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Artigo de periodico
Fe and Mn atoms interacting with carbon nanotubes (2003)
Fagan, Solange B; Mota, R; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto
Fonte: Physica B. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, MAGNETISMO
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ABNT
FAGAN, Solange B et al. Fe and Mn atoms interacting with carbon nanotubes. Physica B, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.187. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Fagan, S. B., Mota, R., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2003). Fe and Mn atoms interacting with carbon nanotubes. Physica B. doi:10.1016/j.physb.2003.09.187
NLM
Fagan SB, Mota R, Silva AJR da, Fazzio A. Fe and Mn atoms interacting with carbon nanotubes [Internet]. Physica B. 2003 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.187
Vancouver
Fagan SB, Mota R, Silva AJR da, Fazzio A. Fe and Mn atoms interacting with carbon nanotubes [Internet]. Physica B. 2003 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.187
Artigo de periodico
Electronic structure and origin of ferromagnetism in 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'As semiconductors (2003)
Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto ; Santos, Raimundo R dos; Oliveira, Luiz E
Fonte: Physica B. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
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ABNT
SILVA, Antonio Jose Roque da et al. Electronic structure and origin of ferromagnetism in 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'As semiconductors. Physica B, 2003Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TVH-4B28YBV-B-J&_cdi=5535&_orig=browse&_coverDate=12%2F31%2F2003&_sk=996599999&view=c&wchp=dGLbVtb-zSkzk&_acct=C000049650&_version=1&_userid=972067&md5=8724caceca1cfb553900d7340c39a140&ie=f.pdf. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Silva, A. J. R. da, Fazzio, A., Santos, R. R. dos, & Oliveira, L. E. (2003). Electronic structure and origin of ferromagnetism in 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'As semiconductors. Physica B. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TVH-4B28YBV-B-J&_cdi=5535&_orig=browse&_coverDate=12%2F31%2F2003&_sk=996599999&view=c&wchp=dGLbVtb-zSkzk&_acct=C000049650&_version=1&_userid=972067&md5=8724caceca1cfb553900d7340c39a140&ie=f.pdf
NLM
Silva AJR da, Fazzio A, Santos RR dos, Oliveira LE. Electronic structure and origin of ferromagnetism in 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'As semiconductors [Internet]. Physica B. 2003 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TVH-4B28YBV-B-J&_cdi=5535&_orig=browse&_coverDate=12%2F31%2F2003&_sk=996599999&view=c&wchp=dGLbVtb-zSkzk&_acct=C000049650&_version=1&_userid=972067&md5=8724caceca1cfb553900d7340c39a140&ie=f.pdf
Vancouver
Silva AJR da, Fazzio A, Santos RR dos, Oliveira LE. Electronic structure and origin of ferromagnetism in 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'As semiconductors [Internet]. Physica B. 2003 ;[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TVH-4B28YBV-B-J&_cdi=5535&_orig=browse&_coverDate=12%2F31%2F2003&_sk=996599999&view=c&wchp=dGLbVtb-zSkzk&_acct=C000049650&_version=1&_userid=972067&md5=8724caceca1cfb553900d7340c39a140&ie=f.pdf
Artigo de periodico
Dopant interaction with a dislocation in silicon: local and non-local effects (2001)
Antonelli, Alex; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, Adalberto
Fonte: Physica B. Unidade: IF
Assuntos: FILMES FINOS, MUDANÇA DE FASE, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
ANTONELLI, Alex e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Dopant interaction with a dislocation in silicon: local and non-local effects. Physica B, v. 308, p. 470-473, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00743-8. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Antonelli, A., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (2001). Dopant interaction with a dislocation in silicon: local and non-local effects. Physica B, 308, 470-473. doi:10.1016/s0921-4526(01)00743-8
NLM
Antonelli A, Justo Filho JF, Fazzio A. Dopant interaction with a dislocation in silicon: local and non-local effects [Internet]. Physica B. 2001 ; 308 470-473.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00743-8
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Antonelli A, Justo Filho JF, Fazzio A. Dopant interaction with a dislocation in silicon: local and non-local effects [Internet]. Physica B. 2001 ; 308 470-473.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00743-8
Artigo de periodico
Native defects in germanium (2001)
Silva, Antonio Jose Roque da ; Baierle, Rogerio Jose; Mota, R.; Fazzio, Adalberto
Fonte: Physica B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
SILVA, Antonio Jose Roque da et al. Native defects in germanium. Physica B, v. 302-303, p. 363-368, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00455-0. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Silva, A. J. R. da, Baierle, R. J., Mota, R., & Fazzio, A. (2001). Native defects in germanium. Physica B, 302-303, 363-368. doi:10.1016/s0921-4526(01)00455-0
NLM
