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Tese (Doutorado)
Modelagem compacta para transistores MOS: nanofios sem junções e canais bidimensionais (2024)
Souza, Adelcio Marques de; Romero, Murilo Araujo (Orientador)
Unidade: EESC
Subjects: NANOELETRÔNICA, NANOTECNOLOGIA, TRANSISTORES, ENGENHARIA ELÉTRICA
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ABNT
SOUZA, Adelcio Marques de. Modelagem compacta para transistores MOS: nanofios sem junções e canais bidimensionais. 2024. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2024. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18155/tde-08042024-113044/. Acesso em: 15 set. 2024.
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Souza, A. M. de. (2024). Modelagem compacta para transistores MOS: nanofios sem junções e canais bidimensionais (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18155/tde-08042024-113044/
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Souza AM de. Modelagem compacta para transistores MOS: nanofios sem junções e canais bidimensionais [Internet]. 2024 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18155/tde-08042024-113044/
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Souza AM de. Modelagem compacta para transistores MOS: nanofios sem junções e canais bidimensionais [Internet]. 2024 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18155/tde-08042024-113044/
Tese (Doutorado)
Modelo eletroquímico termodinâmico (e-OECT) para transistores orgânicos eletroquímicos (2024)
Feitosa, Bianca de Andrade ; Faria, Gregório Couto (Orientador)
Unidade: EESC
Subjects: POLÍMEROS (MATERIAIS), TRANSISTORES, ELETROQUÍMICA
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FEITOSA, Bianca de Andrade. Modelo eletroquímico termodinâmico (e-OECT) para transistores orgânicos eletroquímicos. 2024. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2024. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-29042024-141636/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Feitosa, B. de A. (2024). Modelo eletroquímico termodinâmico (e-OECT) para transistores orgânicos eletroquímicos (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-29042024-141636/
NLM
Feitosa B de A. Modelo eletroquímico termodinâmico (e-OECT) para transistores orgânicos eletroquímicos [Internet]. 2024 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-29042024-141636/
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Feitosa B de A. Modelo eletroquímico termodinâmico (e-OECT) para transistores orgânicos eletroquímicos [Internet]. 2024 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-29042024-141636/
Tese (Doutorado)
Projeto e fabricação de um BESOI Túnel-FET como elemento biossensor (2023)
Mori, Carlos Augusto Bergfeld; Martino, João Antonio (Orientador) ; Der Agopian, Paula Ghedini (coorient)
Unidade: EP
Assunto: TRANSISTORES
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ABNT
MORI, Carlos Augusto Bergfeld. Projeto e fabricação de um BESOI Túnel-FET como elemento biossensor. 2023. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2023. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30112023-083404/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Mori, C. A. B. (2023). Projeto e fabricação de um BESOI Túnel-FET como elemento biossensor (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30112023-083404/
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Mori CAB. Projeto e fabricação de um BESOI Túnel-FET como elemento biossensor [Internet]. 2023 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30112023-083404/
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Mori CAB. Projeto e fabricação de um BESOI Túnel-FET como elemento biossensor [Internet]. 2023 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30112023-083404/
Tese (Doutorado)
Otimização de transistores BESOI MOSFET como plataforma para aplicação em biossensores (2022)
Yojo, Leonardo Shimizu; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, SENSORES BIOMÉDICOS, GLICOSE
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YOJO, Leonardo Shimizu. Otimização de transistores BESOI MOSFET como plataforma para aplicação em biossensores. 2022. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-084216/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Yojo, L. S. (2022). Otimização de transistores BESOI MOSFET como plataforma para aplicação em biossensores (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-084216/
NLM
Yojo LS. Otimização de transistores BESOI MOSFET como plataforma para aplicação em biossensores [Internet]. 2022 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-084216/
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Yojo LS. Otimização de transistores BESOI MOSFET como plataforma para aplicação em biossensores [Internet]. 2022 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-084216/
Tese (Doutorado)
Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet (2022)
Rangel, Ricardo Cardoso; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
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ABNT
RANGEL, Ricardo Cardoso. Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet. 2022. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Rangel, R. C. (2022). Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/
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Rangel RC. Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet [Internet]. 2022 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/
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Rangel RC. Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet [Internet]. 2022 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/
Tese (Doutorado)
Estudo dos transistores de tunelamento por efeito de campo como biossensores (2021)
Macambira, Christian Nemeth; Martino, João Antonio (Orientador) ; Agopian, Paula Ghedini Der (coorient)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES
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ABNT
MACAMBIRA, Christian Nemeth. Estudo dos transistores de tunelamento por efeito de campo como biossensores. 2021. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2021. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04032022-085035/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Macambira, C. N. (2021). Estudo dos transistores de tunelamento por efeito de campo como biossensores (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04032022-085035/
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Macambira CN. Estudo dos transistores de tunelamento por efeito de campo como biossensores [Internet]. 2021 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04032022-085035/
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Macambira CN. Estudo dos transistores de tunelamento por efeito de campo como biossensores [Internet]. 2021 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04032022-085035/
Tese (Doutorado)
Projeto, caracterização e avaliação de transistores de filmes finos orgânicos para uso em narizes eletrônicos. (2021)
Eirez Izquierdo, José Enrique ; Fonseca, Fernando Josepetti (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: NANOTECNOLOGIA, TRANSISTORES, ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
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ABNT
EIREZ IZQUIERDO, José Enrique. Projeto, caracterização e avaliação de transistores de filmes finos orgânicos para uso em narizes eletrônicos. 2021. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2021. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08102021-110039/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Eirez Izquierdo, J. E. (2021). Projeto, caracterização e avaliação de transistores de filmes finos orgânicos para uso em narizes eletrônicos. (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08102021-110039/
NLM
Eirez Izquierdo JE. Projeto, caracterização e avaliação de transistores de filmes finos orgânicos para uso em narizes eletrônicos. [Internet]. 2021 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08102021-110039/
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Eirez Izquierdo JE. Projeto, caracterização e avaliação de transistores de filmes finos orgânicos para uso em narizes eletrônicos. [Internet]. 2021 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08102021-110039/
Tese (Doutorado)
Influência da tensão de substrato em transistores SOI de camada de silício ultrafina em estruturas planares (UTBB) e de nanofio (NW) (2018)
Itocazu, Vitor Tatsuo ; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, SILÍCIO
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ABNT
ITOCAZU, Vitor Tatsuo. Influência da tensão de substrato em transistores SOI de camada de silício ultrafina em estruturas planares (UTBB) e de nanofio (NW). 2018. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2018. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13072018-105203/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Itocazu, V. T. (2018). Influência da tensão de substrato em transistores SOI de camada de silício ultrafina em estruturas planares (UTBB) e de nanofio (NW) (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13072018-105203/
NLM
Itocazu VT. Influência da tensão de substrato em transistores SOI de camada de silício ultrafina em estruturas planares (UTBB) e de nanofio (NW) [Internet]. 2018 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13072018-105203/
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Itocazu VT. Influência da tensão de substrato em transistores SOI de camada de silício ultrafina em estruturas planares (UTBB) e de nanofio (NW) [Internet]. 2018 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13072018-105203/
Tese (Doutorado)
Density-functional theory for single-electron transistors (2018)
Zawadzki, Krissia; Oliveira, Luiz Nunes de (Orientador); D'Amico, Irene (coorient)
Unidade: IFSC
Subjects: EFEITO KONDO, TRANSISTORES, TEORIA QUÂNTICA DE CAMPO
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ZAWADZKI, Krissia. Density-functional theory for single-electron transistors. 2018. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2018. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76131/tde-24102018-165237/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Zawadzki, K. (2018). Density-functional theory for single-electron transistors (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76131/tde-24102018-165237/
NLM
Zawadzki K. Density-functional theory for single-electron transistors [Internet]. 2018 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76131/tde-24102018-165237/
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Zawadzki K. Density-functional theory for single-electron transistors [Internet]. 2018 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76131/tde-24102018-165237/
Tese (Doutorado)
Estudo de transistores orgânicos por espectroscopia vibracional não linear e microscopia por modulação de carga (2018)
Gomes, Douglas José Correia; Miranda, Paulo Barbeitas (Orientador)
Unidade: EESC
Subjects: MICROSCOPIA, TRANSISTORES, ÓPTICA NÃO LINEAR
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ABNT
GOMES, Douglas José Correia. Estudo de transistores orgânicos por espectroscopia vibracional não linear e microscopia por modulação de carga. 2018. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2018. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-08082019-132336/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Gomes, D. J. C. (2018). Estudo de transistores orgânicos por espectroscopia vibracional não linear e microscopia por modulação de carga (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-08082019-132336/
NLM
