Fabricação e caracterização de transistores orgânicos por impressão de jato de tinta (2014)
- Authors:
- Autor USP: STEFANELO, JOSIANI CRISTINA - EESC
- Unidade: EESC
- Sigla do Departamento: SMM
- Subjects: TRANSISTORES; SEMICONDUTORES; IMPRESSÃO; POLÍMEROS (MATERIAIS)
- Language: Português
- Abstract: A tecnologia dos semicondutores inorgânicos tem dominado a indústria eletrônica por muitos anos. No entanto, com a descoberta dos polímeros condutores um esforço considerável tem sido dedicado ao estudo e às aplicações tecnológicas desses materiais em dispositivos eletrônicos, dando início a um novo ramo da eletrônica: a Eletrônica Orgânica (EO). Uma das grandes vantagens da EO reside nos métodos de processamento. Os materiais orgânicos são facilmente processados em solução, portanto permite o uso de diversas técnicas de deposição, como por exemplo, as técnicas de impressão. Dentre as técnicas de impressão, a jato de tinta é a que mostra ser mais adequada à impressão de circuitos. Ela permite depositar volumes de soluções (ou suspensões) da ordem de picolitros em cada gota mantendo padrões bem definidos. Além disso, elimina o uso de máscaras, ocasionando diminuição nos custos e desperdício de material e, por ser um método de deposição tipo não-contato, minimiza possíveis contaminações. Esta tese dedicou-se, dentro desse contexto, ao domínio da técnica de jato de tinta para a confecção de transistores orgânicos (OFETs) tipo p e tipo n, e com aplicação em um inversor lógico unipolar. Os OFETs impressos usaram a arquitetura top gate/bottom contact (TG/BC). Os filmes semicondutores foram formados por várias linhas impressas sobre a região dos eletrodos fonte e dreno. Para os OFETs tipo p foi utilizado o semicondutor Poli(3-hexiltiofeno) régio-regular (rr-P3HT). Foram fabricados OFETs tipo p com a impressão de linhas utilizando os quatro diferentes padrões de deposição da impressora Autodrop. OFETs tipo p com mobilidade em torno de 3 x '10 POT.-3' 'CM POT.2'/V.s e razões I on/I off da ordem de '10 POT.3' foram obtidos utilizando um padrão de deposição paralelo e outro perpendicular a fonte e dreno. Para os OFETs tipo n o semicondutorusado foi o Poli{['N','N''-bis(2-octildodecil)-naftaleno-1,4,5,8-bis(dicarboximida)-2,6-diil]-alt-5,5'-(2,2'-bitiofeno)]} (P(NDI20D-T2)). Dentre os OFETs tipo n impressos os melhores apresentaram mobilidades em torno de '10 POT.-2' 'CM POT.2'/V.s e razões I on/l off de aproximadamente 5 x '10 POT.2'. Ambos os OFETs impressos foram aplicados em inversores lógicos digitais unipolares com ganhos maiores que 1
- Imprenta:
- Publisher place: São Carlos
- Date published: 2014
- Data da defesa: 02.07.2014
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ABNT
STEFANELO, Josiani Cristina. Fabricação e caracterização de transistores orgânicos por impressão de jato de tinta. 2014. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2014. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-03092014-094314/. Acesso em: 23 abr. 2024. -
APA
Stefanelo, J. C. (2014). Fabricação e caracterização de transistores orgânicos por impressão de jato de tinta (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-03092014-094314/ -
NLM
Stefanelo JC. Fabricação e caracterização de transistores orgânicos por impressão de jato de tinta [Internet]. 2014 ;[citado 2024 abr. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-03092014-094314/ -
Vancouver
Stefanelo JC. Fabricação e caracterização de transistores orgânicos por impressão de jato de tinta [Internet]. 2014 ;[citado 2024 abr. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-03092014-094314/ - NH3 sensor based on rGO-PANI composite with improved sensitivity
- Electric conduction in poly(methyl methacrylate) thin films characterized by corona charging with constant current
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