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Tese (Doutorado)
Estudo de célula de memória dinâmica de apenas um transistor SOI de óxido enterrado ultrafino (2012)
Almeida, Luciano Mendes; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: MEMÓRIA RAM, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES, ENCAPSULAMENTO ELETRÔNICO
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ABNT
ALMEIDA, Luciano Mendes. Estudo de célula de memória dinâmica de apenas um transistor SOI de óxido enterrado ultrafino. 2012. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2012. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18072013-144946/. Acesso em: 23 nov. 2025.
APA
Almeida, L. M. (2012). Estudo de célula de memória dinâmica de apenas um transistor SOI de óxido enterrado ultrafino (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18072013-144946/
NLM
Almeida LM. Estudo de célula de memória dinâmica de apenas um transistor SOI de óxido enterrado ultrafino [Internet]. 2012 ;[citado 2025 nov. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18072013-144946/
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Almeida LM. Estudo de célula de memória dinâmica de apenas um transistor SOI de óxido enterrado ultrafino [Internet]. 2012 ;[citado 2025 nov. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18072013-144946/
Tese (Doutorado)
Estudo do efeito de elevação atípica da transcondutância na região linear de polarização em dispositivos SOI nMOSFETs ultra-submicrométricos (2008)
Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, MICROELETRÔNICA
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ABNT
AGOPIAN, Paula Ghedini Der. Estudo do efeito de elevação atípica da transcondutância na região linear de polarização em dispositivos SOI nMOSFETs ultra-submicrométricos. 2008. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2008. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09022009-190025/. Acesso em: 23 nov. 2025.
APA
Agopian, P. G. D. (2008). Estudo do efeito de elevação atípica da transcondutância na região linear de polarização em dispositivos SOI nMOSFETs ultra-submicrométricos (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09022009-190025/
NLM
Agopian PGD. Estudo do efeito de elevação atípica da transcondutância na região linear de polarização em dispositivos SOI nMOSFETs ultra-submicrométricos [Internet]. 2008 ;[citado 2025 nov. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09022009-190025/
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Agopian PGD. Estudo do efeito de elevação atípica da transcondutância na região linear de polarização em dispositivos SOI nMOSFETs ultra-submicrométricos [Internet]. 2008 ;[citado 2025 nov. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09022009-190025/
Tese (Doutorado)
Obtenção de contatos rasos de mono-siliceto de níquel visando a fabricação de circuitos integrados MOS (2006)
Reis, Ronaldo Willian; Santos Filho, Sebastião Gomes dos (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, DIODOS, FILMES FINOS, RUGOSIDADE SUPERFICIAL
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ABNT
REIS, Ronaldo Willian. Obtenção de contatos rasos de mono-siliceto de níquel visando a fabricação de circuitos integrados MOS. 2006. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2006. . Acesso em: 23 nov. 2025.
APA
Reis, R. W. (2006). Obtenção de contatos rasos de mono-siliceto de níquel visando a fabricação de circuitos integrados MOS (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Reis RW. Obtenção de contatos rasos de mono-siliceto de níquel visando a fabricação de circuitos integrados MOS. 2006 ;[citado 2025 nov. 23 ]
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Reis RW. Obtenção de contatos rasos de mono-siliceto de níquel visando a fabricação de circuitos integrados MOS. 2006 ;[citado 2025 nov. 23 ]
Tese (Doutorado)
Estudo experimental da obtenção de oxinitretos de silício ultrafinos para porta MOS (2005)
Toquetti, Leandro Zeidan; Santos Filho, Sebastião Gomes dos (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: RUGOSIDADE SUPERFICIAL, SILÍCIO, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
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ABNT
TOQUETTI, Leandro Zeidan. Estudo experimental da obtenção de oxinitretos de silício ultrafinos para porta MOS. 2005. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2005. . Acesso em: 23 nov. 2025.
