ferraz AC, Srivastava GP. Atomic geometries of iii-v compound semiconductor surfaces by total energy and force methods. Proceedings. 1988 ;[citado 2025 nov. 30 ]
Vancouver
Ferraz AC, Srivastava GP. Atomic geometries of iii-v compound semiconductor surfaces by total energy and force methods. Proceedings. 1988 ;[citado 2025 nov. 30 ]
Trabalho de evento-resumo
Study of 4d and 5d impurities in iii-v semiconductors (1988)
Makiuchi, N; Macedo, T C; Caldas, Marilia Junqueira ; Fazzio, Adalberto
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Escola Brasileira de Fisica de Semicondutores. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MAKIUCHI, N et al. Study of 4d and 5d impurities in iii-v semiconductors. 1988, Anais.. Singapore: World Scientific, 1988. . Acesso em: 30 nov. 2025.
APA
Makiuchi, N., Macedo, T. C., Caldas, M. J., & Fazzio, A. (1988). Study of 4d and 5d impurities in iii-v semiconductors. In Proceedings. Singapore: World Scientific.
NLM
Makiuchi N, Macedo TC, Caldas MJ, Fazzio A. Study of 4d and 5d impurities in iii-v semiconductors. Proceedings. 1988 ;[citado 2025 nov. 30 ]
Vancouver
Makiuchi N, Macedo TC, Caldas MJ, Fazzio A. Study of 4d and 5d impurities in iii-v semiconductors. Proceedings. 1988 ;[citado 2025 nov. 30 ]
Trabalho de evento-resumo
Charge state stability of transition metal in semiconductors: negative u (1988)
Mota, R.; Fazzio, Adalberto
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Escola Brasileira de Fisica de Semicondutores. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MOTA, R. e FAZZIO, Adalberto. Charge state stability of transition metal in semiconductors: negative u. 1988, Anais.. Singapore: World Scientific, 1988. . Acesso em: 30 nov. 2025.
APA
Mota, R., & Fazzio, A. (1988). Charge state stability of transition metal in semiconductors: negative u. In Proceedings. Singapore: World Scientific.
NLM
Mota R, Fazzio A. Charge state stability of transition metal in semiconductors: negative u. Proceedings. 1988 ;[citado 2025 nov. 30 ]
Vancouver
Mota R, Fazzio A. Charge state stability of transition metal in semiconductors: negative u. Proceedings. 1988 ;[citado 2025 nov. 30 ]
Trabalho de evento
Hydrogen passivation of isolated impurities in silicon (1987)
Leite, J. R.; Assali, Lucy Vitoria Credidio
Fonte: Proceedings. Nome do evento: International Conference Physics Semiconductors. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LEITE, J. R. e ASSALI, Lucy Vitoria Credidio. Hydrogen passivation of isolated impurities in silicon. 1987, Anais.. Singapore: World Scientific, 1987. . Acesso em: 30 nov. 2025.
APA
Leite, J. R., & Assali, L. V. C. (1987). Hydrogen passivation of isolated impurities in silicon. In Proceedings. Singapore: World Scientific.
NLM
Leite JR, Assali LVC. Hydrogen passivation of isolated impurities in silicon. Proceedings. 1987 ;[citado 2025 nov. 30 ]
Vancouver
Leite JR, Assali LVC. Hydrogen passivation of isolated impurities in silicon. Proceedings. 1987 ;[citado 2025 nov. 30 ]
Trabalho de evento
Electronic structure of oxygen-related complex defects in silicon (1985)
Gomes, V M S; Leite, J. R.
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Brazilian School on Physics. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GOMES, V M S e LEITE, J. R. Electronic structure of oxygen-related complex defects in silicon. 1985, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 1985. . Acesso em: 30 nov. 2025.
APA
Gomes, V. M. S., & Leite, J. R. (1985). Electronic structure of oxygen-related complex defects in silicon. In Proceedings. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Gomes VMS, Leite JR. Electronic structure of oxygen-related complex defects in silicon. Proceedings. 1985 ;[citado 2025 nov. 30 ]
Vancouver
Gomes VMS, Leite JR. Electronic structure of oxygen-related complex defects in silicon. Proceedings. 1985 ;[citado 2025 nov. 30 ]
Trabalho de evento
Spectral distribution of photoionization cross section of 'FE POT.2+' in inp: 'FE' (1985)
Fazzio, Adalberto ; Iikawa, F; Motisuke, P
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Brazilian School on Physics. Unidade: IF
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ABNT
FAZZIO, Adalberto e IIKAWA, F e MOTISUKE, P. Spectral distribution of photoionization cross section of 'FE POT.2+' in inp: 'FE'. 1985, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 1985. . Acesso em: 30 nov. 2025.
