Electronic and structural properties of complex defects in GaAs (1997)
- Authors:
- Autor USP: FAZZIO, ADALBERTO - IF
- Unidade: IF
- Assunto: FÍSICA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Brazilian Journal of Physics
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 27A, n. 4, p. 110-113, 1997
-
ABNT
JANOTTI, A. et al. Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics, v. 27A, n. 4, p. 110-113, 1997Tradução . . Acesso em: 19 mar. 2024. -
APA
Janotti, A., Fazzio, A., Piquini, P., & Mota, R. (1997). Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics, 27A( 4), 110-113. -
NLM
Janotti A, Fazzio A, Piquini P, Mota R. Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics. 1997 ; 27A( 4): 110-113.[citado 2024 mar. 19 ] -
Vancouver
Janotti A, Fazzio A, Piquini P, Mota R. Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics. 1997 ; 27A( 4): 110-113.[citado 2024 mar. 19 ] - Spectral distribution of photoionization cross section of 'FE POT.2+' in inp: 'FE'
- Terras raras em gap
- Estrutura eletronica e geometrica dos clusters de 'GA IND.N' 'AS IND.M' (n,m = 1-3)
- Estrutura eletronica da microestrutura: 'GA IND.N' 'AS IND.M'
- Role played by n and n-n impurities in type-'IV' semiconductors
- Theoretical investigation of the optical spectra of superconducting 'YBA IND.2''CU IND.3''O IND.7'
- Electronic structure of periodically 'SI'-'GAMA'-doped'GA''AS'
- Theoretical investigation of '3D POT.N' and '4D POT.N' impurities in gan
- Optical transitions in ruby across the corundum to 'Rh IND.2''O IND.3' (II) phase transformation
- Gap e 'GA''AS' dopados com 'V POT.2+': baixo spin x alto spin
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas