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Trabalho de evento
A procedure to analyze the impact of three-phase unbalanced conditions on switching overvoltages in systems with distributed generation (2015)
Otremba, Liciane; Pesente, Jonas Roberto; Otto, Rodrigo Bueno; Ramos, Rodrigo Andrade
Conference titles: IEEE PES General Meeting. Unidade: EESC
Subjects: DISTRIBUIÇÃO DE ENERGIA ELÉTRICA, TRANSISTORES, ENERGIA ELÉTRICA (QUALIDADE)
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ABNT
OTREMBA, Liciane et al. A procedure to analyze the impact of three-phase unbalanced conditions on switching overvoltages in systems with distributed generation. 2015, Anais.. Piscataway, NJ: IEEE, 2015. Disponível em: https://doi.org/10.1109/PESGM.2015.7286379. Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Otremba, L., Pesente, J. R., Otto, R. B., & Ramos, R. A. (2015). A procedure to analyze the impact of three-phase unbalanced conditions on switching overvoltages in systems with distributed generation. In . Piscataway, NJ: IEEE. doi:10.1109/PESGM.2015.7286379
NLM
Otremba L, Pesente JR, Otto RB, Ramos RA. A procedure to analyze the impact of three-phase unbalanced conditions on switching overvoltages in systems with distributed generation [Internet]. 2015 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1109/PESGM.2015.7286379
Vancouver
Otremba L, Pesente JR, Otto RB, Ramos RA. A procedure to analyze the impact of three-phase unbalanced conditions on switching overvoltages in systems with distributed generation [Internet]. 2015 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1109/PESGM.2015.7286379
Trabalho de evento-resumo
Mapping the e-field in the dielectric layer of organic transistors by SFG spectroscopy (2015)
Gomes, Douglas José Correira; Motti, Silvia Genaro; Miranda, Paulo Barbeitas
Source: Proceedings. Conference titles: Brazilian MRS Meeting. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, TRANSISTORES
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ABNT
GOMES, Douglas José Correira e MOTTI, Silvia Genaro e MIRANDA, Paulo Barbeitas. Mapping the e-field in the dielectric layer of organic transistors by SFG spectroscopy. 2015, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2015. Disponível em: http://www.eventweb.com.br/xivsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=ARNC. Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Gomes, D. J. C., Motti, S. G., & Miranda, P. B. (2015). Mapping the e-field in the dielectric layer of organic transistors by SFG spectroscopy. In Proceedings. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de http://www.eventweb.com.br/xivsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=ARNC
NLM
Gomes DJC, Motti SG, Miranda PB. Mapping the e-field in the dielectric layer of organic transistors by SFG spectroscopy [Internet]. Proceedings. 2015 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://www.eventweb.com.br/xivsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=ARNC
Vancouver
Gomes DJC, Motti SG, Miranda PB. Mapping the e-field in the dielectric layer of organic transistors by SFG spectroscopy [Internet]. Proceedings. 2015 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://www.eventweb.com.br/xivsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=ARNC
Trabalho de evento-resumo
Investigating commercially available MOSFETs to be used in separative extended gate field-effect transistor (bio) sensors (2015)
Vieira, Nirton C. S.; Terra, Idelma A. A.; Santos, Juliana F.; Zucolotto, Valtencir
Source: Proceedings. Conference titles: Brazilian MRS Meeting. Unidade: IFSC
Subjects: SENSOR, TRANSISTORES
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ABNT
VIEIRA, Nirton C. S. et al. Investigating commercially available MOSFETs to be used in separative extended gate field-effect transistor (bio) sensors. 2015, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2015. Disponível em: http://www.eventweb.com.br/xivsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=AQKX. Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Vieira, N. C. S., Terra, I. A. A., Santos, J. F., & Zucolotto, V. (2015). Investigating commercially available MOSFETs to be used in separative extended gate field-effect transistor (bio) sensors. In Proceedings. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de http://www.eventweb.com.br/xivsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=AQKX
NLM
Vieira NCS, Terra IAA, Santos JF, Zucolotto V. Investigating commercially available MOSFETs to be used in separative extended gate field-effect transistor (bio) sensors [Internet]. Proceedings. 2015 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://www.eventweb.com.br/xivsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=AQKX
Vancouver
Vieira NCS, Terra IAA, Santos JF, Zucolotto V. Investigating commercially available MOSFETs to be used in separative extended gate field-effect transistor (bio) sensors [Internet]. Proceedings. 2015 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://www.eventweb.com.br/xivsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=AQKX
Trabalho de evento-resumo periodico
Probing electric fields within organic transistors by nonlinear optics (2015)
Miranda, Paulo Barbeitas ; Motti, Silvia G.; Gomes, Douglas J. C.
