Menu

Filtros : "IF" "SEMICONDUTORES" "EP" Limpar

Filtros

Refine with date range

1 - 20 (50 records)

  • Relatorio tecnico

    Cobalt-related impurity centers in diamond: electronic properties and hyperfine parameters (2020)

    Mamani, Rolando Larico; Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco

    Unidades: IF, EP

    Assunto: SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      MAMANI, Rolando Larico et al. Cobalt-related impurity centers in diamond: electronic properties and hyperfine parameters. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/1307.2866.pdf. Acesso em: 09 set. 2024. , 2020

    • APA

      Mamani, R. L., Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2020). Cobalt-related impurity centers in diamond: electronic properties and hyperfine parameters. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/1307.2866.pdf

    • NLM

      Mamani RL, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Cobalt-related impurity centers in diamond: electronic properties and hyperfine parameters [Internet]. 2020 ;[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/1307.2866.pdf

    • Vancouver

      Mamani RL, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Cobalt-related impurity centers in diamond: electronic properties and hyperfine parameters [Internet]. 2020 ;[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/1307.2866.pdf

  • Artigo de periodico

    Organic Dielectric Films for Flexible Transistors as Gas Sensors (2020)

    García, Dennis Cabrera; Eirez Izquierdo, José Enrique ; Cavallari, Marco Roberto ; Quivy, Alain André; Fonseca, Fernando Josepetti

    Source: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidades: IF, EP

    Subjects: ÓPTICA ELETRÔNICA, TRANSISTORES, POLÍMEROS (MATERIAIS), FILMES FINOS, CAPACITORES, DIELÉTRICOS, SEMICONDUTORES

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      GARCÍA, Dennis Cabrera et al. Organic Dielectric Films for Flexible Transistors as Gas Sensors. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 15, n. 2, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v15i2.170. Acesso em: 09 set. 2024.

    • APA

      García, D. C., Eirez Izquierdo, J. E., Cavallari, M. R., Quivy, A. A., & Fonseca, F. J. (2020). Organic Dielectric Films for Flexible Transistors as Gas Sensors. Journal of Integrated Circuits and Systems, 15( 2). doi:10.29292/jics.v15i2.170

    • NLM

      García DC, Eirez Izquierdo JE, Cavallari MR, Quivy AA, Fonseca FJ. Organic Dielectric Films for Flexible Transistors as Gas Sensors [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2020 ; 15( 2):[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v15i2.170

    • Vancouver

      García DC, Eirez Izquierdo JE, Cavallari MR, Quivy AA, Fonseca FJ. Organic Dielectric Films for Flexible Transistors as Gas Sensors [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2020 ; 15( 2):[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v15i2.170

  • Artigo de periodico

    Development of high-current power supplies for the TCABR tokamak (2020)

    Santos, A. O.; Komatsu, Wilson ; Canal, Gustavo Paganini ; Severo, Jose Helder F. ; Sá, W. P. de; Kassab Junior, Fuad ; Ferreira, J. G.; Andrade, M. C. R. de; Piqueira, José Roberto Castilho ; Nascimento, Ivan Cunha ; Galvão, R. M. O.

    Source: Fusion Engineering and Design. Unidades: EP, IF

    Subjects: FÍSICA DE PLASMAS, FUSÃO NUCLEAR, TOKAMAKS, ELETRÔNICA DE POTÊNCIA, TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, BOBINAS ELÉTRICAS, PLASMA (MICROELETRÔNICA)

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SANTOS, A. O. et al. Development of high-current power supplies for the TCABR tokamak. Fusion Engineering and Design, v. 159, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.fusengdes.2020.111698. Acesso em: 09 set. 2024.

