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Artigo de periodico
Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects (2024)
Sandoval, Marcelo Alejandro Toloza ; Padilla, Jhon Elber Leon ; Wanderley, Adilson Barros ; Sipahi, Guilherme Matos ; Chubaci, José Fernando Diniz ; Silva, Antonio Ferreira da
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidades: IFSC, IF
Assuntos: APRENDIZADO COMPUTACIONAL, SEMICONDUTORES
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ABNT
SANDOVAL, Marcelo Alejandro Toloza et al. Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects. Journal of Applied Physics, v. 135, n. 10, p. 103901-1-103901-9, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/5.0187962. Acesso em: 08 nov. 2025.
APA
Sandoval, M. A. T., Padilla, J. E. L., Wanderley, A. B., Sipahi, G. M., Chubaci, J. F. D., & Silva, A. F. da. (2024). Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects. Journal of Applied Physics, 135( 10), 103901-1-103901-9. doi:10.1063/5.0187962
NLM
Sandoval MAT, Padilla JEL, Wanderley AB, Sipahi GM, Chubaci JFD, Silva AF da. Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects [Internet]. Journal of Applied Physics. 2024 ; 135( 10): 103901-1-103901-9.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0187962
Vancouver
Sandoval MAT, Padilla JEL, Wanderley AB, Sipahi GM, Chubaci JFD, Silva AF da. Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects [Internet]. Journal of Applied Physics. 2024 ; 135( 10): 103901-1-103901-9.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0187962
Artigo de periodico
Probabilistic modeling of energy transfer in disordered organic semiconductors (2024)
Valente, Gustavo Targino ; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Assuntos: POLÍMEROS (MATERIAIS), SEMICONDUTORES, ÓPTICA, CÁLCULO DE PROBABILIDADE
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ABNT
VALENTE, Gustavo Targino e GUIMARÃES, Francisco Eduardo Gontijo. Probabilistic modeling of energy transfer in disordered organic semiconductors. Journal of Applied Physics, v. 136, n. 8, p. 084501-1-084501-8, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/5.0218020. Acesso em: 08 nov. 2025.
APA
Valente, G. T., & Guimarães, F. E. G. (2024). Probabilistic modeling of energy transfer in disordered organic semiconductors. Journal of Applied Physics, 136( 8), 084501-1-084501-8. doi:10.1063/5.0218020
NLM
Valente GT, Guimarães FEG. Probabilistic modeling of energy transfer in disordered organic semiconductors [Internet]. Journal of Applied Physics. 2024 ; 136( 8): 084501-1-084501-8.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0218020
Vancouver
Valente GT, Guimarães FEG. Probabilistic modeling of energy transfer in disordered organic semiconductors [Internet]. Journal of Applied Physics. 2024 ; 136( 8): 084501-1-084501-8.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0218020
Artigo de periodico
Fabrication of interdigitated electrodes of graphene oxide/silica by femtosecond laser-induced forward transfer for sensing applications (2023)
Paula, Kelly Tasso de ; Santos, Sabrina Nicoleti Carvalho dos ; Facure, Murilo Henrique Moreira ; Araújo, Francineide Lopes de ; Andrade, Marcelo Barbosa de ; Corrêa, Daniel Souza ; Mendonça, Cleber Renato
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Assuntos: LASER, NANOPARTÍCULAS, SEMICONDUTORES, FILMES FINOS, ÓPTICA ELETRÔNICA
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ABNT
PAULA, Kelly Tasso de et al. Fabrication of interdigitated electrodes of graphene oxide/silica by femtosecond laser-induced forward transfer for sensing applications. Journal of Applied Physics, v. 133, n. 5, p. 053103-1-053103-10, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/5.0137926. Acesso em: 08 nov. 2025.
