Initial stages of Ge growth on Si(100): ad-atoms, ad-dimers, and ad-trimers

Initial stages of Ge growth on Si(100): ad-atoms, ad-dimers, and ad-trimers (1999)

Authors:
USP affiliated author: FAZZIO, ADALBERTO - IF
School: IF
DOI: 10.1016/s0921-4526(99)00580-3
Subject: FÍSICA
Language: Inglês
Imprenta:
- Place of publication: Amsterdam
- Date published: 1999
Source:
- Título do periódico: Physica B
- ISSN: 0921-4526
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 273-274, p. 589-592, 1999

Informações sobre o DOI: 10.1016/s0921-4526(99)00580-3 (Fonte: oaDOI API)

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ABNT

DALPIAN, G. M.; JANOTTI, A.; FAZZIO, Adalberto; SILVA, Antônio J. R. da. Initial stages of Ge growth on Si(100): ad-atoms, ad-dimers, and ad-trimers. Physica B, Amsterdam, v. 273-274, p. 589-592, 1999. DOI: 10.1016/s0921-4526(99)00580-3.
APA

Dalpian, G. M., Janotti, A., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (1999). Initial stages of Ge growth on Si(100): ad-atoms, ad-dimers, and ad-trimers. Physica B, 273-274, 589-592. doi:10.1016/s0921-4526(99)00580-3
NLM

Dalpian GM, Janotti A, Fazzio A, Silva AJR da. Initial stages of Ge growth on Si(100): ad-atoms, ad-dimers, and ad-trimers. Physica B. 1999 ; 273-274 589-592.
Vancouver

Dalpian GM, Janotti A, Fazzio A, Silva AJR da. Initial stages of Ge growth on Si(100): ad-atoms, ad-dimers, and ad-trimers. Physica B. 1999 ; 273-274 589-592.