Gomes DJC. Estudo de transistores orgânicos por espectroscopia vibracional não linear e microscopia por modulação de carga [Internet]. 2018 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-08082019-132336/
Vancouver
Gomes DJC. Estudo de transistores orgânicos por espectroscopia vibracional não linear e microscopia por modulação de carga [Internet]. 2018 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-08082019-132336/
Tese (Doutorado)
Transistor spintrônico: descoberta e caracterização de isolantes topológicos (2018)
Mera Acosta, Carlos Augusto; Fazzio, Adalberto (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: SPINTRÔNICA, TRANSISTORES, EFEITO HALL
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MERA ACOSTA, Carlos Augusto. Transistor spintrônico: descoberta e caracterização de isolantes topológicos. 2018. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2018. . Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Mera Acosta, C. A. (2018). Transistor spintrônico: descoberta e caracterização de isolantes topológicos (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Mera Acosta CA. Transistor spintrônico: descoberta e caracterização de isolantes topológicos. 2018 ;[citado 2024 set. 15 ]
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Mera Acosta CA. Transistor spintrônico: descoberta e caracterização de isolantes topológicos. 2018 ;[citado 2024 set. 15 ]
Tese (Doutorado)
Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas (2017)
Bordallo, Caio Cesar Mendes ; Agopian, Paula Ghedini Der (Orientador) ; Martino, João Antonio (coorient)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, TEMPERATURA, NANOTECNOLOGIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BORDALLO, Caio Cesar Mendes. Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas. 2017. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18012018-112959/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Bordallo, C. C. M. (2017). Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18012018-112959/
NLM
Bordallo CCM. Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas [Internet]. 2017 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18012018-112959/
Vancouver
Bordallo CCM. Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas [Internet]. 2017 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18012018-112959/
Tese (Doutorado)
Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos (2017)
Martino, Márcio Dalla Valle; Agopian, Paula Ghedini Der (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES, CIRCUITOS ANALÓGICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARTINO, Márcio Dalla Valle. Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos. 2017. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05032018-110248/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Martino, M. D. V. (2017). Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05032018-110248/
NLM
Martino MDV. Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos [Internet]. 2017 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05032018-110248/
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Martino MDV. Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos [Internet]. 2017 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05032018-110248/
Tese (Doutorado)
Aplicação de transistores orgânicos na fabricação de inversores lógicos digitais (2016)
Cardoso, Lilian Soares; Faria, Roberto Mendonça (Orientador)
Unidade: EESC
Assunto: TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CARDOSO, Lilian Soares. Aplicação de transistores orgânicos na fabricação de inversores lógicos digitais. 2016. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2016. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-21032017-153241/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Cardoso, L. S. (2016). Aplicação de transistores orgânicos na fabricação de inversores lógicos digitais (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-21032017-153241/
NLM
Cardoso LS. Aplicação de transistores orgânicos na fabricação de inversores lógicos digitais [Internet]. 2016 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-21032017-153241/
Vancouver
Cardoso LS. Aplicação de transistores orgânicos na fabricação de inversores lógicos digitais [Internet]. 2016 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-21032017-153241/
Tese (Doutorado)
Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio (2016)
Oliveira, Alberto Vinicius de; Martino, João Antonio (Orientador) ; Agopian, Paula Ghedini Der (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES, SILÍCIO, GERMÂNIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, Alberto Vinicius de. Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio. 2016. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2016. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21032017-152959/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Oliveira, A. V. de. (2016). Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21032017-152959/
NLM
Oliveira AV de. Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio [Internet]. 2016 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21032017-152959/
Vancouver
Oliveira AV de. Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio [Internet]. 2016 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21032017-152959/
Tese (Doutorado)
Estudo de transistores SOI MOSFETs com camada de silício e óxido enterrado ultrafinos operando em modo de tensão de limiar dinâmica (2016)
Sasaki, Kátia Regina Akemi; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SASAKI, Kátia Regina Akemi. Estudo de transistores SOI MOSFETs com camada de silício e óxido enterrado ultrafinos operando em modo de tensão de limiar dinâmica. 2016. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2016. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07032017-145408/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Sasaki, K. R. A. (2016). Estudo de transistores SOI MOSFETs com camada de silício e óxido enterrado ultrafinos operando em modo de tensão de limiar dinâmica (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07032017-145408/