APA
Paula, K. T. de, Santos, S. N. C. dos, Facure, M. H. M., Araújo, F. L. de, Andrade, M. B. de, Corrêa, D. S., & Mendonça, C. R. (2023). Fabrication of interdigitated electrodes of graphene oxide/silica by femtosecond laser-induced forward transfer for sensing applications. Journal of Applied Physics, 133( 5), 053103-1-053103-10. doi:10.1063/5.0137926
NLM
Paula KT de, Santos SNC dos, Facure MHM, Araújo FL de, Andrade MB de, Corrêa DS, Mendonça CR. Fabrication of interdigitated electrodes of graphene oxide/silica by femtosecond laser-induced forward transfer for sensing applications [Internet]. Journal of Applied Physics. 2023 ; 133( 5): 053103-1-053103-10.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0137926
Vancouver
Paula KT de, Santos SNC dos, Facure MHM, Araújo FL de, Andrade MB de, Corrêa DS, Mendonça CR. Fabrication of interdigitated electrodes of graphene oxide/silica by femtosecond laser-induced forward transfer for sensing applications [Internet]. Journal of Applied Physics. 2023 ; 133( 5): 053103-1-053103-10.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0137926
Artigo de periodico
Inter-valley phonon-assisted Auger recombination in InGaAs/InP quantum well (2019)
Patricio, M. A. Tito; LaPierre, R. R.; Pusep, Yuri A
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Assuntos: FOTOLUMINESCÊNCIA, POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
PATRICIO, M. A. Tito e LAPIERRE, R. R. e PUSEP, Yuri A. Inter-valley phonon-assisted Auger recombination in InGaAs/InP quantum well. Journal of Applied Physics, v. 125, n. 15, p. 155703-01-155703-06, 2019Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.5085493. Acesso em: 08 nov. 2025.
APA
Patricio, M. A. T., LaPierre, R. R., & Pusep, Y. A. (2019). Inter-valley phonon-assisted Auger recombination in InGaAs/InP quantum well. Journal of Applied Physics, 125( 15), 155703-01-155703-06. doi:10.1063/1.5085493
NLM
Patricio MAT, LaPierre RR, Pusep YA. Inter-valley phonon-assisted Auger recombination in InGaAs/InP quantum well [Internet]. Journal of Applied Physics. 2019 ; 125( 15): 155703-01-155703-06.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.5085493
Vancouver
Patricio MAT, LaPierre RR, Pusep YA. Inter-valley phonon-assisted Auger recombination in InGaAs/InP quantum well [Internet]. Journal of Applied Physics. 2019 ; 125( 15): 155703-01-155703-06.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.5085493
Artigo de periodico
A comprehensive study of g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using hybrid-density functional theory (2018)
Bastos, Carlos M. O.; Sabino, Fernando P.; Sipahi, Guilherme Matos ; Silva, Juarez Lopes Ferreira da
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidades: IFSC, IQSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, MAGNETISMO, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
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ABNT
BASTOS, Carlos M. O. et al. A comprehensive study of g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using hybrid-density functional theory. Journal of Applied Physics, v. 123, n. 6, p. 065702-1-065702-13, 2018Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.5018325. Acesso em: 08 nov. 2025.
APA
Bastos, C. M. O., Sabino, F. P., Sipahi, G. M., & Silva, J. L. F. da. (2018). A comprehensive study of g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using hybrid-density functional theory. Journal of Applied Physics, 123( 6), 065702-1-065702-13. doi:10.1063/1.5018325
NLM
Bastos CMO, Sabino FP, Sipahi GM, Silva JLF da. A comprehensive study of g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using hybrid-density functional theory [Internet]. Journal of Applied Physics. 2018 ; 123( 6): 065702-1-065702-13.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.5018325
Vancouver
Bastos CMO, Sabino FP, Sipahi GM, Silva JLF da. A comprehensive study of g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using hybrid-density functional theory [Internet]. Journal of Applied Physics. 2018 ; 123( 6): 065702-1-065702-13.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.5018325
Artigo de periodico
Magnetic-field-induced crossover from the inverse faraday effect to the optical orientation in 'EU'TE' (2018)
Pavlov, V. V.; Pisarev, R. V.; Nefedov, S. G.; Akimov, I. A.; Yakovlev, D. R.; Bayer, M.; Rappl, P. H. O.; Abramof, E.; Henriques, André Bohomoletz
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, MAGNETISMO, FERROMAGNETISMO
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ABNT
PAVLOV, V. V. et al. Magnetic-field-induced crossover from the inverse faraday effect to the optical orientation in 'EU'TE'. Journal of Applied Physics, v. 123, n. 19, p. 193102, 2018Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.5027473. Acesso em: 08 nov. 2025.
APA
Pavlov, V. V., Pisarev, R. V., Nefedov, S. G., Akimov, I. A., Yakovlev, D. R., Bayer, M., et al. (2018). Magnetic-field-induced crossover from the inverse faraday effect to the optical orientation in 'EU'TE'. Journal of Applied Physics, 123( 19), 193102. doi:10.1063/1.5027473
NLM
Pavlov VV, Pisarev RV, Nefedov SG, Akimov IA, Yakovlev DR, Bayer M, Rappl PHO, Abramof E, Henriques AB. Magnetic-field-induced crossover from the inverse faraday effect to the optical orientation in 'EU'TE' [Internet]. Journal of Applied Physics. 2018 ; 123( 19): 193102.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.5027473
Vancouver
Pavlov VV, Pisarev RV, Nefedov SG, Akimov IA, Yakovlev DR, Bayer M, Rappl PHO, Abramof E, Henriques AB. Magnetic-field-induced crossover from the inverse faraday effect to the optical orientation in 'EU'TE' [Internet]. Journal of Applied Physics. 2018 ; 123( 19): 193102.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.5027473
Artigo de periodico
Carrier dynamics and optical nonlinearities in a GaN epitaxial thin film under three-photon absorption (2018)
Martins, R. J.; Siqueira, J. P.; Clavero, I. Manglano; Margenfeld, C.; Fündling, S.; Vogt, A.; Waag, A.; Voss, T.; Mendonça, Cleber Renato
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, MAGNETISMO, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
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ABNT
MARTINS, R. J. et al. Carrier dynamics and optical nonlinearities in a GaN epitaxial thin film under three-photon absorption. Journal of Applied Physics, v. 123, n. 24, p. 243101-1-243101-5, 2018Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.5027395. Acesso em: 08 nov. 2025.
APA
Martins, R. J., Siqueira, J. P., Clavero, I. M., Margenfeld, C., Fündling, S., Vogt, A., et al. (2018). Carrier dynamics and optical nonlinearities in a GaN epitaxial thin film under three-photon absorption. Journal of Applied Physics, 123( 24), 243101-1-243101-5. doi:10.1063/1.5027395
NLM
Martins RJ, Siqueira JP, Clavero IM, Margenfeld C, Fündling S, Vogt A, Waag A, Voss T, Mendonça CR. Carrier dynamics and optical nonlinearities in a GaN epitaxial thin film under three-photon absorption [Internet]. Journal of Applied Physics. 2018 ; 123( 24): 243101-1-243101-5.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.5027395
Vancouver
Martins RJ, Siqueira JP, Clavero IM, Margenfeld C, Fündling S, Vogt A, Waag A, Voss T, Mendonça CR. Carrier dynamics and optical nonlinearities in a GaN epitaxial thin film under three-photon absorption [Internet]. Journal of Applied Physics. 2018 ; 123( 24): 243101-1-243101-5.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.5027395
Artigo de periodico
Recombination kinetics of photogenerated electrons in InGaAs/InP quantum wells (2016)
Tito, M. A.; Pusep, Yuri A ; Gold, A.; Teodoro, M. D.; Marques, G. E.; LaPierre, R. R.
