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Fabricação e caracterização de transistores orgânicos por impressão de jato de tinta (2014)

  • Authors:
  • Autor USP: STEFANELO, JOSIANI CRISTINA - EESC
  • Unidade: EESC
  • Sigla do Departamento: SMM
  • Subjects: TRANSISTORES; SEMICONDUTORES; IMPRESSÃO; POLÍMEROS (MATERIAIS)
  • Language: Português
  • Abstract: A tecnologia dos semicondutores inorgânicos tem dominado a indústria eletrônica por muitos anos. No entanto, com a descoberta dos polímeros condutores um esforço considerável tem sido dedicado ao estudo e às aplicações tecnológicas desses materiais em dispositivos eletrônicos, dando início a um novo ramo da eletrônica: a Eletrônica Orgânica (EO). Uma das grandes vantagens da EO reside nos métodos de processamento. Os materiais orgânicos são facilmente processados em solução, portanto permite o uso de diversas técnicas de deposição, como por exemplo, as técnicas de impressão. Dentre as técnicas de impressão, a jato de tinta é a que mostra ser mais adequada à impressão de circuitos. Ela permite depositar volumes de soluções (ou suspensões) da ordem de picolitros em cada gota mantendo padrões bem definidos. Além disso, elimina o uso de máscaras, ocasionando diminuição nos custos e desperdício de material e, por ser um método de deposição tipo não-contato, minimiza possíveis contaminações. Esta tese dedicou-se, dentro desse contexto, ao domínio da técnica de jato de tinta para a confecção de transistores orgânicos (OFETs) tipo p e tipo n, e com aplicação em um inversor lógico unipolar. Os OFETs impressos usaram a arquitetura top gate/bottom contact (TG/BC). Os filmes semicondutores foram formados por várias linhas impressas sobre a região dos eletrodos fonte e dreno. Para os OFETs tipo p foi utilizado o semicondutor Poli(3-hexiltiofeno) régio-regular (rr-P3HT). Foram fabricados OFETs tipo p com a impressão de linhas utilizando os quatro diferentes padrões de deposição da impressora Autodrop. OFETs tipo p com mobilidade em torno de 3 x '10 POT.-3' 'CM POT.2'/V.s e razões I on/I off da ordem de '10 POT.3' foram obtidos utilizando um padrão de deposição paralelo e outro perpendicular a fonte e dreno. Para os OFETs tipo n o semicondutorusado foi o Poli{['N','N''-bis(2-octildodecil)-naftaleno-1,4,5,8-bis(dicarboximida)-2,6-diil]-alt-5,5'-(2,2'-bitiofeno)]} (P(NDI20D-T2)). Dentre os OFETs tipo n impressos os melhores apresentaram mobilidades em torno de '10 POT.-2' 'CM POT.2'/V.s e razões I on/l off de aproximadamente 5 x '10 POT.2'. Ambos os OFETs impressos foram aplicados em inversores lógicos digitais unipolares com ganhos maiores que 1
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 02.07.2014
  • Acesso à fonte
    How to cite
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    • ABNT

      STEFANELO, Josiani Cristina; FARIA, Roberto Mendonça. Fabricação e caracterização de transistores orgânicos por impressão de jato de tinta. 2014.Universidade de São Paulo, São Carlos, 2014. Disponível em: < http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-03092014-094314/pt-br.php >.
    • APA

      Stefanelo, J. C., & Faria, R. M. (2014). Fabricação e caracterização de transistores orgânicos por impressão de jato de tinta. Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-03092014-094314/pt-br.php
    • NLM

      Stefanelo JC, Faria RM. Fabricação e caracterização de transistores orgânicos por impressão de jato de tinta [Internet]. 2014 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-03092014-094314/pt-br.php
    • Vancouver

      Stefanelo JC, Faria RM. Fabricação e caracterização de transistores orgânicos por impressão de jato de tinta [Internet]. 2014 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-03092014-094314/pt-br.php


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