    • APA

      Santos, A. O., Komatsu, W., Canal, G. P., Severo, J. H. F., Sá, W. P. de, Kassab Junior, F., et al. (2020). Development of high-current power supplies for the TCABR tokamak. Fusion Engineering and Design, 159. doi:10.1016/j.fusengdes.2020.111698

    • NLM

      Santos AO, Komatsu W, Canal GP, Severo JHF, Sá WP de, Kassab Junior F, Ferreira JG, Andrade MCR de, Piqueira JRC, Nascimento IC, Galvão RMO. Development of high-current power supplies for the TCABR tokamak [Internet]. Fusion Engineering and Design. 2020 ; 159[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.fusengdes.2020.111698

    • Vancouver

      Santos AO, Komatsu W, Canal GP, Severo JHF, Sá WP de, Kassab Junior F, Ferreira JG, Andrade MCR de, Piqueira JRC, Nascimento IC, Galvão RMO. Development of high-current power supplies for the TCABR tokamak [Internet]. Fusion Engineering and Design. 2020 ; 159[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.fusengdes.2020.111698

  • Artigo de periodico

    Study of indium nitride and indium oxynitride band gaps (2013)

    Sparvoli, Marina; Mansano, Ronaldo Domingues ; Chubaci, José Fernando Diniz

    Source: MATERIALS RESEARCH-IBERO-AMERICAN JOURNAL OF MATERIALS. Unidades: EP, IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA

    Versão PublicadaAcesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SPARVOLI, Marina e MANSANO, Ronaldo Domingues e CHUBACI, José Fernando Diniz. Study of indium nitride and indium oxynitride band gaps. MATERIALS RESEARCH-IBERO-AMERICAN JOURNAL OF MATERIALS, v. 16, n. 4, p. 850-852, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/S1516-14392013005000063. Acesso em: 09 set. 2024.

    • APA

      Sparvoli, M., Mansano, R. D., & Chubaci, J. F. D. (2013). Study of indium nitride and indium oxynitride band gaps. MATERIALS RESEARCH-IBERO-AMERICAN JOURNAL OF MATERIALS, 16( 4), 850-852. doi:10.1590/S1516-14392013005000063

    • NLM

      Sparvoli M, Mansano RD, Chubaci JFD. Study of indium nitride and indium oxynitride band gaps [Internet]. MATERIALS RESEARCH-IBERO-AMERICAN JOURNAL OF MATERIALS. 2013 ; 16( 4): 850-852.[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1590/S1516-14392013005000063

    • Vancouver

      Sparvoli M, Mansano RD, Chubaci JFD. Study of indium nitride and indium oxynitride band gaps [Internet]. MATERIALS RESEARCH-IBERO-AMERICAN JOURNAL OF MATERIALS. 2013 ; 16( 4): 850-852.[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1590/S1516-14392013005000063

  • Artigo de periodico

    Lanthanide impurities in wide bandgap semiconductors: a possible roadmap for spintronic devices (2013)

    Caroena, G; Machado, Wanda Valle Marcondes; Assali, L. V. C. ; Justo Filho, João Francisco

    Source: Applied Physics Letters. Unidades: EP, IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, SPINTRÔNICA

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      CAROENA, G et al. Lanthanide impurities in wide bandgap semiconductors: a possible roadmap for spintronic devices. Applied Physics Letters, v. 102, n. 6, p. 062101, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4791787. Acesso em: 09 set. 2024.

    • APA

      Caroena, G., Machado, W. V. M., Assali, L. V. C., & Justo Filho, J. F. (2013). Lanthanide impurities in wide bandgap semiconductors: a possible roadmap for spintronic devices. Applied Physics Letters, 102( 6), 062101. doi:10.1063/1.4791787

    • NLM

      Caroena G, Machado WVM, Assali LVC, Justo Filho JF. Lanthanide impurities in wide bandgap semiconductors: a possible roadmap for spintronic devices [Internet]. Applied Physics Letters. 2013 ; 102( 6): 062101.[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4791787

    • Vancouver

      Caroena G, Machado WVM, Assali LVC, Justo Filho JF. Lanthanide impurities in wide bandgap semiconductors: a possible roadmap for spintronic devices [Internet]. Applied Physics Letters. 2013 ; 102( 6): 062101.[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4791787

