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Artigo de periodico
Polarization-dependent plasmon-induced doping and strain effects in MoS2 monolayers on gold nanostructures (2025)
Lemes, Matheus Fernandes Sousa ; Pimenta, Ana Clara Sampaio ; Calderón, Gaston Lozano ; Silva, Marcelo de Assumpção Pereira da ; Ames, Alessandra ; Teodoro, Marcio Daldin ; Marega, Guilherme Migliato ; Chiesa, Riccardo ; Wang, Zhenyu ; Kis, Andras ; Marega Junior, Euclydes
Source: ACS Nano. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS
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ABNT
LEMES, Matheus Fernandes Sousa et al. Polarization-dependent plasmon-induced doping and strain effects in MoS2 monolayers on gold nanostructures. ACS Nano, v. 19, n. Ja 2025, p. 2518-2528 + supporting information, 2025Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1021/acsnano.4c13867. Acesso em: 08 out. 2025.
APA
Lemes, M. F. S., Pimenta, A. C. S., Calderón, G. L., Silva, M. de A. P. da, Ames, A., Teodoro, M. D., et al. (2025). Polarization-dependent plasmon-induced doping and strain effects in MoS2 monolayers on gold nanostructures. ACS Nano, 19( Ja 2025), 2518-2528 + supporting information. doi:10.1021/acsnano.4c13867
NLM
Lemes MFS, Pimenta ACS, Calderón GL, Silva M de AP da, Ames A, Teodoro MD, Marega GM, Chiesa R, Wang Z, Kis A, Marega Junior E. Polarization-dependent plasmon-induced doping and strain effects in MoS2 monolayers on gold nanostructures [Internet]. ACS Nano. 2025 ; 19( Ja 2025): 2518-2528 + supporting information.[citado 2025 out. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1021/acsnano.4c13867
Vancouver
Lemes MFS, Pimenta ACS, Calderón GL, Silva M de AP da, Ames A, Teodoro MD, Marega GM, Chiesa R, Wang Z, Kis A, Marega Junior E. Polarization-dependent plasmon-induced doping and strain effects in MoS2 monolayers on gold nanostructures [Internet]. ACS Nano. 2025 ; 19( Ja 2025): 2518-2528 + supporting information.[citado 2025 out. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1021/acsnano.4c13867
Artigo de periodico
Current-voltage modeling of transistors based on two-dimensional molybdenum disulfide (2025)
Souza, Adelcio Marques de ; Celino, Daniel Ricardo ; Ragi, Regiane ; Romero, Murilo Araujo
Source: IEEE Access. Unidade: EESC
Subjects: TRANSISTORES, NANOELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, ENGENHARIA ELÉTRICA
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ABNT
SOUZA, Adelcio Marques de et al. Current-voltage modeling of transistors based on two-dimensional molybdenum disulfide. IEEE Access, v. 13, p. 138112-138124, 2025Tradução . . Disponível em: http://dx.doi.org/10.1109/ACCESS.2025.3595055. Acesso em: 08 out. 2025.
APA
Souza, A. M. de, Celino, D. R., Ragi, R., & Romero, M. A. (2025). Current-voltage modeling of transistors based on two-dimensional molybdenum disulfide. IEEE Access, 13, 138112-138124. doi:10.1109/ACCESS.2025.3595055
NLM
Souza AM de, Celino DR, Ragi R, Romero MA. Current-voltage modeling of transistors based on two-dimensional molybdenum disulfide [Internet]. IEEE Access. 2025 ; 13 138112-138124.[citado 2025 out. 08 ] Available from: http://dx.doi.org/10.1109/ACCESS.2025.3595055
Vancouver
Souza AM de, Celino DR, Ragi R, Romero MA. Current-voltage modeling of transistors based on two-dimensional molybdenum disulfide [Internet]. IEEE Access. 2025 ; 13 138112-138124.[citado 2025 out. 08 ] Available from: http://dx.doi.org/10.1109/ACCESS.2025.3595055
Trabalho de evento
Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET (2023)
Ramos, Daniel Augusto; Sasaki, Kátia Regina Akemi ; Rangel, Ricardo Cardoso; Duarte, Pedro Henrique; Martino, João Antonio
Source: SBMicro. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP
Subjects: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA
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ABNT
RAMOS, Daniel Augusto et al. Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET. 2023, Anais.. [Piscataway, N.J.]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302644. Acesso em: 08 out. 2025.
