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Curadoria
Workshop do INEO (2023)
Faria, Gregório Couto (cur) ; Caldas, Marilia Junqueira (cur) ; Faria, Roberto Mendonça (cur)
Unidades: IFSC, IF
Subjects: ELETRÔNICA, POLÍMEROS (MATERIAIS), PESQUISA CIENTÍFICA
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ABNT
Workshop do INEO. . São Carlos: Instituto Nacional de Eletrônica Orgânica - INEO. . Acesso em: 27 nov. 2025. , 2023
APA
Workshop do INEO. (2023). Workshop do INEO. São Carlos: Instituto Nacional de Eletrônica Orgânica - INEO.
NLM
Workshop do INEO. 2023 ;[citado 2025 nov. 27 ]
Vancouver
Workshop do INEO. 2023 ;[citado 2025 nov. 27 ]
Trabalho de evento-resumo
Investigação das Propriedades Estruturais, Energéticas, e Eletrônicas de Nanoligas de CuAl (2021)
Silva, Lucas Rodrigues da; Morais, Felipe Orlando; Mendonça, João Paulo Almeida de; Silva, Juarez Lopes Ferreira da
Source: Resumos. Conference titles: Simpósio Internacional de Iniciação Científica e Tecnológica da Universidade de São Paulo - SIICUSP. Unidades: IQSC, IF
Subjects: ESTRUTURAS, ELETRÔNICA
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ABNT
SILVA, Lucas Rodrigues da et al. Investigação das Propriedades Estruturais, Energéticas, e Eletrônicas de Nanoligas de CuAl. 2021, Anais.. São Paulo: Instituto de Química de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2021. Disponível em: https://uspdigital.usp.br/siicusp/siicPublicacao.jsp?codmnu=7210. Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Silva, L. R. da, Morais, F. O., Mendonça, J. P. A. de, & Silva, J. L. F. da. (2021). Investigação das Propriedades Estruturais, Energéticas, e Eletrônicas de Nanoligas de CuAl. In Resumos. São Paulo: Instituto de Química de São Carlos, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://uspdigital.usp.br/siicusp/siicPublicacao.jsp?codmnu=7210
NLM
Silva LR da, Morais FO, Mendonça JPA de, Silva JLF da. Investigação das Propriedades Estruturais, Energéticas, e Eletrônicas de Nanoligas de CuAl [Internet]. Resumos. 2021 ;[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://uspdigital.usp.br/siicusp/siicPublicacao.jsp?codmnu=7210
Vancouver
Silva LR da, Morais FO, Mendonça JPA de, Silva JLF da. Investigação das Propriedades Estruturais, Energéticas, e Eletrônicas de Nanoligas de CuAl [Internet]. Resumos. 2021 ;[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://uspdigital.usp.br/siicusp/siicPublicacao.jsp?codmnu=7210
Trabalho de evento-resumo
Computational tools for structural modeling of quantum devices (2020)
Silva, Yorí Galisteu Camillo da; Morelhão, Sérgio Luiz
Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física. Unidade: IF
Subjects: ELETRÔNICA, ÓPTICA ELETRÔNICA
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ABNT
SILVA, Yorí Galisteu Camillo da e MORELHÃO, Sérgio Luiz. Computational tools for structural modeling of quantum devices. 2020, Anais.. São Paulo: SBF-Sociedade Brasileira de Física, 2020. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0462-2.pdf. Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Silva, Y. G. C. da, & Morelhão, S. L. (2020). Computational tools for structural modeling of quantum devices. In . São Paulo: SBF-Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0462-2.pdf
NLM
Silva YGC da, Morelhão SL. Computational tools for structural modeling of quantum devices [Internet]. 2020 ;[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0462-2.pdf
Vancouver
Silva YGC da, Morelhão SL. Computational tools for structural modeling of quantum devices [Internet]. 2020 ;[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0462-2.pdf
Trabalho de evento-anais periodico
New electronics for the surface detectors of the Pierre Auger Observatory (2017)
Suomijärvi, T.; Albuquerque, Ivone Freire da Mota e ; Catalani, Fernando; Souza, Vitor de ; Kemmerich, N.; Lang, R. G.; Prado, R. R.; Carvalho, W. Rodrigues de; Santos, Edivaldo Moura ; Peixoto, Carlos Jose Todero
