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  • Trabalho de evento-resumo

    Exploring unipolar inverters based on organic electrochemical transistors (2024)

    Luginieski, Marcos ; Torres, Bruno Bassi Millan ; Faria, Gregório Couto

    Source: Program. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidade: IFSC

    Subjects: ELETROQUÍMICA, TRANSISTORES, POLÍMEROS (MATERIAIS)

    PrivadoAcesso à fonteHow to cite
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    • ABNT

      LUGINIESKI, Marcos e TORRES, Bruno Bassi Millan e FARIA, Gregório Couto. Exploring unipolar inverters based on organic electrochemical transistors. 2024, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2024. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2024/sys/resumos/R0236-1.pdf. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Luginieski, M., Torres, B. B. M., & Faria, G. C. (2024). Exploring unipolar inverters based on organic electrochemical transistors. In Program. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2024/sys/resumos/R0236-1.pdf

    • NLM

      Luginieski M, Torres BBM, Faria GC. Exploring unipolar inverters based on organic electrochemical transistors [Internet]. Program. 2024 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2024/sys/resumos/R0236-1.pdf

    • Vancouver

      Luginieski M, Torres BBM, Faria GC. Exploring unipolar inverters based on organic electrochemical transistors [Internet]. Program. 2024 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2024/sys/resumos/R0236-1.pdf

  • Tese (Doutorado)

    Modelagem compacta para transistores MOS: nanofios sem junções e canais bidimensionais (2024)

    Souza, Adelcio Marques de; Romero, Murilo Araujo (Orientador)

    Unidade: EESC

    Subjects: NANOELETRÔNICA, NANOTECNOLOGIA, TRANSISTORES, ENGENHARIA ELÉTRICA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      SOUZA, Adelcio Marques de. Modelagem compacta para transistores MOS: nanofios sem junções e canais bidimensionais. 2024. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2024. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18155/tde-08042024-113044/. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Souza, A. M. de. (2024). Modelagem compacta para transistores MOS: nanofios sem junções e canais bidimensionais (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18155/tde-08042024-113044/

    • NLM

      Souza AM de. Modelagem compacta para transistores MOS: nanofios sem junções e canais bidimensionais [Internet]. 2024 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18155/tde-08042024-113044/

    • Vancouver

      Souza AM de. Modelagem compacta para transistores MOS: nanofios sem junções e canais bidimensionais [Internet]. 2024 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18155/tde-08042024-113044/

  • Tese (Doutorado)

    Modelo eletroquímico termodinâmico (e-OECT) para transistores orgânicos eletroquímicos (2024)

    Feitosa, Bianca de Andrade ; Faria, Gregório Couto (Orientador)

    Unidade: EESC

    Subjects: POLÍMEROS (MATERIAIS), TRANSISTORES, ELETROQUÍMICA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      FEITOSA, Bianca de Andrade. Modelo eletroquímico termodinâmico (e-OECT) para transistores orgânicos eletroquímicos. 2024. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2024. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-29042024-141636/. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Feitosa, B. de A. (2024). Modelo eletroquímico termodinâmico (e-OECT) para transistores orgânicos eletroquímicos (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-29042024-141636/

    • NLM

      Feitosa B de A. Modelo eletroquímico termodinâmico (e-OECT) para transistores orgânicos eletroquímicos [Internet]. 2024 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-29042024-141636/

    • Vancouver

      Feitosa B de A. Modelo eletroquímico termodinâmico (e-OECT) para transistores orgânicos eletroquímicos [Internet]. 2024 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-29042024-141636/

  • Artigo de periodico

    Guidelines on measuring volumetric capacitance in organic electrochemical transistors (2024)

    Luginieski, Marcos ; Torres, Bruno Bassi Millan ; Faria, Gregório Couto

    Source: ACS Applied Electronic Materials. Unidade: IFSC

    Subjects: ELETROQUÍMICA, TRANSISTORES, POLÍMEROS (MATERIAIS)