APA
Ramos, D. A., Sasaki, K. R. A., Rangel, R. C., Duarte, P. H., & Martino, J. A. (2023). Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET. In SBMicro. [Piscataway, N.J.]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302644
NLM
Ramos DA, Sasaki KRA, Rangel RC, Duarte PH, Martino JA. Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2025 out. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302644
Vancouver
Ramos DA, Sasaki KRA, Rangel RC, Duarte PH, Martino JA. Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2025 out. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302644
Trabalho de evento
Trade-off between channel length and mechanical stress in the operational transconductance amplifier designed with SOI FinFET (2023)
Ribeiro, Arllen D.R; Araújo, Gustavo Vinicius de; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der
Source: SBMicro. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP
Subjects: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA
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ABNT
RIBEIRO, Arllen D.R et al. Trade-off between channel length and mechanical stress in the operational transconductance amplifier designed with SOI FinFET. 2023, Anais.. [Piscataway, N.J.]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302575. Acesso em: 08 out. 2025.
APA
Ribeiro, A. D. R., Araújo, G. V. de, Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2023). Trade-off between channel length and mechanical stress in the operational transconductance amplifier designed with SOI FinFET. In SBMicro. [Piscataway, N.J.]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302575
NLM
Ribeiro ADR, Araújo GV de, Martino JA, Agopian PGD. Trade-off between channel length and mechanical stress in the operational transconductance amplifier designed with SOI FinFET [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2025 out. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302575
Vancouver
Ribeiro ADR, Araújo GV de, Martino JA, Agopian PGD. Trade-off between channel length and mechanical stress in the operational transconductance amplifier designed with SOI FinFET [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2025 out. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302575
Artigo de periodico
Observation of the two-photon transition enhanced first hyperpolarizability spectra in cinnamaldehyde derivatives: a femtosecond regime study (2023)
Santos, Carlos Henrique Domingues dos; Cocca, Leandro Henrique Zucolotto ; Pelosi, André Gasparotto; Batista, Vasco Figueiredo; Pinto, Diana Cláudia Gouveia Alves; Faustino, Maria do Amparo Ferreira ; Vivas, Marcelo Gonçalves ; Siqueira, Jonathas de Paula ; Mendonça, Cleber Renato ; De Boni, Leonardo
Source: Journal of Chemical Physics. Unidade: IFSC
Subjects: ÓPTICA NÃO LINEAR, LASER, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
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ABNT
SANTOS, Carlos Henrique Domingues dos et al. Observation of the two-photon transition enhanced first hyperpolarizability spectra in cinnamaldehyde derivatives: a femtosecond regime study. Journal of Chemical Physics, v. 158, n. 21, p. 214201-1-214201-11 + supplementary materials, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/5.0151622. Acesso em: 08 out. 2025.
APA
Santos, C. H. D. dos, Cocca, L. H. Z., Pelosi, A. G., Batista, V. F., Pinto, D. C. G. A., Faustino, M. do A. F., et al. (2023). Observation of the two-photon transition enhanced first hyperpolarizability spectra in cinnamaldehyde derivatives: a femtosecond regime study. Journal of Chemical Physics, 158( 21), 214201-1-214201-11 + supplementary materials. doi:10.1063/5.0151622
NLM
Santos CHD dos, Cocca LHZ, Pelosi AG, Batista VF, Pinto DCGA, Faustino M do AF, Vivas MG, Siqueira J de P, Mendonça CR, De Boni L. Observation of the two-photon transition enhanced first hyperpolarizability spectra in cinnamaldehyde derivatives: a femtosecond regime study [Internet]. Journal of Chemical Physics. 2023 ; 158( 21): 214201-1-214201-11 + supplementary materials.[citado 2025 out. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0151622
Vancouver
Santos CHD dos, Cocca LHZ, Pelosi AG, Batista VF, Pinto DCGA, Faustino M do AF, Vivas MG, Siqueira J de P, Mendonça CR, De Boni L. Observation of the two-photon transition enhanced first hyperpolarizability spectra in cinnamaldehyde derivatives: a femtosecond regime study [Internet]. Journal of Chemical Physics. 2023 ; 158( 21): 214201-1-214201-11 + supplementary materials.[citado 2025 out. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0151622
Parte de monografia/livro
Production and applications of silk fibroin thin films (2023)
Santos, Francisco Vieira dos ; Yoshioka, Sergio Akinobu ; Branciforti, Márcia Cristina
Source: Silk Fibroin: Advances in Applications and Research. Unidades: IQSC, EESC
Subjects: BIOMATERIAIS, FÁRMACOS, ENGENHARIA TECIDUAL, FILMES FINOS, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
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ABNT
SANTOS, Francisco Vieira dos e YOSHIOKA, Sergio Akinobu e BRANCIFORTI, Márcia Cristina. Production and applications of silk fibroin thin films. Silk Fibroin: Advances in Applications and Research. Tradução . New York: Instituto de Química de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2023. . Disponível em: https://doi.org/10.52305/BOCB5641. Acesso em: 08 out. 2025.