Source: Proceedings of Science. Conference titles: International Cosmic Ray Conference - ICRC. Unidades: IF, EEL, IFSC
Subjects: OBSERVATÓRIOS, RAIOS CÓSMICOS, ELETRÔNICA
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ABNT
SUOMIJÄRVI, T. et al. New electronics for the surface detectors of the Pierre Auger Observatory. Proceedings of Science. Trieste: Scuola Internazionale Superiore di Studi Avanzati - SISSA. Disponível em: https://doi.org/10.22323/1.301.0450. Acesso em: 27 nov. 2025. , 2017
APA
Suomijärvi, T., Albuquerque, I. F. da M. e, Catalani, F., Souza, V. de, Kemmerich, N., Lang, R. G., et al. (2017). New electronics for the surface detectors of the Pierre Auger Observatory. Proceedings of Science. Trieste: Scuola Internazionale Superiore di Studi Avanzati - SISSA. doi:10.22323/1.301.0450
NLM
Suomijärvi T, Albuquerque IF da M e, Catalani F, Souza V de, Kemmerich N, Lang RG, Prado RR, Carvalho WR de, Santos EM, Peixoto CJT. New electronics for the surface detectors of the Pierre Auger Observatory [Internet]. Proceedings of Science. 2017 ; 301 450-1-450-5.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.22323/1.301.0450
Vancouver
Suomijärvi T, Albuquerque IF da M e, Catalani F, Souza V de, Kemmerich N, Lang RG, Prado RR, Carvalho WR de, Santos EM, Peixoto CJT. New electronics for the surface detectors of the Pierre Auger Observatory [Internet]. Proceedings of Science. 2017 ; 301 450-1-450-5.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.22323/1.301.0450
Dissertação (Mestrado)
Estudo experimental e computacional sobre a geração de macro-emulsões e outros sistemas mediante dispositivos microfluídicos (2017)
Rivero Cervantes, Juan Enrique; Alencar, Adriano Mesquita (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: DINÂMICA DOS FLUÍDOS, FÍSICA COMPUTACIONAL, ELETRÔNICA, QUÍMICA APLICADA, COMPOSTOS DE SILÍCIO
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ABNT
RIVERO CERVANTES, Juan Enrique. Estudo experimental e computacional sobre a geração de macro-emulsões e outros sistemas mediante dispositivos microfluídicos. 2017. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-13072022-121627/. Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Rivero Cervantes, J. E. (2017). Estudo experimental e computacional sobre a geração de macro-emulsões e outros sistemas mediante dispositivos microfluídicos (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-13072022-121627/
NLM
Rivero Cervantes JE. Estudo experimental e computacional sobre a geração de macro-emulsões e outros sistemas mediante dispositivos microfluídicos [Internet]. 2017 ;[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-13072022-121627/
Vancouver
Rivero Cervantes JE. Estudo experimental e computacional sobre a geração de macro-emulsões e outros sistemas mediante dispositivos microfluídicos [Internet]. 2017 ;[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-13072022-121627/
Trabalho de evento-resumo
Produção de filmes finos de óxidos para aplicação em eletrônica (2016)
Souza, Felipe Abdalla Tiradentes de; Matsuoka, Masao; Chubaci, José Fernando Diniz
Source: Resumos. Conference titles: Simpósio Internacional de Iniciação Científica e Tecnológica da USP (SIICUSP). Unidade: IF
Subjects: ELETRÔNICA, FILMES FINOS
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ABNT
SOUZA, Felipe Abdalla Tiradentes de e MATSUOKA, Masao e CHUBACI, José Fernando Diniz. Produção de filmes finos de óxidos para aplicação em eletrônica. 2016, Anais.. São Paulo: USP/Pró-Reitoria de Pesquisa, 2016. Disponível em: https://uspdigital.usp.br/siicusp/siicPublicacao.jsp?codmnu=7210. Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Souza, F. A. T. de, Matsuoka, M., & Chubaci, J. F. D. (2016). Produção de filmes finos de óxidos para aplicação em eletrônica. In Resumos. São Paulo: USP/Pró-Reitoria de Pesquisa. Recuperado de https://uspdigital.usp.br/siicusp/siicPublicacao.jsp?codmnu=7210
NLM
Souza FAT de, Matsuoka M, Chubaci JFD. Produção de filmes finos de óxidos para aplicação em eletrônica [Internet]. Resumos. 2016 ;[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://uspdigital.usp.br/siicusp/siicPublicacao.jsp?codmnu=7210
Vancouver
Souza FAT de, Matsuoka M, Chubaci JFD. Produção de filmes finos de óxidos para aplicação em eletrônica [Internet]. Resumos. 2016 ;[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://uspdigital.usp.br/siicusp/siicPublicacao.jsp?codmnu=7210
Artigo de periodico
Influence of the Al concentration on the electronic properties of coupled and uncoupled AlxGa1−xAs/AlAs/AlyGa1−yAs double quantum wells (2014)
Gomez Armas, Luis Enrique ; Seabra, Antonio Carlos ; Silva, E C F; Duarte, C A; Pagnossin, Ivan Ramos; Quivy, Alain André ; Menezes, J. W; Jacinto, Carlos; Gusev, Gennady
Source: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. Unidades: EP, IF
Assunto: ELETRÔNICA
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ABNT
GOMEZ ARMAS, Luis Enrique et al. Influence of the Al concentration on the electronic properties of coupled and uncoupled AlxGa1−xAs/AlAs/AlyGa1−yAs double quantum wells. Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, v. 61, p. 158-166, 2014Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physe.2014.04.001. Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Gomez Armas, L. E., Seabra, A. C., Silva, E. C. F., Duarte, C. A., Pagnossin, I. R., Quivy, A. A., et al. (2014). Influence of the Al concentration on the electronic properties of coupled and uncoupled AlxGa1−xAs/AlAs/AlyGa1−yAs double quantum wells. Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 61, 158-166. doi:10.1016/j.physe.2014.04.001
NLM
Gomez Armas LE, Seabra AC, Silva ECF, Duarte CA, Pagnossin IR, Quivy AA, Menezes JW, Jacinto C, Gusev G. Influence of the Al concentration on the electronic properties of coupled and uncoupled AlxGa1−xAs/AlAs/AlyGa1−yAs double quantum wells [Internet]. Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. 2014 ; 61 158-166.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physe.2014.04.001
Vancouver
Gomez Armas LE, Seabra AC, Silva ECF, Duarte CA, Pagnossin IR, Quivy AA, Menezes JW, Jacinto C, Gusev G. Influence of the Al concentration on the electronic properties of coupled and uncoupled AlxGa1−xAs/AlAs/AlyGa1−yAs double quantum wells [Internet]. Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. 2014 ; 61 158-166.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physe.2014.04.001
Artigo de periodico
Labyrinthic standard non-twist map (2011)
Martins, C G L; Carvalho, R Egydio de; Caldas, Iberê Luiz ; M Roberto, M
Source: Artigos de Periódico. Unidade: IF
Assunto: ELETRÔNICA
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ABNT
MARTINS, C G L et al. Labyrinthic standard non-twist map. Artigos de Periódico, v. 44, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/1751-8113/44/4/045102. Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Martins, C. G. L., Carvalho, R. E. de, Caldas, I. L., & M Roberto, M. (2011). Labyrinthic standard non-twist map. Artigos de Periódico, 44. doi:10.1088/1751-8113/44/4/045102
NLM
Martins CGL, Carvalho RE de, Caldas IL, M Roberto M. Labyrinthic standard non-twist map [Internet]. Artigos de Periódico. 2011 ;44[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1751-8113/44/4/045102
Vancouver
Martins CGL, Carvalho RE de, Caldas IL, M Roberto M. Labyrinthic standard non-twist map [Internet]. Artigos de Periódico. 2011 ;44[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1751-8113/44/4/045102
Trabalho de evento-resumo
Electric field induces doping in graphene bilayers on hexagonal boron nitride substrates (2011)
Pontes, Renato Borges; Silva, Antônio J R da; Fazzio, Adalberto ; Padilha, José Eduardo
