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Trabalho de evento
A 3.5 mW programmable high speed frequency divider for a 2.4 GHz CMOS frequency synthesizer (2005)
Gómez Argüello, Angel María; Soares Junior, João Navarro ; Van Noije, Wilhelmus Adrianus Maria
Source: SBCCI 2005. Conference titles: Symposium on Integrated Circuits and Systems Design. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GÓMEZ ARGÜELLO, Angel María e SOARES JUNIOR, João Navarro e VAN NOIJE, Wilhelmus Adrianus Maria. A 3.5 mW programmable high speed frequency divider for a 2.4 GHz CMOS frequency synthesizer. 2005, Anais.. New York: ACM, 2005. . Acesso em: 16 nov. 2025.
APA
Gómez Argüello, A. M., Soares Junior, J. N., & Van Noije, W. A. M. (2005). A 3.5 mW programmable high speed frequency divider for a 2.4 GHz CMOS frequency synthesizer. In SBCCI 2005. New York: ACM.
NLM
Gómez Argüello AM, Soares Junior JN, Van Noije WAM. A 3.5 mW programmable high speed frequency divider for a 2.4 GHz CMOS frequency synthesizer. SBCCI 2005. 2005 ;[citado 2025 nov. 16 ]
Vancouver
Gómez Argüello AM, Soares Junior JN, Van Noije WAM. A 3.5 mW programmable high speed frequency divider for a 2.4 GHz CMOS frequency synthesizer. SBCCI 2005. 2005 ;[citado 2025 nov. 16 ]
Tese (Doutorado)
Estudo experimental da obtenção de oxinitretos de silício ultrafinos para porta MOS (2005)
Toquetti, Leandro Zeidan; Santos Filho, Sebastião Gomes dos (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: RUGOSIDADE SUPERFICIAL, SILÍCIO, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
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ABNT
TOQUETTI, Leandro Zeidan. Estudo experimental da obtenção de oxinitretos de silício ultrafinos para porta MOS. 2005. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2005. . Acesso em: 16 nov. 2025.
APA
Toquetti, L. Z. (2005). Estudo experimental da obtenção de oxinitretos de silício ultrafinos para porta MOS (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Toquetti LZ. Estudo experimental da obtenção de oxinitretos de silício ultrafinos para porta MOS. 2005 ;[citado 2025 nov. 16 ]
Vancouver
Toquetti LZ. Estudo experimental da obtenção de oxinitretos de silício ultrafinos para porta MOS. 2005 ;[citado 2025 nov. 16 ]
Dissertação (Mestrado)
Estudo e projeto de um conversor D/A de alta velocidade em tecnologia CMOS (2005)
Oliveira, Claudia Almerindo de Souza; Soares Junior, João Navarro (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, CONVERSORES A/D E D/A
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ABNT
OLIVEIRA, Claudia Almerindo de Souza. Estudo e projeto de um conversor D/A de alta velocidade em tecnologia CMOS. 2005. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2005. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06082005-105902/. Acesso em: 16 nov. 2025.
APA
Oliveira, C. A. de S. (2005). Estudo e projeto de um conversor D/A de alta velocidade em tecnologia CMOS (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06082005-105902/
NLM
Oliveira CA de S. Estudo e projeto de um conversor D/A de alta velocidade em tecnologia CMOS [Internet]. 2005 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06082005-105902/
Vancouver
Oliveira CA de S. Estudo e projeto de um conversor D/A de alta velocidade em tecnologia CMOS [Internet]. 2005 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06082005-105902/
Artigo de periodico
Advantages of the graded-channel SOI FD MOSFET for application as a quasi-linear resistor (2005)
Cerdeira, Antonio ; Alemán, Miguel A.; Pavanello, Marcelo Antonio ; Martino, João Antonio ; Flandre, Denis ; Vancaillie, Laurent
Source: IEEE Transactions on Electron Devices. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
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ABNT
CERDEIRA, Antonio et al. Advantages of the graded-channel SOI FD MOSFET for application as a quasi-linear resistor. IEEE Transactions on Electron Devices, v. 52, n. 5, p. 967-972, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/ted.2005.846327. Acesso em: 16 nov. 2025.
APA
Cerdeira, A., Alemán, M. A., Pavanello, M. A., Martino, J. A., Flandre, D., & Vancaillie, L. (2005). Advantages of the graded-channel SOI FD MOSFET for application as a quasi-linear resistor. IEEE Transactions on Electron Devices, 52( 5), 967-972. doi:10.1109/ted.2005.846327
NLM
Cerdeira A, Alemán MA, Pavanello MA, Martino JA, Flandre D, Vancaillie L. Advantages of the graded-channel SOI FD MOSFET for application as a quasi-linear resistor [Internet]. IEEE Transactions on Electron Devices. 2005 ;52( 5): 967-972.[citado 2025 nov. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ted.2005.846327
Vancouver
Cerdeira A, Alemán MA, Pavanello MA, Martino JA, Flandre D, Vancaillie L. Advantages of the graded-channel SOI FD MOSFET for application as a quasi-linear resistor [Internet]. IEEE Transactions on Electron Devices. 2005 ;52( 5): 967-972.[citado 2025 nov. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ted.2005.846327
Dissertação (Mestrado)
Estudo e caracterização do efeito do descasamento de parâmetros em tapered buffers CMOS (2005)
Aragão, Alexandre de Jesus; Van Noije, Wilhelmus Adrianus Maria (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ARAGÃO, Alexandre de Jesus. Estudo e caracterização do efeito do descasamento de parâmetros em tapered buffers CMOS. 2005. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2005. . Acesso em: 16 nov. 2025.
APA
Aragão, A. de J. (2005). Estudo e caracterização do efeito do descasamento de parâmetros em tapered buffers CMOS (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Aragão A de J. Estudo e caracterização do efeito do descasamento de parâmetros em tapered buffers CMOS. 2005 ;[citado 2025 nov. 16 ]
Vancouver
Aragão A de J. Estudo e caracterização do efeito do descasamento de parâmetros em tapered buffers CMOS. 2005 ;[citado 2025 nov. 16 ]
Artigo de periodico
SOI technology characterization using SOI-MOS capacitor (2005)
Sonnenberg, Victor ; Martino, João Antonio
Source: Solid-State Electronics. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SONNENBERG, Victor e MARTINO, João Antonio. SOI technology characterization using SOI-MOS capacitor. Solid-State Electronics, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2004.06.010. Acesso em: 16 nov. 2025.
APA
Sonnenberg, V., & Martino, J. A. (2005). SOI technology characterization using SOI-MOS capacitor. Solid-State Electronics. doi:10.1016/j.sse.2004.06.010
NLM
Sonnenberg V, Martino JA. SOI technology characterization using SOI-MOS capacitor [Internet]. Solid-State Electronics. 2005 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2004.06.010
Vancouver
Sonnenberg V, Martino JA. SOI technology characterization using SOI-MOS capacitor [Internet]. Solid-State Electronics. 2005 ;[citado 2025 nov. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2004.06.010

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