  • Artigo de periodico

    Hydrogen influence on the electrical properties of sputtered 'IN''N' thin films (2013)

    Sparvoli, Marina ; Mansano, Ronaldo Domingues ; Chubaci, José Fernando Diniz

    Source: PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE. Unidades: EP, IF

    Assunto: SEMICONDUTORES

    Versão PublicadaAcesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SPARVOLI, Marina e MANSANO, Ronaldo Domingues e CHUBACI, José Fernando Diniz. Hydrogen influence on the electrical properties of sputtered 'IN''N' thin films. PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, v. 210, n. 8, p. 1606-1611, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/pssa.201228477. Acesso em: 09 set. 2024.

    • APA

      Sparvoli, M., Mansano, R. D., & Chubaci, J. F. D. (2013). Hydrogen influence on the electrical properties of sputtered 'IN''N' thin films. PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 210( 8), 1606-1611. doi:10.1002/pssa.201228477

    • NLM

      Sparvoli M, Mansano RD, Chubaci JFD. Hydrogen influence on the electrical properties of sputtered 'IN''N' thin films [Internet]. PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE. 2013 ; 210( 8): 1606-1611.[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1002/pssa.201228477

    • Vancouver

      Sparvoli M, Mansano RD, Chubaci JFD. Hydrogen influence on the electrical properties of sputtered 'IN''N' thin films [Internet]. PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE. 2013 ; 210( 8): 1606-1611.[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1002/pssa.201228477

  • Trabalho de evento-resumo

    Electronic and magnetic properties of rare-earth impurities in ZnO and GaN (2013)

    Caroena, Glaura; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco ; Assali, L. V. C.

    Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidades: IF, EP

    Subjects: SEMICONDUTORES, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      CAROENA, Glaura et al. Electronic and magnetic properties of rare-earth impurities in ZnO and GaN. 2013, Anais.. São Carlos: UFSCar, 2013. Disponível em: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=175. Acesso em: 09 set. 2024.

    • APA

      Caroena, G., Machado, W. V. M., Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (2013). Electronic and magnetic properties of rare-earth impurities in ZnO and GaN. In . São Carlos: UFSCar. Recuperado de http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=175

    • NLM

      Caroena G, Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. Electronic and magnetic properties of rare-earth impurities in ZnO and GaN [Internet]. 2013 ;[citado 2024 set. 09 ] Available from: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=175

    • Vancouver

      Caroena G, Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. Electronic and magnetic properties of rare-earth impurities in ZnO and GaN [Internet]. 2013 ;[citado 2024 set. 09 ] Available from: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=175

  • Trabalho de evento-resumo

    Rare-earth impurities in gallium nitride: the role of the Hubbard potential (2012)

    Caroena, Glaura; Machado, Wanda Valle Marcondes; Assali, L. V. C. ; Justo Filho, João Francisco

    Source: Resumo. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidades: IF, EP

    Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      CAROENA, Glaura et al. Rare-earth impurities in gallium nitride: the role of the Hubbard potential. 2012, Anais.. Águas de Lindóia: SBF, 2012. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0794-1.pdf. Acesso em: 09 set. 2024.

    • APA

      Caroena, G., Machado, W. V. M., Assali, L. V. C., & Justo Filho, J. F. (2012). Rare-earth impurities in gallium nitride: the role of the Hubbard potential. In Resumo. Águas de Lindóia: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0794-1.pdf

    • NLM

      Caroena G, Machado WVM, Assali LVC, Justo Filho JF. Rare-earth impurities in gallium nitride: the role of the Hubbard potential [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2024 set. 09 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0794-1.pdf

    • Vancouver

      Caroena G, Machado WVM, Assali LVC, Justo Filho JF. Rare-earth impurities in gallium nitride: the role of the Hubbard potential [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2024 set. 09 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0794-1.pdf

  • Artigo de periodico

    Rare-earth impurities in gallium nitride: the role of the Hubbard potential (2012)

    Caroena, Glaura; Machado, Wanda Valle Marcondes; Assali, L. V. C. ; Justo Filho, João Francisco

    Source: Diamond and Related Materials. Unidades: IF, EP

    Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, SEMICONDUTORES, TERRAS RARAS

    Versão PublicadaAcesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      CAROENA, Glaura et al. Rare-earth impurities in gallium nitride: the role of the Hubbard potential. Diamond and Related Materials, v. 27-28, p. 64-67, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2012.06.001. Acesso em: 09 set. 2024.