APA
Santos, F. V. dos, Yoshioka, S. A., & Branciforti, M. C. (2023). Production and applications of silk fibroin thin films. In Silk Fibroin: Advances in Applications and Research. New York: Instituto de Química de São Carlos, Universidade de São Paulo. doi:10.52305/BOCB5641
NLM
Santos FV dos, Yoshioka SA, Branciforti MC. Production and applications of silk fibroin thin films [Internet]. In: Silk Fibroin: Advances in Applications and Research. New York: Instituto de Química de São Carlos, Universidade de São Paulo; 2023. [citado 2025 out. 08 ] Available from: https://doi.org/10.52305/BOCB5641
Vancouver
Santos FV dos, Yoshioka SA, Branciforti MC. Production and applications of silk fibroin thin films [Internet]. In: Silk Fibroin: Advances in Applications and Research. New York: Instituto de Química de São Carlos, Universidade de São Paulo; 2023. [citado 2025 out. 08 ] Available from: https://doi.org/10.52305/BOCB5641
Trabalho de evento
Al source-drain schottky contact enabling N-type (Back Enhanced) BESOI MOSFET (2022)
Carvalho, Henrique Lanfredi; Rangel, Ricardo Cardoso; Sasaki, Kátia Regina Akemi ; Agopian, Paula Ghedini Der ; Yojo, Leonardo Shimizu; Martino, João Antonio
Source: SBMICRO. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology. Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, ALUMÍNIO, NANOELETRÔNICA, CIRCUITOS ANALÓGICOS
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ABNT
CARVALHO, Henrique Lanfredi et al. Al source-drain schottky contact enabling N-type (Back Enhanced) BESOI MOSFET. 2022, Anais.. Piscataway: IEEE, 2022. p. 1-4. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9880960. Acesso em: 08 out. 2025.
APA
Carvalho, H. L., Rangel, R. C., Sasaki, K. R. A., Agopian, P. G. D., Yojo, L. S., & Martino, J. A. (2022). Al source-drain schottky contact enabling N-type (Back Enhanced) BESOI MOSFET. In SBMICRO (p. 1-4). Piscataway: IEEE. doi:10.1109/SBMICRO55822.2022.9880960
NLM
Carvalho HL, Rangel RC, Sasaki KRA, Agopian PGD, Yojo LS, Martino JA. Al source-drain schottky contact enabling N-type (Back Enhanced) BESOI MOSFET [Internet]. SBMICRO. 2022 ; 1-4.[citado 2025 out. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9880960
Vancouver
Carvalho HL, Rangel RC, Sasaki KRA, Agopian PGD, Yojo LS, Martino JA. Al source-drain schottky contact enabling N-type (Back Enhanced) BESOI MOSFET [Internet]. SBMICRO. 2022 ; 1-4.[citado 2025 out. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9880960
Artigo de periodico
Ionic conductive cellulose mats by solution blow spinning as substrate and a dielectric interstrate layer for flexible electronics (2021)
Claro, Pedro I. C.; Cunha, Inês; Paschoalin, Rafaella Takehara; Gaspar, Diana; Miranda, Kelvi; Oliveira Junior, Osvaldo Novais de ; Martins, Rodrigo; Pereira, Luís; Marconcini, José M.; Fortunato, Elvira ; Mattoso, Luiz H. C.
