Initial stages of Ge growth on Si(100): ad-atoms, ad-dimers, and ad-trimers (1999)
- Authors:
- USP affiliated authors: FAZZIO, ADALBERTO - IF
- Unidades: IF
- DOI: 10.1016/s0921-4526(99)00580-3
- Subjects: FÍSICA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: Elsevier Science
- Place of publication: Amsterdam
- Date published: 1999
- Source:
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
DALPIAN, G. M.; JANOTTI, A.; FAZZIO, Adalberto; SILVA, Antônio J. R. da. Initial stages of Ge growth on Si(100): ad-atoms, ad-dimers, and ad-trimers. Physica B, Amsterdam, Elsevier Science, v. 273-274, p. 589-592, 1999. DOI: 10.1016/s0921-4526(99)00580-3. -
APA
Dalpian, G. M., Janotti, A., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (1999). Initial stages of Ge growth on Si(100): ad-atoms, ad-dimers, and ad-trimers. Physica B, 273-274, 589-592. doi:10.1016/s0921-4526(99)00580-3 -
NLM
Dalpian GM, Janotti A, Fazzio A, Silva AJR da. Initial stages of Ge growth on Si(100): ad-atoms, ad-dimers, and ad-trimers. Physica B. 1999 ; 273-274 589-592. -
Vancouver
Dalpian GM, Janotti A, Fazzio A, Silva AJR da. Initial stages of Ge growth on Si(100): ad-atoms, ad-dimers, and ad-trimers. Physica B. 1999 ; 273-274 589-592. - Investigação ab initio das junções moleculares Au-BDAH4 (BDA)-Au
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Informações sobre o DOI: 10.1016/s0921-4526(99)00580-3 (Fonte: oaDOI API)
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