    • APA

      Caroena, G., Machado, W. V. M., Assali, L. V. C., & Justo Filho, J. F. (2012). Rare-earth impurities in gallium nitride: the role of the Hubbard potential. Diamond and Related Materials, 27-28, 64-67. doi:10.1016/j.diamond.2012.06.001

    • NLM

      Caroena G, Machado WVM, Assali LVC, Justo Filho JF. Rare-earth impurities in gallium nitride: the role of the Hubbard potential [Internet]. Diamond and Related Materials. 2012 ; 27-28 64-67.[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2012.06.001

    • Vancouver

      Caroena G, Machado WVM, Assali LVC, Justo Filho JF. Rare-earth impurities in gallium nitride: the role of the Hubbard potential [Internet]. Diamond and Related Materials. 2012 ; 27-28 64-67.[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2012.06.001

  • Artigo de periodico

    Optical and electrical properties of sputtered 'IN''N''O' thin films (2012)

    Sparvoli, Marina ; Mansano, Ronaldo Domingues ; Zambom, Luís da Silva ; Chubaci, José Fernando Diniz

    Source: Physica status solidi, C, current topics in solid state physics. Unidades: IF, EP

    Assunto: SEMICONDUTORES

    Versão PublicadaAcesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SPARVOLI, Marina et al. Optical and electrical properties of sputtered 'IN''N''O' thin films. Physica status solidi, C, current topics in solid state physics, v. fe2012, n. 6, p. 1384-1387, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/pssc.201100518. Acesso em: 09 set. 2024.

    • APA

      Sparvoli, M., Mansano, R. D., Zambom, L. da S., & Chubaci, J. F. D. (2012). Optical and electrical properties of sputtered 'IN''N''O' thin films. Physica status solidi, C, current topics in solid state physics, fe2012( 6), 1384-1387. doi:10.1002/pssc.201100518

    • NLM

      Sparvoli M, Mansano RD, Zambom L da S, Chubaci JFD. Optical and electrical properties of sputtered 'IN''N''O' thin films [Internet]. Physica status solidi, C, current topics in solid state physics. 2012 ; fe2012( 6): 1384-1387.[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1002/pssc.201100518

    • Vancouver

      Sparvoli M, Mansano RD, Zambom L da S, Chubaci JFD. Optical and electrical properties of sputtered 'IN''N''O' thin films [Internet]. Physica status solidi, C, current topics in solid state physics. 2012 ; fe2012( 6): 1384-1387.[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1002/pssc.201100518

  • Artigo de periodico

    Characterization of InN thin films grown by IBAD method (2010)

    Sparvoli, Marina; Chubaci, José Fernando Diniz ; Mansano, Ronaldo Domingues

    Source: Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. Unidades: EP, IF

    Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SPARVOLI, Marina e CHUBACI, José Fernando Diniz e MANSANO, Ronaldo Domingues. Characterization of InN thin films grown by IBAD method. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, v. 31, n. 1, p. 165-170, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1149/1.3474155. Acesso em: 09 set. 2024.

    • APA

      Sparvoli, M., Chubaci, J. F. D., & Mansano, R. D. (2010). Characterization of InN thin films grown by IBAD method. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, 31( 1), 165-170. doi:10.1149/1.3474155

    • NLM

      Sparvoli M, Chubaci JFD, Mansano RD. Characterization of InN thin films grown by IBAD method [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 165-170.[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474155

    • Vancouver

      Sparvoli M, Chubaci JFD, Mansano RD. Characterization of InN thin films grown by IBAD method [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 165-170.[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474155

  • Artigo de periodico

    Electronic properties and hyperfine fields of nickel-related complexes in diamond (2009)

    Larico, R; Justo Filho, João Francisco ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Assali, L. V. C.