Source: Bulletin of the American Physical Society. Conference titles: APS March Meeting. Unidade: IFSC
Subjects: ÓPTICA NÃO LINEAR, TRANSISTORES
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ABNT
MIRANDA, Paulo Barbeitas e MOTTI, Silvia G. e GOMES, Douglas J. C. Probing electric fields within organic transistors by nonlinear optics. Bulletin of the American Physical Society. College Park: American Physical Society - APS. Disponível em: http://meetings.aps.org/link/BAPS.2015.MAR.L41.8. Acesso em: 16 out. 2024. , 2015
APA
Miranda, P. B., Motti, S. G., & Gomes, D. J. C. (2015). Probing electric fields within organic transistors by nonlinear optics. Bulletin of the American Physical Society. College Park: American Physical Society - APS. Recuperado de http://meetings.aps.org/link/BAPS.2015.MAR.L41.8
NLM
Miranda PB, Motti SG, Gomes DJC. Probing electric fields within organic transistors by nonlinear optics [Internet]. Bulletin of the American Physical Society. 2015 ; 60( 1):[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://meetings.aps.org/link/BAPS.2015.MAR.L41.8
Vancouver
Miranda PB, Motti SG, Gomes DJC. Probing electric fields within organic transistors by nonlinear optics [Internet]. Bulletin of the American Physical Society. 2015 ; 60( 1):[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://meetings.aps.org/link/BAPS.2015.MAR.L41.8
Trabalho de evento-resumo
Large scale fabrication of all-integrated electrolyte-gated graphene field-effect transistors (2015)
Vieira, Nirton C. S.; Borme, Jérôme; Junior, George M.; Cerqueira, Fátima; Freitas, Paulo P.; Zucolotto, Valtencir ; Peres, Nuno; Alpuim, Pedro
Source: Proceedings. Conference titles: Brazilian MRS Meeting. Unidade: IFSC
Subjects: TRANSISTORES, SENSOR
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ABNT
VIEIRA, Nirton C. S. et al. Large scale fabrication of all-integrated electrolyte-gated graphene field-effect transistors. 2015, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2015. Disponível em: http://www.eventweb.com.br/xivsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=AQKY. Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Vieira, N. C. S., Borme, J., Junior, G. M., Cerqueira, F., Freitas, P. P., Zucolotto, V., et al. (2015). Large scale fabrication of all-integrated electrolyte-gated graphene field-effect transistors. In Proceedings. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de http://www.eventweb.com.br/xivsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=AQKY
NLM
Vieira NCS, Borme J, Junior GM, Cerqueira F, Freitas PP, Zucolotto V, Peres N, Alpuim P. Large scale fabrication of all-integrated electrolyte-gated graphene field-effect transistors [Internet]. Proceedings. 2015 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://www.eventweb.com.br/xivsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=AQKY
Vancouver
Vieira NCS, Borme J, Junior GM, Cerqueira F, Freitas PP, Zucolotto V, Peres N, Alpuim P. Large scale fabrication of all-integrated electrolyte-gated graphene field-effect transistors [Internet]. Proceedings. 2015 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://www.eventweb.com.br/xivsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=AQKY
Tese (Doutorado)
Efeito da tensão mecânica no ruído de baixa frequência de transistores SOI planares e tridimensionais (2015)
Souza, Marcio Alves Sodré de; Pavanello, Marcelo Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, ENCAPSULAMENTO ELETRÔNICO, TENSÃO DOS MATERIAIS
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ABNT