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Assuntos: FOTOLUMINESCÊNCIA, POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TITO, M. A. et al. Recombination kinetics of photogenerated electrons in InGaAs/InP quantum wells. Journal of Applied Physics, v. 119, n. 9, p. 094301-1-094301-8, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4942854. Acesso em: 08 nov. 2025.
APA
Tito, M. A., Pusep, Y. A., Gold, A., Teodoro, M. D., Marques, G. E., & LaPierre, R. R. (2016). Recombination kinetics of photogenerated electrons in InGaAs/InP quantum wells. Journal of Applied Physics, 119( 9), 094301-1-094301-8. doi:10.1063/1.4942854
NLM
Tito MA, Pusep YA, Gold A, Teodoro MD, Marques GE, LaPierre RR. Recombination kinetics of photogenerated electrons in InGaAs/InP quantum wells [Internet]. Journal of Applied Physics. 2016 ; 119( 9): 094301-1-094301-8.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4942854
Vancouver
Tito MA, Pusep YA, Gold A, Teodoro MD, Marques GE, LaPierre RR. Recombination kinetics of photogenerated electrons in InGaAs/InP quantum wells [Internet]. Journal of Applied Physics. 2016 ; 119( 9): 094301-1-094301-8.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4942854
Artigo de periodico
Influence of energy structure on recombination lifetime in GaAs/AlGaAs multilayers (2016)
Tavares, B. G. M.; Tito, M. A.; Pusep, Yuri A
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Assuntos: FOTOLUMINESCÊNCIA, POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TAVARES, B. G. M. e TITO, M. A. e PUSEP, Yuri A. Influence of energy structure on recombination lifetime in GaAs/AlGaAs multilayers. Journal of Applied Physics, v. 119, n. 23, p. 234305-1-234305-4, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4954161. Acesso em: 08 nov. 2025.
APA
Tavares, B. G. M., Tito, M. A., & Pusep, Y. A. (2016). Influence of energy structure on recombination lifetime in GaAs/AlGaAs multilayers. Journal of Applied Physics, 119( 23), 234305-1-234305-4. doi:10.1063/1.4954161
NLM
Tavares BGM, Tito MA, Pusep YA. Influence of energy structure on recombination lifetime in GaAs/AlGaAs multilayers [Internet]. Journal of Applied Physics. 2016 ; 119( 23): 234305-1-234305-4.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4954161
Vancouver
Tavares BGM, Tito MA, Pusep YA. Influence of energy structure on recombination lifetime in GaAs/AlGaAs multilayers [Internet]. Journal of Applied Physics. 2016 ; 119( 23): 234305-1-234305-4.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4954161
Artigo de periodico
Manipulation of emission energy in GaAs/AlGaAs core-shell nanowires with radial heterostructure (2014)
Barbosa, B. G.; Arakaki, Haroldo; Souza, Carlos Alberto de; Pusep, Yuri A
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, NANOTECNOLOGIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BARBOSA, B. G. et al. Manipulation of emission energy in GaAs/AlGaAs core-shell nanowires with radial heterostructure. Journal of Applied Physics, v. 115, p. 114312-1-114312-5, 2014Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4869218. Acesso em: 08 nov. 2025.
APA
Barbosa, B. G., Arakaki, H., Souza, C. A. de, & Pusep, Y. A. (2014). Manipulation of emission energy in GaAs/AlGaAs core-shell nanowires with radial heterostructure. Journal of Applied Physics, 115, 114312-1-114312-5. doi:10.1063/1.4869218
NLM
Barbosa BG, Arakaki H, Souza CA de, Pusep YA. Manipulation of emission energy in GaAs/AlGaAs core-shell nanowires with radial heterostructure [Internet]. Journal of Applied Physics. 2014 ; 115 114312-1-114312-5.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4869218
Vancouver
Barbosa BG, Arakaki H, Souza CA de, Pusep YA. Manipulation of emission energy in GaAs/AlGaAs core-shell nanowires with radial heterostructure [Internet]. Journal of Applied Physics. 2014 ; 115 114312-1-114312-5.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4869218
Artigo de periodico
Influence of Ni concentration on the crystallization of amorphous Si films and on the development of different Ni-silicide phases (2014)
Zanatta, Antonio Ricardo ; Ingram, D. C.; Kordesch, M. E.