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      LUGINIESKI, Marcos e TORRES, Bruno Bassi Millan e FARIA, Gregório Couto. Guidelines on measuring volumetric capacitance in organic electrochemical transistors. ACS Applied Electronic Materials, v. 6, n. 4, p. 2225-2231 + supporting information: S1-S10, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1021/acsaelm.3c01673. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Luginieski, M., Torres, B. B. M., & Faria, G. C. (2024). Guidelines on measuring volumetric capacitance in organic electrochemical transistors. ACS Applied Electronic Materials, 6( 4), 2225-2231 + supporting information: S1-S10. doi:10.1021/acsaelm.3c01673

    • NLM

      Luginieski M, Torres BBM, Faria GC. Guidelines on measuring volumetric capacitance in organic electrochemical transistors [Internet]. ACS Applied Electronic Materials. 2024 ; 6( 4): 2225-2231 + supporting information: S1-S10.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1021/acsaelm.3c01673

    • Vancouver

      Luginieski M, Torres BBM, Faria GC. Guidelines on measuring volumetric capacitance in organic electrochemical transistors [Internet]. ACS Applied Electronic Materials. 2024 ; 6( 4): 2225-2231 + supporting information: S1-S10.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1021/acsaelm.3c01673

  • Artigo de periodico

    Experimental study of MISHEMT from 450 K down to 200 K for analog applications (2023)

    Perina, Welder Fernandes; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Peralagu, Uthayasankaran; Collaert, Nadine ; Agopian, Paula Ghedini Der

    Source: Solid State Electronics. Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, CIRCUITOS ANALÓGICOS, SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      PERINA, Welder Fernandes et al. Experimental study of MISHEMT from 450 K down to 200 K for analog applications. Solid State Electronics, v. 208, p. 1-4, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108742. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Perina, W. F., Martino, J. A., Simoen, E., Peralagu, U., Collaert, N., & Agopian, P. G. D. (2023). Experimental study of MISHEMT from 450 K down to 200 K for analog applications. Solid State Electronics, 208, 1-4. doi:10.1016/j.sse.2023.108742

    • NLM

      Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. Experimental study of MISHEMT from 450 K down to 200 K for analog applications [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ; 208 1-4.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108742

    • Vancouver

      Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. Experimental study of MISHEMT from 450 K down to 200 K for analog applications [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ; 208 1-4.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108742

  • Artigo de periodico

    ISFET fabrication and characterization for hydrogen peroxide sensing (2023)

    Duarte, Pedro Henrique; Rangel, Ricardo Cardoso; Ramos, Daniel Augusto; Yojo, Leonardo Shimizu; Mori, Carlos Augusto Bergfeld; Sasaki, Katia Regina Akemi; Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio

    Source: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, SOLUÇÕES

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      DUARTE, Pedro Henrique et al. ISFET fabrication and characterization for hydrogen peroxide sensing. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 18, n. 1, p. 1-4, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v18i1.646. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Duarte, P. H., Rangel, R. C., Ramos, D. A., Yojo, L. S., Mori, C. A. B., Sasaki, K. R. A., et al. (2023). ISFET fabrication and characterization for hydrogen peroxide sensing. Journal of Integrated Circuits and Systems, 18( 1), 1-4. doi:10.29292/jics.v18i1.646

    • NLM

      Duarte PH, Rangel RC, Ramos DA, Yojo LS, Mori CAB, Sasaki KRA, Agopian PGD, Martino JA. ISFET fabrication and characterization for hydrogen peroxide sensing [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2023 ; 18( 1): 1-4.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v18i1.646

    • Vancouver

      Duarte PH, Rangel RC, Ramos DA, Yojo LS, Mori CAB, Sasaki KRA, Agopian PGD, Martino JA. ISFET fabrication and characterization for hydrogen peroxide sensing [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2023 ; 18( 1): 1-4.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v18i1.646

  • Trabalho de evento-resumo

    High on/off ratio on PEDOT:PSS-based OECT (2023)

    Torres, Bruno Bassi Millan ; Luginieski, Marcos ; Faria, Gregório Couto

    Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC

    Subjects: ELETROQUÍMICA ORGÂNICA, TRANSISTORES

    Versão PublicadaHow to cite
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    • ABNT

      TORRES, Bruno Bassi Millan e LUGINIESKI, Marcos e FARIA, Gregório Couto. High on/off ratio on PEDOT:PSS-based OECT. 2023, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2023. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/e6297fc3-0f7a-4c07-8bd7-ba561d9bbe17/3180288.pdf. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Torres, B. B. M., Luginieski, M., & Faria, G. C. (2023). High on/off ratio on PEDOT:PSS-based OECT. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/e6297fc3-0f7a-4c07-8bd7-ba561d9bbe17/3180288.pdf

