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Artigo de periodico
Effects of disorder on the exchange coupling in (Ga,Mn)As diluted magnetic semiconductors (2006)
Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto ; Santos, Raimundo R dos; Oliveira, Luiz E
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
SILVA, Antonio Jose Roque da et al. Effects of disorder on the exchange coupling in (Ga,Mn)As diluted magnetic semiconductors. Brazilian Journal of Physics, v. 36, n. 3B, p. 813-816, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000600004. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Silva, A. J. R. da, Fazzio, A., Santos, R. R. dos, & Oliveira, L. E. (2006). Effects of disorder on the exchange coupling in (Ga,Mn)As diluted magnetic semiconductors. Brazilian Journal of Physics, 36( 3B), 813-816. doi:10.1590/s0103-97332006000600004
NLM
Silva AJR da, Fazzio A, Santos RR dos, Oliveira LE. Effects of disorder on the exchange coupling in (Ga,Mn)As diluted magnetic semiconductors [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 3B): 813-816.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000600004
Vancouver
Silva AJR da, Fazzio A, Santos RR dos, Oliveira LE. Effects of disorder on the exchange coupling in (Ga,Mn)As diluted magnetic semiconductors [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 3B): 813-816.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000600004
Artigo de periodico
First principles calculations of As impurities in the presence of a "90 GRAUS" partial dislocation in Si (2006)
Schmidt, T M; Arantes Junior, Jeverson Teodoro; Fazzio, Adalberto
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SCHMIDT, T M e ARANTES JUNIOR, Jeverson Teodoro e FAZZIO, Adalberto. First principles calculations of As impurities in the presence of a "90 GRAUS" partial dislocation in Si. Brazilian Journal of Physics, v. 36, n. 2A, p. 261-263, 2006Tradução . . Disponível em: http://www.sbfisica.org.br/bjp/files/v36_261.pdf. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Schmidt, T. M., Arantes Junior, J. T., & Fazzio, A. (2006). First principles calculations of As impurities in the presence of a "90 GRAUS" partial dislocation in Si. Brazilian Journal of Physics, 36( 2A), 261-263. Recuperado de http://www.sbfisica.org.br/bjp/files/v36_261.pdf
NLM
Schmidt TM, Arantes Junior JT, Fazzio A. First principles calculations of As impurities in the presence of a "90 GRAUS" partial dislocation in Si [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 261-263.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://www.sbfisica.org.br/bjp/files/v36_261.pdf
Vancouver
Schmidt TM, Arantes Junior JT, Fazzio A. First principles calculations of As impurities in the presence of a "90 GRAUS" partial dislocation in Si [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 261-263.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://www.sbfisica.org.br/bjp/files/v36_261.pdf
Artigo de periodico
Density functional theory method for non-equilibrium charge transport calculations: TRANSAMPA (2006)
Novaes, Frederico Dutilh; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
NOVAES, Frederico Dutilh e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Density functional theory method for non-equilibrium charge transport calculations: TRANSAMPA. Brazilian Journal of Physics, v. 36, n. 3A, p. 799-807, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000500039. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Novaes, F. D., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2006). Density functional theory method for non-equilibrium charge transport calculations: TRANSAMPA. Brazilian Journal of Physics, 36( 3A), 799-807. doi:10.1590/s0103-97332006000500039
NLM
Novaes FD, Silva AJR da, Fazzio A. Density functional theory method for non-equilibrium charge transport calculations: TRANSAMPA [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 3A): 799-807.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000500039
Vancouver
Novaes FD, Silva AJR da, Fazzio A. Density functional theory method for non-equilibrium charge transport calculations: TRANSAMPA [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 3A): 799-807.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000500039
Artigo de periodico
Defect centers in 'alfa'-Si'N IND.X': electronic and structural properties (2002)
Mota, F de Brito; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, Adalberto
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
MOTA, F de Brito e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Defect centers in 'alfa'-Si'N IND.X': electronic and structural properties. Brazilian Journal of Physics, v. 32, n. 2A, p. 436-438, 2002Tradução . . Disponível em: http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_436.pdf. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Mota, F. de B., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (2002). Defect centers in 'alfa'-Si'N IND.X': electronic and structural properties. Brazilian Journal of Physics, 32( 2A), 436-438. Recuperado de http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_436.pdf
NLM
Mota F de B, Justo Filho JF, Fazzio A. Defect centers in 'alfa'-Si'N IND.X': electronic and structural properties [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 436-438.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_436.pdf
Vancouver
Mota F de B, Justo Filho JF, Fazzio A. Defect centers in 'alfa'-Si'N IND.X': electronic and structural properties [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 436-438.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_436.pdf
Trabalho de evento-anais periodico
Electronic and structural properties of complex defects in GaAs (1998)
Janotti, A.; Fazzio, Adalberto ; Piquini, P; Mota, R.