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Assuntos: NÍQUEL, SEMICONDUTORES, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, CRISTALIZAÇÃO, FILMES FINOS (COMPOSIÇÃO;ESTRUTURA;PROPRIEDADES)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ZANATTA, Antonio Ricardo e INGRAM, D. C. e KORDESCH, M. E. Influence of Ni concentration on the crystallization of amorphous Si films and on the development of different Ni-silicide phases. Journal of Applied Physics, v. 116, n. 12, p. 123508-1-123508-6, 2014Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4896589. Acesso em: 08 nov. 2025.
APA
Zanatta, A. R., Ingram, D. C., & Kordesch, M. E. (2014). Influence of Ni concentration on the crystallization of amorphous Si films and on the development of different Ni-silicide phases. Journal of Applied Physics, 116( 12), 123508-1-123508-6. doi:10.1063/1.4896589
NLM
Zanatta AR, Ingram DC, Kordesch ME. Influence of Ni concentration on the crystallization of amorphous Si films and on the development of different Ni-silicide phases [Internet]. Journal of Applied Physics. 2014 ; 116( 12): 123508-1-123508-6.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4896589
Vancouver
Zanatta AR, Ingram DC, Kordesch ME. Influence of Ni concentration on the crystallization of amorphous Si films and on the development of different Ni-silicide phases [Internet]. Journal of Applied Physics. 2014 ; 116( 12): 123508-1-123508-6.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4896589
Artigo de periodico
Valence band tail states in disordered superlattices embedded in wide parabolic 'AL''GA''AS' well (2012)
Santos, L. Fernandes dos; Pusep, Yuri A ; Bakarov, A. K.; Toropov, A. I.
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, L. Fernandes dos et al. Valence band tail states in disordered superlattices embedded in wide parabolic 'AL''GA''AS' well. Journal of Applied Physics, v. 111, n. 12, p. 123523-1-123523-6, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4730769. Acesso em: 08 nov. 2025.
APA
Santos, L. F. dos, Pusep, Y. A., Bakarov, A. K., & Toropov, A. I. (2012). Valence band tail states in disordered superlattices embedded in wide parabolic 'AL''GA''AS' well. Journal of Applied Physics, 111( 12), 123523-1-123523-6. doi:10.1063/1.4730769
NLM
Santos LF dos, Pusep YA, Bakarov AK, Toropov AI. Valence band tail states in disordered superlattices embedded in wide parabolic 'AL''GA''AS' well [Internet]. Journal of Applied Physics. 2012 ; 111( 12): 123523-1-123523-6.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4730769
Vancouver
Santos LF dos, Pusep YA, Bakarov AK, Toropov AI. Valence band tail states in disordered superlattices embedded in wide parabolic 'AL''GA''AS' well [Internet]. Journal of Applied Physics. 2012 ; 111( 12): 123523-1-123523-6.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4730769
Artigo de periodico
Electron and hole scattering in short-period 'IN'GA'AS'/'IN'P superlattices (2011)
Pusep, Yuri A ; Gold, A.; Mamani, N. C.; Godoy, M. P. F.; Gobato, Y. Galvão; LaPierre, R. R.
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Electron and hole scattering in short-period 'IN'GA'AS'/'IN'P superlattices. Journal of Applied Physics, v. 110, n. 7, p. 073706-1-073706-6, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3646365. Acesso em: 08 nov. 2025.
