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Efeito da tensão mecânica no ruído de baixa frequência de transistores SOI planares e tridimensionais (2015)

  • Authors:
  • Autor USP: SOUZA, MÁRCIO ALVES SODRÉ DE - EP
  • Unidade: EP
  • Sigla do Departamento: PSI
  • Subjects: TRANSISTORES; ENCAPSULAMENTO ELETRÔNICO; TENSÃO DOS MATERIAIS
  • Language: Português
  • Abstract: Neste trabalho é apresentado um estudo do efeito da tensão mecânica no ruído de baixa frequência nos transistores SOI planares e tridimensionais (múltiplas portas) com e sem o substrato rotacionado, além de um estudo das características analógicas nos transistores planares e tridimensionais. Nos transistores planares, o estudo do ruído de baixa frequência demonstraram uma melhora no ruído de baixa frequência para os transistores tensionados no regime de saturação, independente do comprimento de canal, entretanto para a região linear, a tensão mecânica somente reduziu o ruído para um comprimento de canal pequeno (160nm). Nas características analógicas foi utilizado o recurso da simulação numérica bidimensional para a ampliação dos resultados. Os resultados mostram que os transistores tensionados são capazes de promover um melhor desempenho na transcondutância, na ordem de no mínimo 50% , indicando para comprimentos longos de canal uma melhora em favor da tensão mecânica biaxial e o oposto para a uniaxial, entretanto na condutância de saída, a tensão mecânica promove uma maior degradação. No ganho intrínseco de tensão, mais uma vez os transistores tensionados melhoraram de desempenho, contudo neste caso um melhor resultado foi achado para o biaxial. Nos transistores tridimensionais, a análise do ruído foi realizada nos transistores de múltiplas portas tensionados e convencionais operando em saturação, e de forma geral a tensão mecânica piora o ruído de baixa frequência para a maioria dos dispositivos estudados, sendo uma melhora quase imperceptível vista num transistor largo ou quase planar.Na análise do ruído para os transistores rotacionados para a região linear, apresentaram aspecto 1/f com o ruído governado pela flutuação do numero de portadores, a rotação do substrato melhora o ruído devido a redução das armadilhas de interface ocasionando numa melhor interface lateral, para dispositivos largos o plano de topo sofre um aumento das armadilhas piorando a interface superior devido a rotação do substrato. Nas características analógicas, os transistores de múltiplas portas com tensão mecânica e substrato rotacionado foram estudados, onde o rotação do substrato em 45º mais a presença da tesão mecânica promoveram uma piora nos resultados, principalmente na transcondutância, sendo esta piora maior que 30 % para uma dispositivo estreito.
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 29.10.2015
  • Acesso à fonte
    How to cite
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    • ABNT

      SOUZA, Marcio Alves Sodré de; PAVANELLO, Marcelo Antonio. Efeito da tensão mecânica no ruído de baixa frequência de transistores SOI planares e tridimensionais. 2015.Universidade de São Paulo, São Paulo, 2015. Disponível em: < http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-15072016-142254/pt-br.php >.
    • APA

      Souza, M. A. S. de, & Pavanello, M. A. (2015). Efeito da tensão mecânica no ruído de baixa frequência de transistores SOI planares e tridimensionais. Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-15072016-142254/pt-br.php
    • NLM

      Souza MAS de, Pavanello MA. Efeito da tensão mecânica no ruído de baixa frequência de transistores SOI planares e tridimensionais [Internet]. 2015 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-15072016-142254/pt-br.php
    • Vancouver

      Souza MAS de, Pavanello MA. Efeito da tensão mecânica no ruído de baixa frequência de transistores SOI planares e tridimensionais [Internet]. 2015 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-15072016-142254/pt-br.php

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