APA
Toquetti, L. Z. (2005). Estudo experimental da obtenção de oxinitretos de silício ultrafinos para porta MOS (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Toquetti LZ. Estudo experimental da obtenção de oxinitretos de silício ultrafinos para porta MOS. 2005 ;[citado 2025 nov. 23 ]
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Toquetti LZ. Estudo experimental da obtenção de oxinitretos de silício ultrafinos para porta MOS. 2005 ;[citado 2025 nov. 23 ]
Tese (Doutorado)
Estratégias de projeto para interfaces de dispositivos MEMS com tecnologia CMOS (2004)
Chavez Porras, Fernando; Ramírez Fernandez, Francisco Javier (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: SISTEMAS MICROELETROMECÂNICOS, MICROELETRÔNICA, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
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ABNT
CHAVEZ PORRAS, Fernando. Estratégias de projeto para interfaces de dispositivos MEMS com tecnologia CMOS. 2004. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2004. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27012025-100020/pt-br.php. Acesso em: 23 nov. 2025.
APA
Chavez Porras, F. (2004). Estratégias de projeto para interfaces de dispositivos MEMS com tecnologia CMOS (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27012025-100020/pt-br.php
NLM
Chavez Porras F. Estratégias de projeto para interfaces de dispositivos MEMS com tecnologia CMOS [Internet]. 2004 ;[citado 2025 nov. 23 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27012025-100020/pt-br.php
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Chavez Porras F. Estratégias de projeto para interfaces de dispositivos MEMS com tecnologia CMOS [Internet]. 2004 ;[citado 2025 nov. 23 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27012025-100020/pt-br.php
Tese (Doutorado)
Estudo do GC SOI nMOSFET e aplicações em amplificadores operacionais de transcondutância (2004)
Gimenez, Salvador Pinillos ; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: TRANSISTORES, SILÍCIO, AMPLIFICADORES, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
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GIMENEZ, Salvador Pinillos. Estudo do GC SOI nMOSFET e aplicações em amplificadores operacionais de transcondutância. 2004. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2004. . Acesso em: 23 nov. 2025.
APA
Gimenez, S. P. (2004). Estudo do GC SOI nMOSFET e aplicações em amplificadores operacionais de transcondutância (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Gimenez SP. Estudo do GC SOI nMOSFET e aplicações em amplificadores operacionais de transcondutância. 2004 ;[citado 2025 nov. 23 ]
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Gimenez SP. Estudo do GC SOI nMOSFET e aplicações em amplificadores operacionais de transcondutância. 2004 ;[citado 2025 nov. 23 ]
Tese (Doutorado)
Estrutura de indutores monolíticos para circuitos RF na tecnologia MOS (2002)
Moreira, Luiz Carlos; Van Noije, Wilhelmus Adrianus Maria (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, TRANSFORMADORES E REATORES
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ABNT
MOREIRA, Luiz Carlos. Estrutura de indutores monolíticos para circuitos RF na tecnologia MOS. 2002. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2002. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13112024-153549/pt-br.php. Acesso em: 23 nov. 2025.
APA
Moreira, L. C. (2002). Estrutura de indutores monolíticos para circuitos RF na tecnologia MOS (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13112024-153549/pt-br.php
NLM
Moreira LC. Estrutura de indutores monolíticos para circuitos RF na tecnologia MOS [Internet]. 2002 ;[citado 2025 nov. 23 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13112024-153549/pt-br.php
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Moreira LC. Estrutura de indutores monolíticos para circuitos RF na tecnologia MOS [Internet]. 2002 ;[citado 2025 nov. 23 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13112024-153549/pt-br.php
Tese (Doutorado)
Um processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2µm (1988)
Martino, João Antonio ; Swart, Jacobus Willibrordus (Orientador)
Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
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ABNT
MARTINO, João Antonio. Um processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2µm. 1988. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1988. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23052022-110719/. Acesso em: 23 nov. 2025.
APA
Martino, J. A. (1988). Um processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2µm (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23052022-110719/
NLM
Martino JA. Um processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2µm [Internet]. 1988 ;[citado 2025 nov. 23 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23052022-110719/
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Martino JA. Um processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2µm [Internet]. 1988 ;[citado 2025 nov. 23 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23052022-110719/
Tese (Doutorado)
Desenvolvimento de um processo NMOS de alto desempenho: análise, caracterização e extração de parâmetros elétricos e tecnológicos (1987)
Zasnicoff, Luiz Sergio; Andrade, Carlos Américo Morato de (Orientador)
Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ZASNICOFF, Luiz Sergio. Desenvolvimento de um processo NMOS de alto desempenho: análise, caracterização e extração de parâmetros elétricos e tecnológicos. 1987. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1987. . Acesso em: 23 nov. 2025.