SOUZA, Marcio Alves Sodré de. Efeito da tensão mecânica no ruído de baixa frequência de transistores SOI planares e tridimensionais. 2015. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2015. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-15072016-142254/. Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Souza, M. A. S. de. (2015). Efeito da tensão mecânica no ruído de baixa frequência de transistores SOI planares e tridimensionais (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-15072016-142254/
NLM
Souza MAS de. Efeito da tensão mecânica no ruído de baixa frequência de transistores SOI planares e tridimensionais [Internet]. 2015 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-15072016-142254/
Vancouver
Souza MAS de. Efeito da tensão mecânica no ruído de baixa frequência de transistores SOI planares e tridimensionais [Internet]. 2015 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-15072016-142254/
Artigo de periodico
Influence of the Source Composition on the Analog Performance Parameters of Vertical Nanowire-TFETs (2015)
Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio ; Santos, Sara Dereste dos; Rooyackers, Rita; Vandoren, A
Source: IEEE Transactions on Electron Devices. Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES, SILÍCIO
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ABNT
AGOPIAN, Paula Ghedini Der et al. Influence of the Source Composition on the Analog Performance Parameters of Vertical Nanowire-TFETs. IEEE Transactions on Electron Devices, v. 62, n. Ja 2015, p. 16-22, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/ted.2014.2367659. Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Agopian, P. G. D., Martino, J. A., Santos, S. D. dos, Rooyackers, R., & Vandoren, A. (2015). Influence of the Source Composition on the Analog Performance Parameters of Vertical Nanowire-TFETs. IEEE Transactions on Electron Devices, 62( Ja 2015), 16-22. doi:10.1109/ted.2014.2367659
NLM
Agopian PGD, Martino JA, Santos SD dos, Rooyackers R, Vandoren A. Influence of the Source Composition on the Analog Performance Parameters of Vertical Nanowire-TFETs [Internet]. IEEE Transactions on Electron Devices. 2015 ; 62( Ja 2015): 16-22.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ted.2014.2367659
Vancouver
Agopian PGD, Martino JA, Santos SD dos, Rooyackers R, Vandoren A. Influence of the Source Composition on the Analog Performance Parameters of Vertical Nanowire-TFETs [Internet]. IEEE Transactions on Electron Devices. 2015 ; 62( Ja 2015): 16-22.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ted.2014.2367659
Trabalho de evento-resumo
Analysis of different deposition patterns for semiconductor at organic field-effect transistors using inkjet printing technique (2015)
Stefanelo, Josiani Cristina; Cardoso, Lilian Soares; Faria, Roberto Mendonça
Source: Technical Summaries. Conference titles: Optics and Photonics. Unidade: IFSC
Subjects: TRANSISTORES, FILMES FINOS, POLÍMEROS (MATERIAIS)
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ABNT
STEFANELO, Josiani Cristina e CARDOSO, Lilian Soares e FARIA, Roberto Mendonça. Analysis of different deposition patterns for semiconductor at organic field-effect transistors using inkjet printing technique. 2015, Anais.. Bellingham: International Society for Optical Engineering - SPIE, 2015. Disponível em: http://spie.org/Documents/ConferencesExhibitions/OP15-abstracts.pdf. Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Stefanelo, J. C., Cardoso, L. S., & Faria, R. M. (2015). Analysis of different deposition patterns for semiconductor at organic field-effect transistors using inkjet printing technique. In Technical Summaries. Bellingham: International Society for Optical Engineering - SPIE. Recuperado de http://spie.org/Documents/ConferencesExhibitions/OP15-abstracts.pdf