    • NLM

      Torres BBM, Luginieski M, Faria GC. High on/off ratio on PEDOT:PSS-based OECT [Internet]. Livro de Resumos. 2023 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/e6297fc3-0f7a-4c07-8bd7-ba561d9bbe17/3180288.pdf

    • Vancouver

      Torres BBM, Luginieski M, Faria GC. High on/off ratio on PEDOT:PSS-based OECT [Internet]. Livro de Resumos. 2023 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/e6297fc3-0f7a-4c07-8bd7-ba561d9bbe17/3180288.pdf

  • Artigo de periodico

    Cu-modified electrolyte-gated transistors based on reduced graphene oxide (2023)

    Ferreira, Rafael Cintra Hensel ; Comisso, Nicola ; Musiani, Marco ; Sedona, Francesco ; Sambi, Mauro ; Cester, Andrea ; Lago, Nicolò ; Casalini, Stefano

    Source: Journal of Materials Chemistry C. Unidade: IFSC

    Subjects: COBRE, TRANSISTORES, ELETRÔNICA

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      FERREIRA, Rafael Cintra Hensel et al. Cu-modified electrolyte-gated transistors based on reduced graphene oxide. Journal of Materials Chemistry C, v. 11, n. 26, p. 8876-8884 + supplementary information, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1039/d3tc00596h. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Ferreira, R. C. H., Comisso, N., Musiani, M., Sedona, F., Sambi, M., Cester, A., et al. (2023). Cu-modified electrolyte-gated transistors based on reduced graphene oxide. Journal of Materials Chemistry C, 11( 26), 8876-8884 + supplementary information. doi:10.1039/d3tc00596h

    • NLM

      Ferreira RCH, Comisso N, Musiani M, Sedona F, Sambi M, Cester A, Lago N, Casalini S. Cu-modified electrolyte-gated transistors based on reduced graphene oxide [Internet]. Journal of Materials Chemistry C. 2023 ; 11( 26): 8876-8884 + supplementary information.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1039/d3tc00596h

    • Vancouver

      Ferreira RCH, Comisso N, Musiani M, Sedona F, Sambi M, Cester A, Lago N, Casalini S. Cu-modified electrolyte-gated transistors based on reduced graphene oxide [Internet]. Journal of Materials Chemistry C. 2023 ; 11( 26): 8876-8884 + supplementary information.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1039/d3tc00596h

  • Dissertação (Mestrado)

    Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte (2023)

    Carvalho, Henrique Lanfredi; Martino, João Antonio (Orientador) ; Rangel, Ricardo Cardoso (coorient)

    Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, ALUMÍNIO

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      CARVALHO, Henrique Lanfredi. Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte. 2023. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2023. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22052023-112949/. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Carvalho, H. L. (2023). Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22052023-112949/

    • NLM

      Carvalho HL. Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte [Internet]. 2023 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22052023-112949/

    • Vancouver

      Carvalho HL. Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte [Internet]. 2023 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22052023-112949/

  • Trabalho de evento

    Influence of gate insulator and AlGaN barrier layer on MISHEMT conduction mechanisms (2023)

    Canales, Bruno Godoy; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der

    Source: SBMicro. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      CANALES, Bruno Godoy e MARTINO, João Antonio e AGOPIAN, Paula Ghedini Der. Influence of gate insulator and AlGaN barrier layer on MISHEMT conduction mechanisms. 2023, Anais.. [Piscataway]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302593. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Canales, B. G., Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2023). Influence of gate insulator and AlGaN barrier layer on MISHEMT conduction mechanisms. In SBMicro. [Piscataway]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302593

    • NLM

      Canales BG, Martino JA, Agopian PGD. Influence of gate insulator and AlGaN barrier layer on MISHEMT conduction mechanisms [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302593

    • Vancouver

      Canales BG, Martino JA, Agopian PGD. Influence of gate insulator and AlGaN barrier layer on MISHEMT conduction mechanisms [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302593