Source: Resumo. Conference titles: Econtro de Física. Unidade: IF
Assunto: ELETRÔNICA
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ABNT
PONTES, Renato Borges et al. Electric field induces doping in graphene bilayers on hexagonal boron nitride substrates. 2011, Anais.. Foz do Iguaçu: SBF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R1173-1.pdf. Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Pontes, R. B., Silva, A. J. R. da, Fazzio, A., & Padilha, J. E. (2011). Electric field induces doping in graphene bilayers on hexagonal boron nitride substrates. In Resumo. Foz do Iguaçu: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R1173-1.pdf
NLM
Pontes RB, Silva AJR da, Fazzio A, Padilha JE. Electric field induces doping in graphene bilayers on hexagonal boron nitride substrates [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2025 nov. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R1173-1.pdf
Vancouver
Pontes RB, Silva AJR da, Fazzio A, Padilha JE. Electric field induces doping in graphene bilayers on hexagonal boron nitride substrates [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2025 nov. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R1173-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Bilayer graphene in nanoelectronics: ab initio Investigations (2011)
Fazzio, Adalberto ; Lima, Matheus P; Pontes, Renato Borges; Padilha, José Eduardo; Silva, Antônio Jose Roque da
Source: Resumo. Conference titles: Econtro de Física. Unidade: IF
Assunto: ELETRÔNICA
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ABNT
FAZZIO, Adalberto et al. Bilayer graphene in nanoelectronics: ab initio Investigations. 2011, Anais.. Foz do Iguaçu: SBF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3062-1.pdf. Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Fazzio, A., Lima, M. P., Pontes, R. B., Padilha, J. E., & Silva, A. J. R. da. (2011). Bilayer graphene in nanoelectronics: ab initio Investigations. In Resumo. Foz do Iguaçu: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3062-1.pdf
NLM
Fazzio A, Lima MP, Pontes RB, Padilha JE, Silva AJR da. Bilayer graphene in nanoelectronics: ab initio Investigations [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2025 nov. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3062-1.pdf
Vancouver
Fazzio A, Lima MP, Pontes RB, Padilha JE, Silva AJR da. Bilayer graphene in nanoelectronics: ab initio Investigations [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2025 nov. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3062-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Ab initio energy gap calculation of 'GA'N nanowires (2011)
Oliveira, Pedro H G; Ferreira, Luiz G; Teles, Lara K; Marques, Marcelo
Source: Resumo. Conference titles: Econtro de Física. Unidade: IF
Assunto: ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, Pedro H G et al. Ab initio energy gap calculation of 'GA'N nanowires. 2011, Anais.. Foz do Iguaçu: SBF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3297-1.pdf. Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Oliveira, P. H. G., Ferreira, L. G., Teles, L. K., & Marques, M. (2011). Ab initio energy gap calculation of 'GA'N nanowires. In Resumo. Foz do Iguaçu: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3297-1.pdf
NLM
Oliveira PHG, Ferreira LG, Teles LK, Marques M. Ab initio energy gap calculation of 'GA'N nanowires [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2025 nov. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3297-1.pdf
Vancouver
Oliveira PHG, Ferreira LG, Teles LK, Marques M. Ab initio energy gap calculation of 'GA'N nanowires [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2025 nov. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3297-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Reparametrization of the Universal Force Field (UFF) for the description of 'SI' surfaces functionalized with styrene (2011)