NLM
Stefanelo JC, Cardoso LS, Faria RM. Analysis of different deposition patterns for semiconductor at organic field-effect transistors using inkjet printing technique [Internet]. Technical Summaries. 2015 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://spie.org/Documents/ConferencesExhibitions/OP15-abstracts.pdf
Vancouver
Stefanelo JC, Cardoso LS, Faria RM. Analysis of different deposition patterns for semiconductor at organic field-effect transistors using inkjet printing technique [Internet]. Technical Summaries. 2015 ;[citado 2024 out. 16 ] Available from: http://spie.org/Documents/ConferencesExhibitions/OP15-abstracts.pdf
Artigo de periodico
On the performance degradation of poly(3-hexylthiophene) field-effect transistors (2015)
Cavallari, Marco Roberto ; Zanchin, Vinicius R.; Valle, Marcio A.; Eirez Izquierdo, José Enrique ; Rodríguez, Eduardo M.; Gonzalez Rodríguez, Estrella F; Silva, Marcelo de Assumpção Pereira da ; Fonseca, Fernando Josepetti
Source: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability. Unidades: IFSC, EP
Subjects: FILMES FINOS, TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CAVALLARI, Marco Roberto et al. On the performance degradation of poly(3-hexylthiophene) field-effect transistors. IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, v. 15, n. 3, p. 342-351, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/TDMR.2015.2442239. Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Cavallari, M. R., Zanchin, V. R., Valle, M. A., Eirez Izquierdo, J. E., Rodríguez, E. M., Gonzalez Rodríguez, E. F., et al. (2015). On the performance degradation of poly(3-hexylthiophene) field-effect transistors. IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, 15( 3), 342-351. doi:10.1109/TDMR.2015.2442239
NLM
Cavallari MR, Zanchin VR, Valle MA, Eirez Izquierdo JE, Rodríguez EM, Gonzalez Rodríguez EF, Silva M de AP da, Fonseca FJ. On the performance degradation of poly(3-hexylthiophene) field-effect transistors [Internet]. IEEE Transactions on Device and Materials Reliability. 2015 ; 15( 3): 342-351.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1109/TDMR.2015.2442239
Vancouver
Cavallari MR, Zanchin VR, Valle MA, Eirez Izquierdo JE, Rodríguez EM, Gonzalez Rodríguez EF, Silva M de AP da, Fonseca FJ. On the performance degradation of poly(3-hexylthiophene) field-effect transistors [Internet]. IEEE Transactions on Device and Materials Reliability. 2015 ; 15( 3): 342-351.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1109/TDMR.2015.2442239
Trabalho de evento-resumo
Density functional theory approach to the single electron transistor (2015)
Zawadzki, K.; Oliveira, Luiz Nunes de
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: TRANSISTORES, EQUAÇÃO DE SCHRODINGER, FÍSICA TEÓRICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ZAWADZKI, K. e OLIVEIRA, Luiz Nunes de. Density functional theory approach to the single electron transistor. 2015, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2015. . Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Zawadzki, K., & Oliveira, L. N. de. (2015). Density functional theory approach to the single electron transistor. In Livro de Resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC.