APA
Fazzio, A., Iikawa, F., & Motisuke, P. (1985). Spectral distribution of photoionization cross section of 'FE POT.2+' in inp: 'FE'. In Proceedings. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Fazzio A, Iikawa F, Motisuke P. Spectral distribution of photoionization cross section of 'FE POT.2+' in inp: 'FE'. Proceedings. 1985 ;[citado 2025 nov. 30 ]
Vancouver
Fazzio A, Iikawa F, Motisuke P. Spectral distribution of photoionization cross section of 'FE POT.2+' in inp: 'FE'. Proceedings. 1985 ;[citado 2025 nov. 30 ]
Trabalho de evento
Group-ib impurities in 'SI' (1985)
Fazzio, Adalberto ; Caldas, Marilia Junqueira ; Zunger, A
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Brazilian School on Physics. Unidade: IF
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ABNT
FAZZIO, Adalberto e CALDAS, Marilia Junqueira e ZUNGER, A. Group-ib impurities in 'SI'. 1985, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 1985. . Acesso em: 30 nov. 2025.
APA
Fazzio, A., Caldas, M. J., & Zunger, A. (1985). Group-ib impurities in 'SI'. In Proceedings. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Fazzio A, Caldas MJ, Zunger A. Group-ib impurities in 'SI'. Proceedings. 1985 ;[citado 2025 nov. 30 ]
Vancouver
Fazzio A, Caldas MJ, Zunger A. Group-ib impurities in 'SI'. Proceedings. 1985 ;[citado 2025 nov. 30 ]
Trabalho de evento
Deep-levels associated to chalcogen impurities in silicon (1985)
Leite, J. R.
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Brazilian School on Physics. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LEITE, J. R. Deep-levels associated to chalcogen impurities in silicon. 1985, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 1985. . Acesso em: 30 nov. 2025.
APA
Leite, J. R. (1985). Deep-levels associated to chalcogen impurities in silicon. In Proceedings. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Leite JR. Deep-levels associated to chalcogen impurities in silicon. Proceedings. 1985 ;[citado 2025 nov. 30 ]
Vancouver
Leite JR. Deep-levels associated to chalcogen impurities in silicon. Proceedings. 1985 ;[citado 2025 nov. 30 ]
Trabalho de evento
Electronic structure of the point defects gap: 'V IND.P' and gap : ' O IND.P' (1985)
Silva, C E T G; Makiuchi, N; Leite, J. R.
Fonte: Proceedings. Nome do evento: International Conference on the Physics of Semiconductors. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, C E T G e MAKIUCHI, N e LEITE, J. R. Electronic structure of the point defects gap: 'V IND.P' and gap : ' O IND.P'. 1985, Anais.. San Francisco: Springer, 1985. . Acesso em: 30 nov. 2025.
APA
Silva, C. E. T. G., Makiuchi, N., & Leite, J. R. (1985). Electronic structure of the point defects gap: 'V IND.P' and gap : ' O IND.P'. In Proceedings. San Francisco: Springer.
NLM
Silva CETG, Makiuchi N, Leite JR. Electronic structure of the point defects gap: 'V IND.P' and gap : ' O IND.P'. Proceedings. 1985 ;[citado 2025 nov. 30 ]
Vancouver
Silva CETG, Makiuchi N, Leite JR. Electronic structure of the point defects gap: 'V IND.P' and gap : ' O IND.P'. Proceedings. 1985 ;[citado 2025 nov. 30 ]
Trabalho de evento
Current research on semiconductor physics (1985)
Leite, J. R.; Silva, C E T
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Brazilian School on Semiconductor Physics. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LEITE, J. R. e SILVA, C E T. Current research on semiconductor physics. 1985, Anais.. São Paulo: Usp, 1985. . Acesso em: 30 nov. 2025.
APA
Leite, J. R., & Silva, C. E. T. (1985). Current research on semiconductor physics. In Proceedings. São Paulo: Usp.
NLM
Leite JR, Silva CET. Current research on semiconductor physics. Proceedings. 1985 ;[citado 2025 nov. 30 ]
Vancouver
Leite JR, Silva CET. Current research on semiconductor physics. Proceedings. 1985 ;[citado 2025 nov. 30 ]

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