Silva AJR da, Baierle RJ, Mota R, Fazzio A. Native defects in germanium [Internet]. Physica B. 2001 ; 302-303 363-368.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00455-0
Vancouver
Silva AJR da, Baierle RJ, Mota R, Fazzio A. Native defects in germanium [Internet]. Physica B. 2001 ; 302-303 363-368.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00455-0
Artigo de periodico
Electrically active centers in partial dislocations in semiconductors (2001)
Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, Adalberto
Fonte: Physica B. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Electrically active centers in partial dislocations in semiconductors. Physica B, v. 308, p. 489-492, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00819-5. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (2001). Electrically active centers in partial dislocations in semiconductors. Physica B, 308, 489-492. doi:10.1016/s0921-4526(01)00819-5
NLM
Justo Filho JF, Fazzio A. Electrically active centers in partial dislocations in semiconductors [Internet]. Physica B. 2001 ; 308 489-492.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00819-5
Vancouver
Justo Filho JF, Fazzio A. Electrically active centers in partial dislocations in semiconductors [Internet]. Physica B. 2001 ; 308 489-492.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00819-5
Artigo de periodico
Segregation of dopant atoms on extended defects in semiconductors (2001)
Justo Filho, João Francisco ; Schmidt, T M; Fazzio, Adalberto ; Antonelli, A
Fonte: Physica B. Unidade: IF
Assuntos: MATERIAIS (PROPRIEDADES MECÂNICAS), ACÚSTICA (PROPRIEDADES MECÂNICAS), ESTRUTURA DOS SÓLIDOS, MECÂNICA DOS LÍQUIDOS, CRISTALOGRAFIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco et al. Segregation of dopant atoms on extended defects in semiconductors. Physica B, v. 302, n. 403-407, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00462-8. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Justo Filho, J. F., Schmidt, T. M., Fazzio, A., & Antonelli, A. (2001). Segregation of dopant atoms on extended defects in semiconductors. Physica B, 302( 403-407). doi:10.1016/s0921-4526(01)00462-8
NLM
Justo Filho JF, Schmidt TM, Fazzio A, Antonelli A. Segregation of dopant atoms on extended defects in semiconductors [Internet]. Physica B. 2001 ; 302( 403-407):[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00462-8
Vancouver
Justo Filho JF, Schmidt TM, Fazzio A, Antonelli A. Segregation of dopant atoms on extended defects in semiconductors [Internet]. Physica B. 2001 ; 302( 403-407):[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00462-8
Artigo de periodico
The energetics of dislocation cores in semiconductors and their role on dislocation mobility (2001)
Justo Filho, João Francisco ; Antonelli, Alex; Fazzio, Adalberto
Fonte: Physica B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco e ANTONELLI, Alex e FAZZIO, Adalberto. The energetics of dislocation cores in semiconductors and their role on dislocation mobility. Physica B, v. 302-303, p. 398-402, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00461-6. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Justo Filho, J. F., Antonelli, A., & Fazzio, A. (2001). The energetics of dislocation cores in semiconductors and their role on dislocation mobility. Physica B, 302-303, 398-402. doi:10.1016/s0921-4526(01)00461-6
NLM
Justo Filho JF, Antonelli A, Fazzio A. The energetics of dislocation cores in semiconductors and their role on dislocation mobility [Internet]. Physica B. 2001 ; 302-303 398-402.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00461-6
Vancouver
Justo Filho JF, Antonelli A, Fazzio A. The energetics of dislocation cores in semiconductors and their role on dislocation mobility [Internet]. Physica B. 2001 ; 302-303 398-402.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00461-6
Artigo de periodico
Effects of extended defects on the properties of intrinsic and extrinsic point defects in silicon (1999)
Justo Filho, João Francisco ; Antonelli, Alex; Schmidt, T. M.; Fazzio, Adalberto
Fonte: Physica B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco et al. Effects of extended defects on the properties of intrinsic and extrinsic point defects in silicon. Physica B, v. 274, p. 473-475, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00528-1. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Justo Filho, J. F., Antonelli, A., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (1999). Effects of extended defects on the properties of intrinsic and extrinsic point defects in silicon. Physica B, 274, 473-475. doi:10.1016/s0921-4526(99)00528-1
NLM
Justo Filho JF, Antonelli A, Schmidt TM, Fazzio A. Effects of extended defects on the properties of intrinsic and extrinsic point defects in silicon [Internet]. Physica B. 1999 ; 274 473-475.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00528-1
Vancouver
Justo Filho JF, Antonelli A, Schmidt TM, Fazzio A. Effects of extended defects on the properties of intrinsic and extrinsic point defects in silicon [Internet]. Physica B. 1999 ; 274 473-475.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00528-1
Artigo de periodico
Intrinsic doping in InP: ab initio calculations of P-In antisites (1999)
Schmidt, T. M.; Miwa, Roberto Hiroki; Fazzio, Adalberto ; Mota, R.