NLM
Zawadzki K, Oliveira LN de. Density functional theory approach to the single electron transistor. Livro de Resumos. 2015 ;[citado 2024 out. 16 ]
Vancouver
Zawadzki K, Oliveira LN de. Density functional theory approach to the single electron transistor. Livro de Resumos. 2015 ;[citado 2024 out. 16 ]
Artigo de periodico
Oxygen Plasma Surface Treatment onto ITO Surface for OLEDs Based on Europium Complex (2015)
Santos, Gerson; Cavallari, Marco Roberto ; Pereira, Luiz; Fonseca, Fernando Josepetti
Source: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, DIODOS
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ABNT
SANTOS, Gerson et al. Oxygen Plasma Surface Treatment onto ITO Surface for OLEDs Based on Europium Complex. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 10, n. 1, p. 7-12, 2015Tradução . . Disponível em: https://www.sbmicro.org.br/jics/html/artigos/vol10no1/1.pdf. Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Santos, G., Cavallari, M. R., Pereira, L., & Fonseca, F. J. (2015). Oxygen Plasma Surface Treatment onto ITO Surface for OLEDs Based on Europium Complex. Journal of Integrated Circuits and Systems, 10( 1), 7-12. Recuperado de https://www.sbmicro.org.br/jics/html/artigos/vol10no1/1.pdf
NLM
Santos G, Cavallari MR, Pereira L, Fonseca FJ. Oxygen Plasma Surface Treatment onto ITO Surface for OLEDs Based on Europium Complex [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2015 ; 10( 1): 7-12.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://www.sbmicro.org.br/jics/html/artigos/vol10no1/1.pdf
Vancouver
Santos G, Cavallari MR, Pereira L, Fonseca FJ. Oxygen Plasma Surface Treatment onto ITO Surface for OLEDs Based on Europium Complex [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2015 ; 10( 1): 7-12.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://www.sbmicro.org.br/jics/html/artigos/vol10no1/1.pdf
Artigo de periodico
Analog performance of vertical nanowire TFETs as a function of temperature and transport mechanism (2015)
Martino, Márcio Dalla Valle; Thean, Aaron; Claeys, Cor ; Neves, Felipe S; Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio ; Vandooren, A; Rooyackers, Rita; Simoen, Eddy
Source: Solid-State Electronics. Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARTINO, Márcio Dalla Valle et al. Analog performance of vertical nanowire TFETs as a function of temperature and transport mechanism. Solid-State Electronics, v. 112, p. 51-55, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2015.02.006. Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Martino, M. D. V., Thean, A., Claeys, C., Neves, F. S., Agopian, P. G. D., Martino, J. A., et al. (2015). Analog performance of vertical nanowire TFETs as a function of temperature and transport mechanism. Solid-State Electronics, 112, 51-55. doi:10.1016/j.sse.2015.02.006
NLM
Martino MDV, Thean A, Claeys C, Neves FS, Agopian PGD, Martino JA, Vandooren A, Rooyackers R, Simoen E. Analog performance of vertical nanowire TFETs as a function of temperature and transport mechanism [Internet]. Solid-State Electronics. 2015 ; 112 51-55.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2015.02.006
Vancouver
Martino MDV, Thean A, Claeys C, Neves FS, Agopian PGD, Martino JA, Vandooren A, Rooyackers R, Simoen E. Analog performance of vertical nanowire TFETs as a function of temperature and transport mechanism [Internet]. Solid-State Electronics. 2015 ; 112 51-55.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2015.02.006
Artigo de periodico
Transistores de alta mobilidade eletrônica (HEMTs): princípios de operação e características eletrônicas (2015)
Romero, Murilo Araujo; Ragi, Regiane; Manzoli, José Eduardo
Source: Revista Brasileira de Ensino de Física. Unidade: EESC
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ROMERO, Murilo Araujo e RAGI, Regiane e MANZOLI, José Eduardo. Transistores de alta mobilidade eletrônica (HEMTs): princípios de operação e características eletrônicas. Revista Brasileira de Ensino de Física, v. 37, n. 4, p. 4306 (1-15), 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/S1806-11173741967. Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Romero, M. A., Ragi, R., & Manzoli, J. E. (2015). Transistores de alta mobilidade eletrônica (HEMTs): princípios de operação e características eletrônicas. Revista Brasileira de Ensino de Física, 37( 4), 4306 (1-15). doi:10.1590/S1806-11173741967
NLM
Romero MA, Ragi R, Manzoli JE. Transistores de alta mobilidade eletrônica (HEMTs): princípios de operação e características eletrônicas [Internet]. Revista Brasileira de Ensino de Física. 2015 ; 37( 4): 4306 (1-15).[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1590/S1806-11173741967
Vancouver
Romero MA, Ragi R, Manzoli JE. Transistores de alta mobilidade eletrônica (HEMTs): princípios de operação e características eletrônicas [Internet]. Revista Brasileira de Ensino de Física. 2015 ; 37( 4): 4306 (1-15).[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1590/S1806-11173741967

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