  • Trabalho de evento-resumo

    Understanding fundamental processes in organic electrochemical devices and biosensors: a thermodynamic approach (2023)

    Feitosa, Bianca de Andrade; Torres, Bruno Bassi Millan ; Coutinho, Douglas José ; Faria, Gregório Couto

    Source: Program. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidades: IFSC, EESC

    Subjects: ELETROQUÍMICA ORGÂNICA, POLÍMEROS (QUÍMICA ORGÂNICA), TRANSISTORES

    PrivadoAcesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      FEITOSA, Bianca de Andrade et al. Understanding fundamental processes in organic electrochemical devices and biosensors: a thermodynamic approach. 2023, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2023. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R0546-1.pdf. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Feitosa, B. de A., Torres, B. B. M., Coutinho, D. J., & Faria, G. C. (2023). Understanding fundamental processes in organic electrochemical devices and biosensors: a thermodynamic approach. In Program. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R0546-1.pdf

    • NLM

      Feitosa B de A, Torres BBM, Coutinho DJ, Faria GC. Understanding fundamental processes in organic electrochemical devices and biosensors: a thermodynamic approach [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R0546-1.pdf

    • Vancouver

      Feitosa B de A, Torres BBM, Coutinho DJ, Faria GC. Understanding fundamental processes in organic electrochemical devices and biosensors: a thermodynamic approach [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R0546-1.pdf

  • Trabalho de evento-resumo

    Changes observed on performance and parameters extracted from electrolyte-gated transistors dependent on gate voltage (2023)

    Seidel, Keli Fabiana; Lucas Junior, Hélio José; Patrzyk, Jéssica Nayara; Luginieski, Marcos ; Serbena, José Pedro Mansueto

    Source: Program. Conference titles: Brazil MRS Meeting. Unidade: IFSC

    Subjects: ELETROQUÍMICA, SEMICONDUTORES, TRANSISTORES, FÍSICA TEÓRICA

    PrivadoHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SEIDEL, Keli Fabiana et al. Changes observed on performance and parameters extracted from electrolyte-gated transistors dependent on gate voltage. 2023, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2023. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b77c2254-e966-45ed-9e08-13fdbefed36d/3159689.pdf. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Seidel, K. F., Lucas Junior, H. J., Patrzyk, J. N., Luginieski, M., & Serbena, J. P. M. (2023). Changes observed on performance and parameters extracted from electrolyte-gated transistors dependent on gate voltage. In Program. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/b77c2254-e966-45ed-9e08-13fdbefed36d/3159689.pdf

    • NLM

      Seidel KF, Lucas Junior HJ, Patrzyk JN, Luginieski M, Serbena JPM. Changes observed on performance and parameters extracted from electrolyte-gated transistors dependent on gate voltage [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b77c2254-e966-45ed-9e08-13fdbefed36d/3159689.pdf

    • Vancouver

      Seidel KF, Lucas Junior HJ, Patrzyk JN, Luginieski M, Serbena JPM. Changes observed on performance and parameters extracted from electrolyte-gated transistors dependent on gate voltage [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b77c2254-e966-45ed-9e08-13fdbefed36d/3159689.pdf

  • Trabalho de evento-resumo

    Unraveling fundamentals on organic electrochemical transistors through thermodynamics principles (2023)

    Feitosa, Bianca de Andrade; Torres, Bruno Bassi Millan ; Coutinho, Douglas José ; Faria, Gregório Couto

    Source: Program. Conference titles: Brazil MRS Meeting. Unidades: IFSC, EESC

    Subjects: TRANSISTORES, MATERIAIS ELETRÔNICOS, ELETROQUÍMICA ORGÂNICA, POLÍMEROS (QUÍMICA ORGÂNICA)

    PrivadoHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      FEITOSA, Bianca de Andrade et al. Unraveling fundamentals on organic electrochemical transistors through thermodynamics principles. 2023, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2023. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/7780681f-4543-4020-9bbc-b4a20e5afc15/3158862.pdf. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Feitosa, B. de A., Torres, B. B. M., Coutinho, D. J., & Faria, G. C. (2023). Unraveling fundamentals on organic electrochemical transistors through thermodynamics principles. In Program. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/7780681f-4543-4020-9bbc-b4a20e5afc15/3158862.pdf