    Source: Physical Review B. Unidades: EP, IF

    Assunto: SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      LARICO, R et al. Electronic properties and hyperfine fields of nickel-related complexes in diamond. Physical Review B, v. 79, n. 11, p. 115202-1/115202-11, 2009Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.79.115202. Acesso em: 09 set. 2024.

    • APA

      Larico, R., Justo Filho, J. F., Machado, W. V. M., & Assali, L. V. C. (2009). Electronic properties and hyperfine fields of nickel-related complexes in diamond. Physical Review B, 79( 11), 115202-1/115202-11. doi:10.1103/physrevb.79.115202

    • NLM

      Larico R, Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Electronic properties and hyperfine fields of nickel-related complexes in diamond [Internet]. Physical Review B. 2009 ; 79( 11): 115202-1/115202-11.[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.79.115202

    • Vancouver

      Larico R, Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Electronic properties and hyperfine fields of nickel-related complexes in diamond [Internet]. Physical Review B. 2009 ; 79( 11): 115202-1/115202-11.[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.79.115202

  • Trabalho de evento-anais periodico

    Trends on 3d transition metal impurities in diamond (2009)

    Assali, L. V. C. ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco

    Source: Physica B: Condensed Matter. Conference titles: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidades: IF, EP

    Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      ASSALI, L. V. C. e MACHADO, Wanda Valle Marcondes e JUSTO FILHO, João Francisco. Trends on 3d transition metal impurities in diamond. Physica B: Condensed Matter. Amsterdam: Elsevier Science. Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physb.2009.08.109. Acesso em: 09 set. 2024. , 2009

    • APA

      Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2009). Trends on 3d transition metal impurities in diamond. Physica B: Condensed Matter. Amsterdam: Elsevier Science. doi:10.1016/j.physb.2009.08.109

    • NLM

      Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Trends on 3d transition metal impurities in diamond [Internet]. Physica B: Condensed Matter. 2009 ; 404( 23-24): 4515-4517.[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2009.08.109

    • Vancouver

      Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Trends on 3d transition metal impurities in diamond [Internet]. Physica B: Condensed Matter. 2009 ; 404( 23-24): 4515-4517.[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2009.08.109

  • Artigo de periodico

    Cobalt-related impurity centers in diamond: electronic properties and hyperfine parameters (2008)

    Larico Mamani, Rolando; Assali, L. V. C. ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco

    Source: Journal of Physics-Condensed Matter. Unidades: IF, EP

    Assunto: SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      LARICO MAMANI, Rolando et al. Cobalt-related impurity centers in diamond: electronic properties and hyperfine parameters. Journal of Physics-Condensed Matter, v. 20, n. 41, p. 415220/1-415220/7, 2008Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0953-8984/20/41/415220. Acesso em: 09 set. 2024.

    • APA

      Larico Mamani, R., Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2008). Cobalt-related impurity centers in diamond: electronic properties and hyperfine parameters. Journal of Physics-Condensed Matter, 20( 41), 415220/1-415220/7. doi:10.1088/0953-8984/20/41/415220

    • NLM

      Larico Mamani R, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Cobalt-related impurity centers in diamond: electronic properties and hyperfine parameters [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2008 ; 20( 41): 415220/1-415220/7.[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/20/41/415220

    • Vancouver

      Larico Mamani R, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Cobalt-related impurity centers in diamond: electronic properties and hyperfine parameters [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2008 ; 20( 41): 415220/1-415220/7.[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/20/41/415220

  • Artigo de periodico

    Energetics of silicon nanowires: a molecular dynamics investigation (2007)

    Menezes, R D; Justo Filho, João Francisco ; Assali, L. V. C.