Fonte: Physica B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHMIDT, T. M. et al. Intrinsic doping in InP: ab initio calculations of P-In antisites. Physica B, v. 273-274, p. 831-834, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00515-3. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Schmidt, T. M., Miwa, R. H., Fazzio, A., & Mota, R. (1999). Intrinsic doping in InP: ab initio calculations of P-In antisites. Physica B, 273-274, 831-834. doi:10.1016/s0921-4526(99)00515-3
NLM
Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A, Mota R. Intrinsic doping in InP: ab initio calculations of P-In antisites [Internet]. Physica B. 1999 ; 273-274 831-834.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00515-3
Vancouver
Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A, Mota R. Intrinsic doping in InP: ab initio calculations of P-In antisites [Internet]. Physica B. 1999 ; 273-274 831-834.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00515-3
Artigo de periodico
Electronic and structural properties of vacancy and self-interstitial defects in germanium (1999)
Janotti, A.; Baierle, Rogerio Jose; Silva, Antônio J. R. da; Mota, R.; Fazzio, Adalberto
Fonte: Physica B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JANOTTI, A. et al. Electronic and structural properties of vacancy and self-interstitial defects in germanium. Physica B, v. 274, p. 575-578, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00576-1. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Janotti, A., Baierle, R. J., Silva, A. J. R. da, Mota, R., & Fazzio, A. (1999). Electronic and structural properties of vacancy and self-interstitial defects in germanium. Physica B, 274, 575-578. doi:10.1016/s0921-4526(99)00576-1
NLM
Janotti A, Baierle RJ, Silva AJR da, Mota R, Fazzio A. Electronic and structural properties of vacancy and self-interstitial defects in germanium [Internet]. Physica B. 1999 ; 274 575-578.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00576-1
Vancouver
Janotti A, Baierle RJ, Silva AJR da, Mota R, Fazzio A. Electronic and structural properties of vacancy and self-interstitial defects in germanium [Internet]. Physica B. 1999 ; 274 575-578.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00576-1
Artigo de periodico
Initial stages of Ge growth on Si(100): ad-atoms, ad-dimers, and ad-trimers (1999)
Dalpian, Gustavo Martini ; Janotti, A.; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antônio J. R. da
Fonte: Physica B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DALPIAN, Gustavo Martini et al. Initial stages of Ge growth on Si(100): ad-atoms, ad-dimers, and ad-trimers. Physica B, v. 273-274, p. 589-592, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00580-3. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Dalpian, G. M., Janotti, A., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (1999). Initial stages of Ge growth on Si(100): ad-atoms, ad-dimers, and ad-trimers. Physica B, 273-274, 589-592. doi:10.1016/s0921-4526(99)00580-3
NLM
Dalpian GM, Janotti A, Fazzio A, Silva AJR da. Initial stages of Ge growth on Si(100): ad-atoms, ad-dimers, and ad-trimers [Internet]. Physica B. 1999 ; 273-274 589-592.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00580-3
Vancouver
Dalpian GM, Janotti A, Fazzio A, Silva AJR da. Initial stages of Ge growth on Si(100): ad-atoms, ad-dimers, and ad-trimers [Internet]. Physica B. 1999 ; 273-274 589-592.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00580-3

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