NLM
Sasaki KRA. Estudo de transistores SOI MOSFETs com camada de silício e óxido enterrado ultrafinos operando em modo de tensão de limiar dinâmica [Internet]. 2016 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07032017-145408/
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Sasaki KRA. Estudo de transistores SOI MOSFETs com camada de silício e óxido enterrado ultrafinos operando em modo de tensão de limiar dinâmica [Internet]. 2016 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07032017-145408/
Tese (Doutorado)
Efeito da tensão mecânica no ruído de baixa frequência de transistores SOI planares e tridimensionais (2015)
Souza, Marcio Alves Sodré de; Pavanello, Marcelo Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, ENCAPSULAMENTO ELETRÔNICO, TENSÃO DOS MATERIAIS
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ABNT
SOUZA, Marcio Alves Sodré de. Efeito da tensão mecânica no ruído de baixa frequência de transistores SOI planares e tridimensionais. 2015. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2015. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-15072016-142254/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Souza, M. A. S. de. (2015). Efeito da tensão mecânica no ruído de baixa frequência de transistores SOI planares e tridimensionais (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-15072016-142254/
NLM
Souza MAS de. Efeito da tensão mecânica no ruído de baixa frequência de transistores SOI planares e tridimensionais [Internet]. 2015 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-15072016-142254/
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Souza MAS de. Efeito da tensão mecânica no ruído de baixa frequência de transistores SOI planares e tridimensionais [Internet]. 2015 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-15072016-142254/
Tese (Doutorado)
Caracterização elétrica de transistores SOI sem extensão de fonte e dreno com estrutura planar e vertical (3D) (2014)
Santos, Sara Dereste dos; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA
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ABNT
SANTOS, Sara Dereste dos. Caracterização elétrica de transistores SOI sem extensão de fonte e dreno com estrutura planar e vertical (3D). 2014. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2014. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-25112014-113320/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Santos, S. D. dos. (2014). Caracterização elétrica de transistores SOI sem extensão de fonte e dreno com estrutura planar e vertical (3D) (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-25112014-113320/
NLM
Santos SD dos. Caracterização elétrica de transistores SOI sem extensão de fonte e dreno com estrutura planar e vertical (3D) [Internet]. 2014 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-25112014-113320/
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Santos SD dos. Caracterização elétrica de transistores SOI sem extensão de fonte e dreno com estrutura planar e vertical (3D) [Internet]. 2014 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-25112014-113320/
Tese (Doutorado)
Fabricação e caracterização de transistores orgânicos por impressão de jato de tinta (2014)
Stefanelo, Josiani Cristina; Faria, Roberto Mendonça (Orientador)
Unidade: EESC
Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, IMPRESSÃO, POLÍMEROS (MATERIAIS)
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ABNT
STEFANELO, Josiani Cristina. Fabricação e caracterização de transistores orgânicos por impressão de jato de tinta. 2014. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2014. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-03092014-094314/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Stefanelo, J. C. (2014). Fabricação e caracterização de transistores orgânicos por impressão de jato de tinta (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-03092014-094314/
NLM
Stefanelo JC. Fabricação e caracterização de transistores orgânicos por impressão de jato de tinta [Internet]. 2014 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-03092014-094314/
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Stefanelo JC. Fabricação e caracterização de transistores orgânicos por impressão de jato de tinta [Internet]. 2014 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-03092014-094314/
Tese (Doutorado)
Filmes de poli(3-hexiltiofeno) (P3HT) para transistores de filmes finos orgânicos utilizados como sensores (2014)
Cavallari, Marco Roberto ; Fonseca, Fernando Josepetti (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, LITOGRAFIA (PROCESSOS DE IMPRESSÃO), SENSOR
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ABNT
CAVALLARI, Marco Roberto. Filmes de poli(3-hexiltiofeno) (P3HT) para transistores de filmes finos orgânicos utilizados como sensores. 2014. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2014. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-29122014-165104/. Acesso em: 15 set. 2024.
APA
Cavallari, M. R. (2014). Filmes de poli(3-hexiltiofeno) (P3HT) para transistores de filmes finos orgânicos utilizados como sensores (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-29122014-165104/
NLM
Cavallari MR. Filmes de poli(3-hexiltiofeno) (P3HT) para transistores de filmes finos orgânicos utilizados como sensores [Internet]. 2014 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-29122014-165104/
Vancouver
Cavallari MR. Filmes de poli(3-hexiltiofeno) (P3HT) para transistores de filmes finos orgânicos utilizados como sensores [Internet]. 2014 ;[citado 2024 set. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-29122014-165104/

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