    • NLM

      Feitosa B de A, Torres BBM, Coutinho DJ, Faria GC. Unraveling fundamentals on organic electrochemical transistors through thermodynamics principles [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/7780681f-4543-4020-9bbc-b4a20e5afc15/3158862.pdf

    • Vancouver

      Feitosa B de A, Torres BBM, Coutinho DJ, Faria GC. Unraveling fundamentals on organic electrochemical transistors through thermodynamics principles [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/7780681f-4543-4020-9bbc-b4a20e5afc15/3158862.pdf

  • Trabalho de evento-resumo

    Volumetric capacitance in organic electrochemical transistors: fundamentals and guidelines on how to correctly measure it experimentally (2023)

    Luginieski, Marcos ; Faria, Gregório Couto

    Source: Program. Conference titles: Brazil MRS Meeting. Unidade: IFSC

    Subjects: ELETROQUÍMICA, SEMICONDUTORES, TRANSISTORES, ESPECTROSCOPIA

    PrivadoHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      LUGINIESKI, Marcos e FARIA, Gregório Couto. Volumetric capacitance in organic electrochemical transistors: fundamentals and guidelines on how to correctly measure it experimentally. 2023, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2023. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/8b15d49d-0192-47b7-b986-527d7a33eebd/3158833.pdf. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Luginieski, M., & Faria, G. C. (2023). Volumetric capacitance in organic electrochemical transistors: fundamentals and guidelines on how to correctly measure it experimentally. In Program. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/8b15d49d-0192-47b7-b986-527d7a33eebd/3158833.pdf

    • NLM

      Luginieski M, Faria GC. Volumetric capacitance in organic electrochemical transistors: fundamentals and guidelines on how to correctly measure it experimentally [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/8b15d49d-0192-47b7-b986-527d7a33eebd/3158833.pdf

    • Vancouver

      Luginieski M, Faria GC. Volumetric capacitance in organic electrochemical transistors: fundamentals and guidelines on how to correctly measure it experimentally [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/8b15d49d-0192-47b7-b986-527d7a33eebd/3158833.pdf

  • Trabalho de evento-resumo

    Understanding fundamental processes in Organic Electrochemical Devices: a thermodynamic approach (2022)

    Torres, Bruno Bassi Millan ; Feitosa, Bianca de Andrade; Coutinho, Douglas José; Faria, Gregório Couto

    Source: Program. Conference titles: Brazil MRS Meeting. Unidades: IFSC, EESC

    Subjects: ELETROQUÍMICA ORGÂNICA, TRANSISTORES

    PrivadoHow to cite
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    • ABNT

      TORRES, Bruno Bassi Millan et al. Understanding fundamental processes in Organic Electrochemical Devices: a thermodynamic approach. 2022, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ffae00a7-2683-4acb-9e18-934ec134f49c/3098492.pdf. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Torres, B. B. M., Feitosa, B. de A., Coutinho, D. J., & Faria, G. C. (2022). Understanding fundamental processes in Organic Electrochemical Devices: a thermodynamic approach. In Program. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/ffae00a7-2683-4acb-9e18-934ec134f49c/3098492.pdf

    • NLM

      Torres BBM, Feitosa B de A, Coutinho DJ, Faria GC. Understanding fundamental processes in Organic Electrochemical Devices: a thermodynamic approach [Internet]. Program. 2022 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ffae00a7-2683-4acb-9e18-934ec134f49c/3098492.pdf

    • Vancouver

      Torres BBM, Feitosa B de A, Coutinho DJ, Faria GC. Understanding fundamental processes in Organic Electrochemical Devices: a thermodynamic approach [Internet]. Program. 2022 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ffae00a7-2683-4acb-9e18-934ec134f49c/3098492.pdf

  • Artigo de periodico

    Design of operational transconductance amplifier with gate-all-around nanosheet MOSFET using experimental data from room temperature to 200°C (2022)

    Sousa, Julia Cristina Soares; Perina, Welder F; Rangel, Roberto; Simoen, Eddy ; Veloso, Anabela; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der