Lima, F N; Caldas, Marilia Junqueira ; Lelis-Sousa, R
Source: Resumo. Conference titles: Econtro de Física. Unidade: IF
Assunto: ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LIMA, F N e CALDAS, Marilia Junqueira e LELIS-SOUSA, R. Reparametrization of the Universal Force Field (UFF) for the description of 'SI' surfaces functionalized with styrene. 2011, Anais.. Foz do Iguaçu: SBF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R1625-1.pdf. Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Lima, F. N., Caldas, M. J., & Lelis-Sousa, R. (2011). Reparametrization of the Universal Force Field (UFF) for the description of 'SI' surfaces functionalized with styrene. In Resumo. Foz do Iguaçu: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R1625-1.pdf
NLM
Lima FN, Caldas MJ, Lelis-Sousa R. Reparametrization of the Universal Force Field (UFF) for the description of 'SI' surfaces functionalized with styrene [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2025 nov. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R1625-1.pdf
Vancouver
Lima FN, Caldas MJ, Lelis-Sousa R. Reparametrization of the Universal Force Field (UFF) for the description of 'SI' surfaces functionalized with styrene [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2025 nov. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R1625-1.pdf
Artigo de periodico
Electronic transport properties of ascorbic acid and nicotinamide adsorbed on single-walled carbon nanotubes (2011)
Menezes, Vivian M de; Rocha, Alexandre R; Zanella, Ivana; Mota, Ronaldo; Fazzio, Adalberto ; Fagan, Solange B
Source: Chemical Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MENEZES, Vivian M de et al. Electronic transport properties of ascorbic acid and nicotinamide adsorbed on single-walled carbon nanotubes. Chemical Physics Letters, v. 506, p. 233-238, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.cplett.2011.03.015. Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Menezes, V. M. de, Rocha, A. R., Zanella, I., Mota, R., Fazzio, A., & Fagan, S. B. (2011). Electronic transport properties of ascorbic acid and nicotinamide adsorbed on single-walled carbon nanotubes. Chemical Physics Letters, 506, 233-238. doi:10.1016/j.cplett.2011.03.015
NLM
Menezes VM de, Rocha AR, Zanella I, Mota R, Fazzio A, Fagan SB. Electronic transport properties of ascorbic acid and nicotinamide adsorbed on single-walled carbon nanotubes [Internet]. Chemical Physics Letters. 2011 ;506 233-238.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.cplett.2011.03.015
Vancouver
Menezes VM de, Rocha AR, Zanella I, Mota R, Fazzio A, Fagan SB. Electronic transport properties of ascorbic acid and nicotinamide adsorbed on single-walled carbon nanotubes [Internet]. Chemical Physics Letters. 2011 ;506 233-238.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.cplett.2011.03.015
Trabalho de evento-resumo
Realistic simulations of electronic transport at the nanoscale: from gas sensors to spintronics (2010)
Rocha, Alexandre Reily; Martins, Thiago Barros; Almeida, James; Souza, Amaury de Melo; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da
Source: Resumo. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidade: IF
Assunto: ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ROCHA, Alexandre Reily et al. Realistic simulations of electronic transport at the nanoscale: from gas sensors to spintronics. 2010, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais, 2010. Disponível em: http://sbpmat.org.br/9encontro/especific_files/papers/H632.pdf. Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Rocha, A. R., Martins, T. B., Almeida, J., Souza, A. de M., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2010). Realistic simulations of electronic transport at the nanoscale: from gas sensors to spintronics. In Resumo. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Recuperado de http://sbpmat.org.br/9encontro/especific_files/papers/H632.pdf