Source: ACS Applied Materials and Interfaces. Unidade: IFSC
Subjects: NANOTECNOLOGIA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CLARO, Pedro I. C. et al. Ionic conductive cellulose mats by solution blow spinning as substrate and a dielectric interstrate layer for flexible electronics. ACS Applied Materials and Interfaces, v. 13, n. 22, p. 26237-26246 + supporting information: 1-11, 2021Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1021/acsami.1c06274. Acesso em: 08 out. 2025.
APA
Claro, P. I. C., Cunha, I., Paschoalin, R. T., Gaspar, D., Miranda, K., Oliveira Junior, O. N. de, et al. (2021). Ionic conductive cellulose mats by solution blow spinning as substrate and a dielectric interstrate layer for flexible electronics. ACS Applied Materials and Interfaces, 13( 22), 26237-26246 + supporting information: 1-11. doi:10.1021/acsami.1c06274
NLM
Claro PIC, Cunha I, Paschoalin RT, Gaspar D, Miranda K, Oliveira Junior ON de, Martins R, Pereira L, Marconcini JM, Fortunato E, Mattoso LHC. Ionic conductive cellulose mats by solution blow spinning as substrate and a dielectric interstrate layer for flexible electronics [Internet]. ACS Applied Materials and Interfaces. 2021 ; 13( 22): 26237-26246 + supporting information: 1-11.[citado 2025 out. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1021/acsami.1c06274
Vancouver
Claro PIC, Cunha I, Paschoalin RT, Gaspar D, Miranda K, Oliveira Junior ON de, Martins R, Pereira L, Marconcini JM, Fortunato E, Mattoso LHC. Ionic conductive cellulose mats by solution blow spinning as substrate and a dielectric interstrate layer for flexible electronics [Internet]. ACS Applied Materials and Interfaces. 2021 ; 13( 22): 26237-26246 + supporting information: 1-11.[citado 2025 out. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1021/acsami.1c06274
Artigo de periodico
The use of an electronic medication organizer device with alarm to improve medication adherence of older adults with hypertension (2021)
Vieira, Liliana Batista; Reis, Adriano Max Moreira; Ramos, Celso de Ávila; Reis, Tiago Marques dos; Cassiani, Silvia Helena De Bortoli
Source: Einstein (São Paulo). Unidades: EERP, FCFRP
Subjects: HIPERTENSÃO, ADESÃO À MEDICAÇÃO, IDOSOS, DISPOSITIVOS E INSTRUMENTOS MÉDICOS, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
VIEIRA, Liliana Batista et al. The use of an electronic medication organizer device with alarm to improve medication adherence of older adults with hypertension. Einstein (São Paulo), v. 19, p. 1-8, 2021Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.31744/einstein_journal/2021AO6011. Acesso em: 08 out. 2025.
APA
Vieira, L. B., Reis, A. M. M., Ramos, C. de Á., Reis, T. M. dos, & Cassiani, S. H. D. B. (2021). The use of an electronic medication organizer device with alarm to improve medication adherence of older adults with hypertension. Einstein (São Paulo), 19, 1-8. doi:10.31744/einstein_journal/2021AO6011
NLM
Vieira LB, Reis AMM, Ramos C de Á, Reis TM dos, Cassiani SHDB. The use of an electronic medication organizer device with alarm to improve medication adherence of older adults with hypertension [Internet]. Einstein (São Paulo). 2021 ; 19 1-8.[citado 2025 out. 08 ] Available from: https://doi.org/10.31744/einstein_journal/2021AO6011
Vancouver
Vieira LB, Reis AMM, Ramos C de Á, Reis TM dos, Cassiani SHDB. The use of an electronic medication organizer device with alarm to improve medication adherence of older adults with hypertension [Internet]. Einstein (São Paulo). 2021 ; 19 1-8.[citado 2025 out. 08 ] Available from: https://doi.org/10.31744/einstein_journal/2021AO6011
Trabalho de evento
Sistema de medição do índice ultravioleta e de consulta online de informações em tempo real com Datalogger (2017)
Gomes, Leonardo Mariano ; Ventura, Liliane
Source: Anais. Conference titles: VIII Simpósio de Instrumentação e Imagens Médicas - SIIM. Unidade: EESC
Subjects: RADIAÇÃO ULTRAVIOLETA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, ÓCULOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GOMES, Leonardo Mariano e VENTURA, Liliane. Sistema de medição do índice ultravioleta e de consulta online de informações em tempo real com Datalogger. 2017, Anais.. São Bernardo do Campo: Escola de Engenharia de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2017. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b6044a6b-413d-4241-97b4-c19db31f4f3b/sysno3186779_trabalho%2034%20%288%C2%BA%20Simp%C3%B3sio%20de%20Instrumenta%C3%A7%C3%A3o%20e%20Imagens%20M%C3%A9dicas%20%28SIIM%297%C2%BA%20Simp%C3%B3sio%20de%20Processamento%20de%20Sinais%20%28SPS%29%2C%202017%29.pdf. Acesso em: 08 out. 2025.