APA
Zasnicoff, L. S. (1987). Desenvolvimento de um processo NMOS de alto desempenho: análise, caracterização e extração de parâmetros elétricos e tecnológicos (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Zasnicoff LS. Desenvolvimento de um processo NMOS de alto desempenho: análise, caracterização e extração de parâmetros elétricos e tecnológicos. 1987 ;[citado 2025 nov. 23 ]
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Zasnicoff LS. Desenvolvimento de um processo NMOS de alto desempenho: análise, caracterização e extração de parâmetros elétricos e tecnológicos. 1987 ;[citado 2025 nov. 23 ]
Tese (Doutorado)
Projeto e desenvolvimento de uma tecnologia CMOS com porta de silício policristalino e geometria fechada (1987)
Torres, Luis Carlos Molina; Andrade, Carlos Américo Morato de (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TORRES, Luis Carlos Molina. Projeto e desenvolvimento de uma tecnologia CMOS com porta de silício policristalino e geometria fechada. 1987. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1987. . Acesso em: 23 nov. 2025.
APA
Torres, L. C. M. (1987). Projeto e desenvolvimento de uma tecnologia CMOS com porta de silício policristalino e geometria fechada (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Torres LCM. Projeto e desenvolvimento de uma tecnologia CMOS com porta de silício policristalino e geometria fechada. 1987 ;[citado 2025 nov. 23 ]
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Torres LCM. Projeto e desenvolvimento de uma tecnologia CMOS com porta de silício policristalino e geometria fechada. 1987 ;[citado 2025 nov. 23 ]
Tese (Doutorado)
Uma contribuição para projeto de circuito integrado CMOS (1986)
Vale Neto, José Vieira do; Andrade, Carlos Américo Morato de (Orientador)
Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
VALE NETO, José Vieira do. Uma contribuição para projeto de circuito integrado CMOS. 1986. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1986. . Acesso em: 23 nov. 2025.
APA
Vale Neto, J. V. do. (1986). Uma contribuição para projeto de circuito integrado CMOS (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Vale Neto JV do. Uma contribuição para projeto de circuito integrado CMOS. 1986 ;[citado 2025 nov. 23 ]
Vancouver
Vale Neto JV do. Uma contribuição para projeto de circuito integrado CMOS. 1986 ;[citado 2025 nov. 23 ]
Tese (Doutorado)
Tecnologia simples para circuitos digitais MOS Canal N com carga em depleção de alta velocidade (1978)
Souza, Joel Pereira de; Charry Rodriguez, Edgar (Orientador)
Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOUZA, Joel Pereira de. Tecnologia simples para circuitos digitais MOS Canal N com carga em depleção de alta velocidade. 1978. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1978. . Acesso em: 23 nov. 2025.
APA
Souza, J. P. de. (1978). Tecnologia simples para circuitos digitais MOS Canal N com carga em depleção de alta velocidade (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Souza JP de. Tecnologia simples para circuitos digitais MOS Canal N com carga em depleção de alta velocidade. 1978 ;[citado 2025 nov. 23 ]
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Souza JP de. Tecnologia simples para circuitos digitais MOS Canal N com carga em depleção de alta velocidade. 1978 ;[citado 2025 nov. 23 ]
Tese (Doutorado)
Desenvolvimento e aplicações de uma tecnologia MOS canal N de porta metálica (1974)
Charry Rodriguez, Edgar; Ferreira, Ademar (Orientador)
Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CHARRY RODRIGUEZ, Edgar. Desenvolvimento e aplicações de uma tecnologia MOS canal N de porta metálica. 1974. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1974. . Acesso em: 23 nov. 2025.
APA
Charry Rodriguez, E. (1974). Desenvolvimento e aplicações de uma tecnologia MOS canal N de porta metálica (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Charry Rodriguez E. Desenvolvimento e aplicações de uma tecnologia MOS canal N de porta metálica. 1974 ;[citado 2025 nov. 23 ]
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Charry Rodriguez E. Desenvolvimento e aplicações de uma tecnologia MOS canal N de porta metálica. 1974 ;[citado 2025 nov. 23 ]

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