APA
Pusep, Y. A., Gold, A., Mamani, N. C., Godoy, M. P. F., Gobato, Y. G., & LaPierre, R. R. (2011). Electron and hole scattering in short-period 'IN'GA'AS'/'IN'P superlattices. Journal of Applied Physics, 110( 7), 073706-1-073706-6. doi:10.1063/1.3646365
NLM
Pusep YA, Gold A, Mamani NC, Godoy MPF, Gobato YG, LaPierre RR. Electron and hole scattering in short-period 'IN'GA'AS'/'IN'P superlattices [Internet]. Journal of Applied Physics. 2011 ; 110( 7): 073706-1-073706-6.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3646365
Vancouver
Pusep YA, Gold A, Mamani NC, Godoy MPF, Gobato YG, LaPierre RR. Electron and hole scattering in short-period 'IN'GA'AS'/'IN'P superlattices [Internet]. Journal of Applied Physics. 2011 ; 110( 7): 073706-1-073706-6.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3646365
Artigo de periodico
Biaxial strain-induced suppression of spinodal decomposition in GaMnAs and GaCrAs (2010)
Caetano, Clóvis; Teles, L. K.; Marques, Marcelo; Ferreira, Luiz Guimarães
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
CAETANO, Clóvis et al. Biaxial strain-induced suppression of spinodal decomposition in GaMnAs and GaCrAs. Journal of Applied Physics, v. 107, n. 12, p. 123904/1-123904/5, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3448025. Acesso em: 08 nov. 2025.
APA
Caetano, C., Teles, L. K., Marques, M., & Ferreira, L. G. (2010). Biaxial strain-induced suppression of spinodal decomposition in GaMnAs and GaCrAs. Journal of Applied Physics, 107( 12), 123904/1-123904/5. doi:10.1063/1.3448025
NLM
Caetano C, Teles LK, Marques M, Ferreira LG. Biaxial strain-induced suppression of spinodal decomposition in GaMnAs and GaCrAs [Internet]. Journal of Applied Physics. 2010 ; 107( 12): 123904/1-123904/5.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3448025
Vancouver
Caetano C, Teles LK, Marques M, Ferreira LG. Biaxial strain-induced suppression of spinodal decomposition in GaMnAs and GaCrAs [Internet]. Journal of Applied Physics. 2010 ; 107( 12): 123904/1-123904/5.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3448025
Artigo de periodico
Absence of ferromagnetic order in high quality bulk Co-doped ZnO samples (2010)
Carvalho, H B de; Godoy, M P F; Paes, R W D; Mir, M; Ortiz de Zevallos, A; Iikawa, F; Brasil, Maria José Santos Pompeu; Chitta, Valmir Antonio ; Ferraz, W B; Boselli, M A; Sabioni, A C S
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Assuntos: FILMES FINOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
CARVALHO, H B de et al. Absence of ferromagnetic order in high quality bulk Co-doped ZnO samples. Journal of Applied Physics, v. 108, n. 3, p. 33914/1-33914/5, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3459885. Acesso em: 08 nov. 2025.
APA
Carvalho, H. B. de, Godoy, M. P. F., Paes, R. W. D., Mir, M., Ortiz de Zevallos, A., Iikawa, F., et al. (2010). Absence of ferromagnetic order in high quality bulk Co-doped ZnO samples. Journal of Applied Physics, 108( 3), 33914/1-33914/5. doi:10.1063/1.3459885
NLM
Carvalho HB de, Godoy MPF, Paes RWD, Mir M, Ortiz de Zevallos A, Iikawa F, Brasil MJSP, Chitta VA, Ferraz WB, Boselli MA, Sabioni ACS. Absence of ferromagnetic order in high quality bulk Co-doped ZnO samples [Internet]. Journal of Applied Physics. 2010 ; 108( 3): 33914/1-33914/5.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3459885
Vancouver
Carvalho HB de, Godoy MPF, Paes RWD, Mir M, Ortiz de Zevallos A, Iikawa F, Brasil MJSP, Chitta VA, Ferraz WB, Boselli MA, Sabioni ACS. Absence of ferromagnetic order in high quality bulk Co-doped ZnO samples [Internet]. Journal of Applied Physics. 2010 ; 108( 3): 33914/1-33914/5.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3459885
Artigo de periodico
Semiconducting 'Sn IND. 3''O IND.4' nanobelts: growth and electronic structure (2010)
Berengue, O. M.; Simon, R. A.; Chiquito, A. J.; Dalmaschio, C. J.; Leite, E. R.; Guerreiro, H. A.; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Assuntos: DIFRAÇÃO POR RAIOS X, NANOTECNOLOGIA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, OXIDAÇÃO, FILMES FINOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
BERENGUE, O. M. et al. Semiconducting 'Sn IND. 3''O IND.4' nanobelts: growth and electronic structure. Journal of Applied Physics, v. 107, n. 3, p. 033717-1-033717-4, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3294613. Acesso em: 08 nov. 2025.