NLM
Rocha AR, Martins TB, Almeida J, Souza A de M, Fazzio A, Silva AJR da. Realistic simulations of electronic transport at the nanoscale: from gas sensors to spintronics [Internet]. Resumo. 2010 ;[citado 2025 nov. 27 ] Available from: http://sbpmat.org.br/9encontro/especific_files/papers/H632.pdf
Vancouver
Rocha AR, Martins TB, Almeida J, Souza A de M, Fazzio A, Silva AJR da. Realistic simulations of electronic transport at the nanoscale: from gas sensors to spintronics [Internet]. Resumo. 2010 ;[citado 2025 nov. 27 ] Available from: http://sbpmat.org.br/9encontro/especific_files/papers/H632.pdf
Trabalho de evento
Polímeros para eletrônica: ordem ou desordem? (2009)
Caldas, Marilia Junqueira
Source: Colóquio. Conference titles: Convite à Física. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, ELETRÔNICA, POLÍMEROS (MATERIAIS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CALDAS, Marilia Junqueira. Polímeros para eletrônica: ordem ou desordem? 2009, Anais.. São Paulo: DFM-IFUSP, 2009. Disponível em: http://fma.if.usp.br/convite/ConvitesHTML/todososconvites/2009-09-02.html. Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Caldas, M. J. (2009). Polímeros para eletrônica: ordem ou desordem? In Colóquio. São Paulo: DFM-IFUSP. Recuperado de http://fma.if.usp.br/convite/ConvitesHTML/todososconvites/2009-09-02.html
NLM
Caldas MJ. Polímeros para eletrônica: ordem ou desordem? [Internet]. Colóquio. 2009 ;[citado 2025 nov. 27 ] Available from: http://fma.if.usp.br/convite/ConvitesHTML/todososconvites/2009-09-02.html
Vancouver
Caldas MJ. Polímeros para eletrônica: ordem ou desordem? [Internet]. Colóquio. 2009 ;[citado 2025 nov. 27 ] Available from: http://fma.if.usp.br/convite/ConvitesHTML/todososconvites/2009-09-02.html
Artigo de periodico
Radiative noise in circuits with inductance (2001)
Blanco, R; França, Humberto de Menezes; Santos, E; Sponcheado, R C
Source: Physics Letters A. Unidade: IF
Subjects: MECÂNICA QUÂNTICA, MECÂNICA ESTATÍSTICA, ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BLANCO, R et al. Radiative noise in circuits with inductance. Physics Letters A, v. 282, n. 6, p. 349-356, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0375-9601(01)00219-5. Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Blanco, R., França, H. de M., Santos, E., & Sponcheado, R. C. (2001). Radiative noise in circuits with inductance. Physics Letters A, 282( 6), 349-356. doi:10.1016/s0375-9601(01)00219-5
NLM
Blanco R, França H de M, Santos E, Sponcheado RC. Radiative noise in circuits with inductance [Internet]. Physics Letters A. 2001 ; 282( 6): 349-356.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0375-9601(01)00219-5
Vancouver
Blanco R, França H de M, Santos E, Sponcheado RC. Radiative noise in circuits with inductance [Internet]. Physics Letters A. 2001 ; 282( 6): 349-356.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0375-9601(01)00219-5
Artigo de periodico
Electronic and optical properties of periodically 'Si''Gama-doped''InP'grown by low pressure metalorganic vapor phase epitaxy (1997)
Souza, P. L.; Yavich, B; Pamplona-Pires, M; Henriques, André Bohomoletz ; Gonçalves, L. C. D.
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Assunto: ELETRÔNICA
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ABNT
SOUZA, P. L. et al. Electronic and optical properties of periodically 'Si''Gama-doped''InP'grown by low pressure metalorganic vapor phase epitaxy. Journal of Applied Physics, v. 82, n. 4, p. 1700-1705, 1997Tradução . . Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Souza, P. L., Yavich, B., Pamplona-Pires, M., Henriques, A. B., & Gonçalves, L. C. D. (1997). Electronic and optical properties of periodically 'Si''Gama-doped''InP'grown by low pressure metalorganic vapor phase epitaxy. Journal of Applied Physics, 82( 4), 1700-1705.