    Source: Physica Status Solidi A - Applications and Materials Science. Unidades: EP, IF

    Assunto: SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      MENEZES, R D e JUSTO FILHO, João Francisco e ASSALI, L. V. C. Energetics of silicon nanowires: a molecular dynamics investigation. Physica Status Solidi A - Applications and Materials Science, v. 204, n. 4, p. 951-955, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/pssa.200675204. Acesso em: 09 set. 2024.

    • APA

      Menezes, R. D., Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (2007). Energetics of silicon nanowires: a molecular dynamics investigation. Physica Status Solidi A - Applications and Materials Science, 204( 4), 951-955. doi:10.1002/pssa.200675204

    • NLM

      Menezes RD, Justo Filho JF, Assali LVC. Energetics of silicon nanowires: a molecular dynamics investigation [Internet]. Physica Status Solidi A - Applications and Materials Science. 2007 ; 204( 4): 951-955.[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1002/pssa.200675204

    • Vancouver

      Menezes RD, Justo Filho JF, Assali LVC. Energetics of silicon nanowires: a molecular dynamics investigation [Internet]. Physica Status Solidi A - Applications and Materials Science. 2007 ; 204( 4): 951-955.[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1002/pssa.200675204

  • Artigo de periodico

    Electronic and magnetic properties of Mn and Fe impurities in III-nitride semiconductors (2007)

    Justo Filho, João Francisco ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Assali, L. V. C.

    Source: Diamond and Related Materials. Unidades: EP, IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, ÓPTICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      JUSTO FILHO, João Francisco e MACHADO, Wanda Valle Marcondes e ASSALI, L. V. C. Electronic and magnetic properties of Mn and Fe impurities in III-nitride semiconductors. Diamond and Related Materials, v. 16, n. 4-7, p. 1429-1432, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2006.10.005. Acesso em: 09 set. 2024.

    • APA

      Justo Filho, J. F., Machado, W. V. M., & Assali, L. V. C. (2007). Electronic and magnetic properties of Mn and Fe impurities in III-nitride semiconductors. Diamond and Related Materials, 16( 4-7), 1429-1432. doi:10.1016/j.diamond.2006.10.005

    • NLM

      Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Electronic and magnetic properties of Mn and Fe impurities in III-nitride semiconductors [Internet]. Diamond and Related Materials. 2007 ; 16( 4-7): 1429-1432.[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2006.10.005

    • Vancouver

      Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Electronic and magnetic properties of Mn and Fe impurities in III-nitride semiconductors [Internet]. Diamond and Related Materials. 2007 ; 16( 4-7): 1429-1432.[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2006.10.005

  • Artigo de periodico

    Cobalt in diamond: an ab initio investigation (2007)

    Assali, L. V. C. ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Larico, R; Justo Filho, João Francisco

    Source: Diamond and Related Materials. Unidades: IF, EP

    Subjects: SEMICONDUTORES, ÓPTICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      ASSALI, L. V. C. et al. Cobalt in diamond: an ab initio investigation. Diamond and Related Materials, v. 16, n. 4-7, p. 819-822, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2006.09.014. Acesso em: 09 set. 2024.

    • APA

      Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., Larico, R., & Justo Filho, J. F. (2007). Cobalt in diamond: an ab initio investigation. Diamond and Related Materials, 16( 4-7), 819-822. doi:10.1016/j.diamond.2006.09.014

    • NLM

      Assali LVC, Machado WVM, Larico R, Justo Filho JF. Cobalt in diamond: an ab initio investigation [Internet]. Diamond and Related Materials. 2007 ; 16( 4-7): 819-822.[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2006.09.014

    • Vancouver

      Assali LVC, Machado WVM, Larico R, Justo Filho JF. Cobalt in diamond: an ab initio investigation [Internet]. Diamond and Related Materials. 2007 ; 16( 4-7): 819-822.[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2006.09.014

  • Trabalho de evento-anais periodico

    Optical properties and carrier effective masses of Rutile 'SnO IND.2' as obtained from full relativistic ab initio calculations (2007)