Source: Brazilian Journal of Physics. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
JANOTTI, A. et al. Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. . Acesso em: 05 dez. 2025. , 1998
APA
Janotti, A., Fazzio, A., Piquini, P., & Mota, R. (1998). Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Janotti A, Fazzio A, Piquini P, Mota R. Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics. 1998 ; 27A( 4): 110-115.[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Janotti A, Fazzio A, Piquini P, Mota R. Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics. 1998 ; 27A( 4): 110-115.[citado 2025 dez. 05 ]
Artigo de periodico
Electronic and structural properties of complex defects in GaAs (1997)
Janotti, A.; Fazzio, Adalberto ; Piquini, P; Mota, R.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JANOTTI, A. et al. Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics, v. 27A, n. 4, p. 110-113, 1997Tradução . . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Janotti, A., Fazzio, A., Piquini, P., & Mota, R. (1997). Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics, 27A( 4), 110-113.
NLM
Janotti A, Fazzio A, Piquini P, Mota R. Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics. 1997 ; 27A( 4): 110-113.[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Janotti A, Fazzio A, Piquini P, Mota R. Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics. 1997 ; 27A( 4): 110-113.[citado 2025 dez. 05 ]
Trabalho de evento-anais periodico
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP-8 (1997)
Fazzio, Adalberto ; Ferraz, A. C.
Source: Brazilian Journal of Physics. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAZZIO, Adalberto e FERRAZ, A. C. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP-8. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. . Acesso em: 05 dez. 2025. , 1997
APA
Fazzio, A., & Ferraz, A. C. (1997). Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP-8. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Fazzio A, Ferraz AC. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP-8. Brazilian Journal of Physics. 1997 ; 27A( 4): 344.[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Fazzio A, Ferraz AC. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP-8. Brazilian Journal of Physics. 1997 ; 27A( 4): 344.[citado 2025 dez. 05 ]
Artigo de periodico
Metastability in periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS' (1996)
Schmidt, T M; Fazzio, Adalberto
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHMIDT, T M e FAZZIO, Adalberto. Metastability in periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS'. Brazilian Journal of Physics, v. 26, n. 1 , p. 392-4, 1996Tradução . . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (1996). Metastability in periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS'. Brazilian Journal of Physics, 26( 1 ), 392-4.
NLM
Schmidt TM, Fazzio A. Metastability in periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS'. Brazilian Journal of Physics. 1996 ;26( 1 ): 392-4.[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Schmidt TM, Fazzio A. Metastability in periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS'. Brazilian Journal of Physics. 1996 ;26( 1 ): 392-4.[citado 2025 dez. 05 ]
Artigo de periodico
Interaction of atoms with 'GA''AS' [110] surface using local softness model (1996)
Piquini, P; Dal Pino Junior, A; Fazzio, Adalberto
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PIQUINI, P e DAL PINO JUNIOR, A e FAZZIO, Adalberto. Interaction of atoms with 'GA''AS' [110] surface using local softness model. Brazilian Journal of Physics, v. 26, n. 1 , p. 277-9, 1996Tradução . . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Piquini, P., Dal Pino Junior, A., & Fazzio, A. (1996). Interaction of atoms with 'GA''AS' [110] surface using local softness model. Brazilian Journal of Physics, 26( 1 ), 277-9.
NLM
Piquini P, Dal Pino Junior A, Fazzio A. Interaction of atoms with 'GA''AS' [110] surface using local softness model. Brazilian Journal of Physics. 1996 ;26( 1 ): 277-9.[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Piquini P, Dal Pino Junior A, Fazzio A. Interaction of atoms with 'GA''AS' [110] surface using local softness model. Brazilian Journal of Physics. 1996 ;26( 1 ): 277-9.[citado 2025 dez. 05 ]
Artigo de periodico
Configurational and electronic properties of amorphous semiconductors (1994)
Venezuela, P P M; Canuto, Sylvio Roberto Accioly ; Fazzio, Adalberto
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
VENEZUELA, P P M e CANUTO, Sylvio Roberto Accioly e FAZZIO, Adalberto. Configurational and electronic properties of amorphous semiconductors. Brazilian Journal of Physics, v. 24, n. 4 , p. 942-7, 1994Tradução . . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Venezuela, P. P. M., Canuto, S. R. A., & Fazzio, A. (1994). Configurational and electronic properties of amorphous semiconductors. Brazilian Journal of Physics, 24( 4 ), 942-7.
NLM
Venezuela PPM, Canuto SRA, Fazzio A. Configurational and electronic properties of amorphous semiconductors. Brazilian Journal of Physics. 1994 ;24( 4 ): 942-7.[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Venezuela PPM, Canuto SRA, Fazzio A. Configurational and electronic properties of amorphous semiconductors. Brazilian Journal of Physics. 1994 ;24( 4 ): 942-7.[citado 2025 dez. 05 ]

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