NLM
Souza PL, Yavich B, Pamplona-Pires M, Henriques AB, Gonçalves LCD. Electronic and optical properties of periodically 'Si''Gama-doped''InP'grown by low pressure metalorganic vapor phase epitaxy. Journal of Applied Physics. 1997 ; 82( 4): 1700-1705.[citado 2025 nov. 27 ]
Vancouver
Souza PL, Yavich B, Pamplona-Pires M, Henriques AB, Gonçalves LCD. Electronic and optical properties of periodically 'Si''Gama-doped''InP'grown by low pressure metalorganic vapor phase epitaxy. Journal of Applied Physics. 1997 ; 82( 4): 1700-1705.[citado 2025 nov. 27 ]
Dissertação (Mestrado)
Propriedades eletrônicas das super-redes ' ('ga ind.1-x''in ind.X'P) IND.3'' ('ga ind.1-y''in ind.Y'P) IND.3' (1992)
Miwa, Roberto Hiroki; Ferraz, A. C. (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ATÔMICA (FÍSICA MODERNA), ELETRÔNICA
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ABNT
MIWA, Roberto Hiroki. Propriedades eletrônicas das super-redes ' ('ga ind.1-x''in ind.X'P) IND.3'' ('ga ind.1-y''in ind.Y'P) IND.3'. 1992. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1992. . Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Miwa, R. H. (1992). Propriedades eletrônicas das super-redes ' ('ga ind.1-x''in ind.X'P) IND.3'' ('ga ind.1-y''in ind.Y'P) IND.3' (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Miwa RH. Propriedades eletrônicas das super-redes ' ('ga ind.1-x''in ind.X'P) IND.3'' ('ga ind.1-y''in ind.Y'P) IND.3'. 1992 ;[citado 2025 nov. 27 ]
Vancouver
Miwa RH. Propriedades eletrônicas das super-redes ' ('ga ind.1-x''in ind.X'P) IND.3'' ('ga ind.1-y''in ind.Y'P) IND.3'. 1992 ;[citado 2025 nov. 27 ]
Artigo de periodico
Search for almost universal density functionals based on one-and two- electron systems (1989)
Agostinho Neto, A; Ferreira, L G
Source: Physical Review a. Unidade: IF
Assunto: ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
AGOSTINHO NETO, A e FERREIRA, L G. Search for almost universal density functionals based on one-and two- electron systems. Physical Review a, v. 39, n. 10, p. 4978-82, 1989Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physreva.39.4978. Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Agostinho Neto, A., & Ferreira, L. G. (1989). Search for almost universal density functionals based on one-and two- electron systems. Physical Review a, 39( 10), 4978-82. doi:10.1103/physreva.39.4978
NLM
Agostinho Neto A, Ferreira LG. Search for almost universal density functionals based on one-and two- electron systems [Internet]. Physical Review a. 1989 ;39( 10): 4978-82.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physreva.39.4978
Vancouver
Agostinho Neto A, Ferreira LG. Search for almost universal density functionals based on one-and two- electron systems [Internet]. Physical Review a. 1989 ;39( 10): 4978-82.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physreva.39.4978
Artigo de periodico
Electronic properties of the iron-boron impurity pair in silicon (1987)
Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Leite, J. R.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, Lucy Vitoria Credidio e LEITE, J. R. Electronic properties of the iron-boron impurity pair in silicon. Physical Review B, v. 36, n. 2 , p. 1296-9, 1987Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.36.1296. Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Assali, L. V. C., & Leite, J. R. (1987). Electronic properties of the iron-boron impurity pair in silicon. Physical Review B, 36( 2 ), 1296-9. doi:10.1103/physrevb.36.1296
NLM
Assali LVC, Leite JR. Electronic properties of the iron-boron impurity pair in silicon [Internet]. Physical Review B. 1987 ;36( 2 ): 1296-9.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.36.1296
Vancouver
Assali LVC, Leite JR. Electronic properties of the iron-boron impurity pair in silicon [Internet]. Physical Review B. 1987 ;36( 2 ): 1296-9.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.36.1296

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