    Lino, A T; Borges, P D; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Rodrigues, S C P; Silva Junior, E F da

    Source: AIP Conference Proceedings. Conference titles: 28th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS 2006. Unidades: IF, EP

    Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      LINO, A T et al. Optical properties and carrier effective masses of Rutile 'SnO IND.2' as obtained from full relativistic ab initio calculations. AIP Conference Proceedings. New York: The Institute. Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001000259000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 09 set. 2024. , 2007

    • APA

      Lino, A. T., Borges, P. D., Scolfaro, L. M. R., Rodrigues, S. C. P., & Silva Junior, E. F. da. (2007). Optical properties and carrier effective masses of Rutile 'SnO IND.2' as obtained from full relativistic ab initio calculations. AIP Conference Proceedings. New York: The Institute. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001000259000001&idtype=cvips&prog=normal

    • NLM

      Lino AT, Borges PD, Scolfaro LMR, Rodrigues SCP, Silva Junior EF da. Optical properties and carrier effective masses of Rutile 'SnO IND.2' as obtained from full relativistic ab initio calculations [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893 529-530.[citado 2024 set. 09 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001000259000001&idtype=cvips&prog=normal

    • Vancouver

      Lino AT, Borges PD, Scolfaro LMR, Rodrigues SCP, Silva Junior EF da. Optical properties and carrier effective masses of Rutile 'SnO IND.2' as obtained from full relativistic ab initio calculations [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893 529-530.[citado 2024 set. 09 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001000259000001&idtype=cvips&prog=normal

  • Artigo de periodico

    Manganese impurities in boron nitride (2006)

    Assali, L. V. C. ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco

    Source: Applied Physics Lettes. Unidades: IF, EP

    Assunto: SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      ASSALI, L. V. C. e MACHADO, Wanda Valle Marcondes e JUSTO FILHO, João Francisco. Manganese impurities in boron nitride. Applied Physics Lettes, v. 89, n. 7, p. 07201/1-072102/3, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2266930. Acesso em: 09 set. 2024.

    • APA

      Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2006). Manganese impurities in boron nitride. Applied Physics Lettes, 89( 7), 07201/1-072102/3. doi:10.1063/1.2266930

    • NLM

      Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Manganese impurities in boron nitride [Internet]. Applied Physics Lettes. 2006 ; 89( 7): 07201/1-072102/3.[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2266930

    • Vancouver

      Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Manganese impurities in boron nitride [Internet]. Applied Physics Lettes. 2006 ; 89( 7): 07201/1-072102/3.[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2266930

  • Trabalho de evento

    Carbon ion implantation on SOI-SIMOX for SICOI structures information (2005)

    Forhan, Neisy Amparo Escobar; Zawislak, Fernando Claudio; Fantini, Marcia ; Pereyra, Inés

    Conference titles: Congresso Brasileiro de Carbono. Unidades: IF, EP

    Subjects: CARBONO, ÍONS, SEMICONDUTORES

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      FORHAN, Neisy Amparo Escobar et al. Carbon ion implantation on SOI-SIMOX for SICOI structures information. 2005, Anais.. Rio de Janeiro: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2005. . Acesso em: 09 set. 2024.

    • APA

      Forhan, N. A. E., Zawislak, F. C., Fantini, M., & Pereyra, I. (2005). Carbon ion implantation on SOI-SIMOX for SICOI structures information. In . Rio de Janeiro: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.

    • NLM

      Forhan NAE, Zawislak FC, Fantini M, Pereyra I. Carbon ion implantation on SOI-SIMOX for SICOI structures information. 2005 ;[citado 2024 set. 09 ]

    • Vancouver

      Forhan NAE, Zawislak FC, Fantini M, Pereyra I. Carbon ion implantation on SOI-SIMOX for SICOI structures information. 2005 ;[citado 2024 set. 09 ]

1 - 20 (50 records)

Digital Library of Intellectual Production of Universidade de São Paulo     2012 - 2024