APA
Gomes, L. M., & Ventura, L. (2017). Sistema de medição do índice ultravioleta e de consulta online de informações em tempo real com Datalogger. In Anais. São Bernardo do Campo: Escola de Engenharia de São Carlos, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/b6044a6b-413d-4241-97b4-c19db31f4f3b/sysno3186779_trabalho%2034%20%288%C2%BA%20Simp%C3%B3sio%20de%20Instrumenta%C3%A7%C3%A3o%20e%20Imagens%20M%C3%A9dicas%20%28SIIM%297%C2%BA%20Simp%C3%B3sio%20de%20Processamento%20de%20Sinais%20%28SPS%29%2C%202017%29.pdf
NLM
Gomes LM, Ventura L. Sistema de medição do índice ultravioleta e de consulta online de informações em tempo real com Datalogger [Internet]. Anais. 2017 ;[citado 2025 out. 08 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b6044a6b-413d-4241-97b4-c19db31f4f3b/sysno3186779_trabalho%2034%20%288%C2%BA%20Simp%C3%B3sio%20de%20Instrumenta%C3%A7%C3%A3o%20e%20Imagens%20M%C3%A9dicas%20%28SIIM%297%C2%BA%20Simp%C3%B3sio%20de%20Processamento%20de%20Sinais%20%28SPS%29%2C%202017%29.pdf
Vancouver
Gomes LM, Ventura L. Sistema de medição do índice ultravioleta e de consulta online de informações em tempo real com Datalogger [Internet]. Anais. 2017 ;[citado 2025 out. 08 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b6044a6b-413d-4241-97b4-c19db31f4f3b/sysno3186779_trabalho%2034%20%288%C2%BA%20Simp%C3%B3sio%20de%20Instrumenta%C3%A7%C3%A3o%20e%20Imagens%20M%C3%A9dicas%20%28SIIM%297%C2%BA%20Simp%C3%B3sio%20de%20Processamento%20de%20Sinais%20%28SPS%29%2C%202017%29.pdf
Artigo de periodico
DIBL behavior of triple gate FinFETs with SEG on biaxial strained devices (2010)
Santos, Sara Dereste dos ; Nicoletti, Talitha; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor
Source: Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. Unidade: EP
Assunto: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, Sara Dereste dos et al. DIBL behavior of triple gate FinFETs with SEG on biaxial strained devices. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, v. 31, n. 1, p. 51-58, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1149/1.3474141. Acesso em: 08 out. 2025.
APA
Santos, S. D. dos, Nicoletti, T., Martino, J. A., Simoen, E., & Claeys, C. (2010). DIBL behavior of triple gate FinFETs with SEG on biaxial strained devices. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, 31( 1), 51-58. doi:10.1149/1.3474141
NLM
Santos SD dos, Nicoletti T, Martino JA, Simoen E, Claeys C. DIBL behavior of triple gate FinFETs with SEG on biaxial strained devices [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 51-58.[citado 2025 out. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474141
Vancouver
Santos SD dos, Nicoletti T, Martino JA, Simoen E, Claeys C. DIBL behavior of triple gate FinFETs with SEG on biaxial strained devices [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 51-58.[citado 2025 out. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474141

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