    Source: Solid State Electronics. Unidade: EP

    Subjects: NANOTECNOLOGIA, CIRCUITOS ANALÓGICOS, TRANSISTORES

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      SOUSA, Julia Cristina Soares et al. Design of operational transconductance amplifier with gate-all-around nanosheet MOSFET using experimental data from room temperature to 200°C. Solid State Electronics, v. 189, p. 1-9, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108238. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Sousa, J. C. S., Perina, W. F., Rangel, R., Simoen, E., Veloso, A., Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2022). Design of operational transconductance amplifier with gate-all-around nanosheet MOSFET using experimental data from room temperature to 200°C. Solid State Electronics, 189, 1-9. doi:10.1016/j.sse.2022.108238

    • NLM

      Sousa JCS, Perina WF, Rangel R, Simoen E, Veloso A, Martino JA, Agopian PGD. Design of operational transconductance amplifier with gate-all-around nanosheet MOSFET using experimental data from room temperature to 200°C [Internet]. Solid State Electronics. 2022 ;189 1-9.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108238

    • Vancouver

      Sousa JCS, Perina WF, Rangel R, Simoen E, Veloso A, Martino JA, Agopian PGD. Design of operational transconductance amplifier with gate-all-around nanosheet MOSFET using experimental data from room temperature to 200°C [Internet]. Solid State Electronics. 2022 ;189 1-9.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108238

  • Tese (Doutorado)

    Otimização de transistores BESOI MOSFET como plataforma para aplicação em biossensores (2022)

    Yojo, Leonardo Shimizu; Martino, João Antonio (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, SENSORES BIOMÉDICOS, GLICOSE

    Acesso à fonteHow to cite
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    • ABNT

      YOJO, Leonardo Shimizu. Otimização de transistores BESOI MOSFET como plataforma para aplicação em biossensores. 2022. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-084216/. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Yojo, L. S. (2022). Otimização de transistores BESOI MOSFET como plataforma para aplicação em biossensores (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-084216/

    • NLM

      Yojo LS. Otimização de transistores BESOI MOSFET como plataforma para aplicação em biossensores [Internet]. 2022 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-084216/

    • Vancouver

      Yojo LS. Otimização de transistores BESOI MOSFET como plataforma para aplicação em biossensores [Internet]. 2022 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-084216/

  • Dissertação (Mestrado)

    Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET (2022)

    Zangaro, Henrique Araújo; Martino, João Antonio (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES

    Acesso à fonteHow to cite
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    • ABNT

      ZANGARO, Henrique Araújo. Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET. 2022. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-095406/. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Zangaro, H. A. (2022). Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-095406/

    • NLM

      Zangaro HA. Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET [Internet]. 2022 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-095406/

    • Vancouver

      Zangaro HA. Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET [Internet]. 2022 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-095406/

  • Tese (Doutorado)

    Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet (2022)

    Rangel, Ricardo Cardoso; Martino, João Antonio (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      RANGEL, Ricardo Cardoso. Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet. 2022. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Rangel, R. C. (2022). Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/

    • NLM

      Rangel RC. Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet [Internet]. 2022 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/

    • Vancouver

      Rangel RC. Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet [Internet]. 2022 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/

  • Trabalho de evento-resumo

    Inkjet-printed complementary inverters based on Organic Electrochemical Transistors (2022)

    Luginieski, Marcos ; Faria, Gregório Couto

    Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC

    Subjects: ELETROQUÍMICA, SEMICONDUTORES, TRANSISTORES, ESPECTROSCOPIA

    Versão PublicadaHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      LUGINIESKI, Marcos e FARIA, Gregório Couto. Inkjet-printed complementary inverters based on Organic Electrochemical Transistors. 2022, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/8998940b-3651-447e-a201-20b5fc185e1c/3120348.pdf. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Luginieski, M., & Faria, G. C. (2022). Inkjet-printed complementary inverters based on Organic Electrochemical Transistors. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/8998940b-3651-447e-a201-20b5fc185e1c/3120348.pdf

    • NLM

      Luginieski M, Faria GC. Inkjet-printed complementary inverters based on Organic Electrochemical Transistors [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/8998940b-3651-447e-a201-20b5fc185e1c/3120348.pdf

    • Vancouver

      Luginieski M, Faria GC. Inkjet-printed complementary inverters based on Organic Electrochemical Transistors [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/8998940b-3651-447e-a201-20b5fc185e1c/3120348.pdf

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