APA
Berengue, O. M., Simon, R. A., Chiquito, A. J., Dalmaschio, C. J., Leite, E. R., Guerreiro, H. A., & Guimarães, F. E. G. (2010). Semiconducting 'Sn IND. 3''O IND.4' nanobelts: growth and electronic structure. Journal of Applied Physics, 107( 3), 033717-1-033717-4. doi:10.1063/1.3294613
NLM
Berengue OM, Simon RA, Chiquito AJ, Dalmaschio CJ, Leite ER, Guerreiro HA, Guimarães FEG. Semiconducting 'Sn IND. 3''O IND.4' nanobelts: growth and electronic structure [Internet]. Journal of Applied Physics. 2010 ; 107( 3): 033717-1-033717-4.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3294613
Vancouver
Berengue OM, Simon RA, Chiquito AJ, Dalmaschio CJ, Leite ER, Guerreiro HA, Guimarães FEG. Semiconducting 'Sn IND. 3''O IND.4' nanobelts: growth and electronic structure [Internet]. Journal of Applied Physics. 2010 ; 107( 3): 033717-1-033717-4.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3294613
Artigo de periodico
Structural and optical analysis of GaAsP/GaP core-shell nanowires (2009)
Mohseni, P. K.; Rodrigues, A. D.; Galzerani, J. C.; Pusep, Yuri A ; LaPierre, R. R.
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, ESPECTROSCOPIA RAMAN
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ABNT
MOHSENI, P. K. et al. Structural and optical analysis of GaAsP/GaP core-shell nanowires. Journal of Applied Physics, v. 106, n. 12, p. 124306-1-124306-7, 2009Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3269724. Acesso em: 08 nov. 2025.
APA
Mohseni, P. K., Rodrigues, A. D., Galzerani, J. C., Pusep, Y. A., & LaPierre, R. R. (2009). Structural and optical analysis of GaAsP/GaP core-shell nanowires. Journal of Applied Physics, 106( 12), 124306-1-124306-7. doi:10.1063/1.3269724
NLM
Mohseni PK, Rodrigues AD, Galzerani JC, Pusep YA, LaPierre RR. Structural and optical analysis of GaAsP/GaP core-shell nanowires [Internet]. Journal of Applied Physics. 2009 ; 106( 12): 124306-1-124306-7.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3269724
Vancouver
Mohseni PK, Rodrigues AD, Galzerani JC, Pusep YA, LaPierre RR. Structural and optical analysis of GaAsP/GaP core-shell nanowires [Internet]. Journal of Applied Physics. 2009 ; 106( 12): 124306-1-124306-7.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3269724
Artigo de periodico
Artificial molecular quantum rings under magnetic field influence (2009)
Castelano, L. K.; Hai, Guo-Qiang ; Partoens, B; Peeters, F. M.
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, MAGNETISMO, ENERGIA
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ABNT
CASTELANO, L. K. et al. Artificial molecular quantum rings under magnetic field influence. Journal of Applied Physics, v. 106, n. 7, p. 073702-1-073702-8, 2009Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3223360. Acesso em: 08 nov. 2025.
APA
Castelano, L. K., Hai, G. -Q., Partoens, B., & Peeters, F. M. (2009). Artificial molecular quantum rings under magnetic field influence. Journal of Applied Physics, 106( 7), 073702-1-073702-8. doi:10.1063/1.3223360
NLM
Castelano LK, Hai G-Q, Partoens B, Peeters FM. Artificial molecular quantum rings under magnetic field influence [Internet]. Journal of Applied Physics. 2009 ; 106( 7): 073702-1-073702-8.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3223360
Vancouver
Castelano LK, Hai G-Q, Partoens B, Peeters FM. Artificial molecular quantum rings under magnetic field influence [Internet]. Journal of Applied Physics. 2009 ; 106( 7): 073702-1-073702-8.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3223360
Artigo de periodico
Substrate orientation effect on potential fluctuations in multiquantum wells of GaAs/AlGa (2008)
Teodoro, M. D.; Dias, I. F. L.; Laureto, E.; Duarte, J. L.; Borrero, P. P. González; Lourenço, S. A.; Mazzaro, I.; Marega Junior, Euclydes ; Salamo, G. J.
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Assuntos: FOTOLUMINESCÊNCIA, SEMICONDUTORES, GASES, TEMPERATURA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TEODORO, M. D. et al. Substrate orientation effect on potential fluctuations in multiquantum wells of GaAs/AlGa. Journal of Applied Physics, v. 103, n. 9, p. 093508-1-093508-7, 2008Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2913513. Acesso em: 08 nov. 2025.
APA
Teodoro, M. D., Dias, I. F. L., Laureto, E., Duarte, J. L., Borrero, P. P. G., Lourenço, S. A., et al. (2008). Substrate orientation effect on potential fluctuations in multiquantum wells of GaAs/AlGa. Journal of Applied Physics, 103( 9), 093508-1-093508-7. doi:10.1063/1.2913513
NLM
Teodoro MD, Dias IFL, Laureto E, Duarte JL, Borrero PPG, Lourenço SA, Mazzaro I, Marega Junior E, Salamo GJ. Substrate orientation effect on potential fluctuations in multiquantum wells of GaAs/AlGa [Internet]. Journal of Applied Physics. 2008 ; 103( 9): 093508-1-093508-7.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2913513
Vancouver
Teodoro MD, Dias IFL, Laureto E, Duarte JL, Borrero PPG, Lourenço SA, Mazzaro I, Marega Junior E, Salamo GJ. Substrate orientation effect on potential fluctuations in multiquantum wells of GaAs/AlGa [Internet]. Journal of Applied Physics. 2008 ; 103( 9): 093508-1-093508-7.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2913513
Artigo de periodico
Electron-acoustic-phonon scattering and electron relaxation in two-coupled quantum rings (2007)
Piacente, G.; Hai, Guo-Qiang
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Assuntos: ESPECTROSCOPIA, CAMPO MAGNÉTICO, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PIACENTE, G. e HAI, Guo-Qiang. Electron-acoustic-phonon scattering and electron relaxation in two-coupled quantum rings. Journal of Applied Physics, v. 101, n. Ju 2007, p. 124308-1-124308-6, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2748715. Acesso em: 08 nov. 2025.
APA
Piacente, G., & Hai, G. -Q. (2007). Electron-acoustic-phonon scattering and electron relaxation in two-coupled quantum rings. Journal of Applied Physics, 101( Ju 2007), 124308-1-124308-6. doi:10.1063/1.2748715
NLM
Piacente G, Hai G-Q. Electron-acoustic-phonon scattering and electron relaxation in two-coupled quantum rings [Internet]. Journal of Applied Physics. 2007 ; 101( Ju 2007): 124308-1-124308-6.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2748715
Vancouver
Piacente G, Hai G-Q. Electron-acoustic-phonon scattering and electron relaxation in two-coupled quantum rings [Internet]. Journal of Applied Physics. 2007 ; 101( Ju 2007): 124308-1-124308-6.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2748715

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