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Artigo de periodico
Dopant interaction with a dislocation in silicon: local and non-local effects (2001)
Antonelli, Alex; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, Adalberto
Source: Physica B. Unidade: IF
Subjects: FILMES FINOS, MUDANÇA DE FASE, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
ANTONELLI, Alex e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Dopant interaction with a dislocation in silicon: local and non-local effects. Physica B, v. 308, p. 470-473, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00743-8. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Antonelli, A., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (2001). Dopant interaction with a dislocation in silicon: local and non-local effects. Physica B, 308, 470-473. doi:10.1016/s0921-4526(01)00743-8
NLM
Antonelli A, Justo Filho JF, Fazzio A. Dopant interaction with a dislocation in silicon: local and non-local effects [Internet]. Physica B. 2001 ; 308 470-473.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00743-8
Vancouver
Antonelli A, Justo Filho JF, Fazzio A. Dopant interaction with a dislocation in silicon: local and non-local effects [Internet]. Physica B. 2001 ; 308 470-473.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00743-8
Artigo de periodico
Native defects in germanium (2001)
Silva, Antonio Jose Roque da ; Baierle, Rogerio Jose; Mota, R.; Fazzio, Adalberto
Source: Physica B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
SILVA, Antonio Jose Roque da et al. Native defects in germanium. Physica B, v. 302-303, p. 363-368, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00455-0. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Silva, A. J. R. da, Baierle, R. J., Mota, R., & Fazzio, A. (2001). Native defects in germanium. Physica B, 302-303, 363-368. doi:10.1016/s0921-4526(01)00455-0
NLM
Silva AJR da, Baierle RJ, Mota R, Fazzio A. Native defects in germanium [Internet]. Physica B. 2001 ; 302-303 363-368.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00455-0
Vancouver
Silva AJR da, Baierle RJ, Mota R, Fazzio A. Native defects in germanium [Internet]. Physica B. 2001 ; 302-303 363-368.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00455-0
Artigo de periodico
Dislocation core properties in semiconductors (2001)
Justo Filho, João Francisco ; Antonelli, Alex; Fazzio, Adalberto
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco e ANTONELLI, Alex e FAZZIO, Adalberto. Dislocation core properties in semiconductors. Solid State Communications, v. 118, n. 12, p. 651-655, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(01)00197-1. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Justo Filho, J. F., Antonelli, A., & Fazzio, A. (2001). Dislocation core properties in semiconductors. Solid State Communications, 118( 12), 651-655. doi:10.1016/s0038-1098(01)00197-1
NLM
Justo Filho JF, Antonelli A, Fazzio A. Dislocation core properties in semiconductors [Internet]. Solid State Communications. 2001 ; 118( 12): 651-655.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(01)00197-1
Vancouver
Justo Filho JF, Antonelli A, Fazzio A. Dislocation core properties in semiconductors [Internet]. Solid State Communications. 2001 ; 118( 12): 651-655.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(01)00197-1
Artigo de periodico
'O IND.2' diffusion in Si'O IND.2': triplet versus singlet (2001)
Orellana, W; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review Letters. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ELASTICIDADE, MATERIAIS
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ABNT
ORELLANA, W e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. 'O IND.2' diffusion in Si'O IND.2': triplet versus singlet. Physical Review Letters, v. 87, n. 15, p. 5901/1-5901/4, 2001Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000087000015155901000001&idtype=cvips. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Orellana, W., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2001). 'O IND.2' diffusion in Si'O IND.2': triplet versus singlet. Physical Review Letters, 87( 15), 5901/1-5901/4. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000087000015155901000001&idtype=cvips
NLM
Orellana W, Silva AJR da, Fazzio A. 'O IND.2' diffusion in Si'O IND.2': triplet versus singlet [Internet]. Physical Review Letters. 2001 ; 87( 15): 5901/1-5901/4.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000087000015155901000001&idtype=cvips
Vancouver
Orellana W, Silva AJR da, Fazzio A. 'O IND.2' diffusion in Si'O IND.2': triplet versus singlet [Internet]. Physical Review Letters. 2001 ; 87( 15): 5901/1-5901/4.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000087000015155901000001&idtype=cvips
Trabalho de evento-resumo
Estudo sistemático da liga SiGe e seus defeitos intrínsecos (2001)
Venezuela, Pedro; Dalpian, Gustavo Martini ; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
VENEZUELA, Pedro et al. Estudo sistemático da liga SiGe e seus defeitos intrínsecos. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Venezuela, P., Dalpian, G. M., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2001). Estudo sistemático da liga SiGe e seus defeitos intrínsecos. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Venezuela P, Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Estudo sistemático da liga SiGe e seus defeitos intrínsecos. Resumos. 2001 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Venezuela P, Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Estudo sistemático da liga SiGe e seus defeitos intrínsecos. Resumos. 2001 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Artigo de periodico
Adsorption of monomers on semiconductors and the importance of surface degrees of freedom (2001)
Dalpian, Gustavo Martini ; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
DALPIAN, Gustavo Martini e FAZZIO, Adalberto e SILVA, Antonio Jose Roque da. Adsorption of monomers on semiconductors and the importance of surface degrees of freedom. Physical Review B, v. 63, n. 20, p. 5303/1-5303/4, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.63.205303. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Dalpian, G. M., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2001). Adsorption of monomers on semiconductors and the importance of surface degrees of freedom. Physical Review B, 63( 20), 5303/1-5303/4. doi:10.1103/physrevb.63.205303
NLM
Dalpian GM, Fazzio A, Silva AJR da. Adsorption of monomers on semiconductors and the importance of surface degrees of freedom [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 63( 20): 5303/1-5303/4.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.63.205303
Vancouver
Dalpian GM, Fazzio A, Silva AJR da. Adsorption of monomers on semiconductors and the importance of surface degrees of freedom [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 63( 20): 5303/1-5303/4.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.63.205303
Artigo de periodico
Ab initio calculations on the compensation mechanisms in InP (2001)
Schmidt, T M; Miwa, R H; Fazzio, Adalberto ; Mota, R.
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES MECÂNICAS;PROPRIEDADES TÉRMICAS)
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ABNT
SCHMIDT, T M et al. Ab initio calculations on the compensation mechanisms in InP. Solid State Communications, v. 117, n. 6, p. 353-355, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(00)00487-7. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Schmidt, T. M., Miwa, R. H., Fazzio, A., & Mota, R. (2001). Ab initio calculations on the compensation mechanisms in InP. Solid State Communications, 117( 6), 353-355. doi:10.1016/s0038-1098(00)00487-7
NLM
Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A, Mota R. Ab initio calculations on the compensation mechanisms in InP [Internet]. Solid State Communications. 2001 ; 117( 6): 353-355.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(00)00487-7
Vancouver
Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A, Mota R. Ab initio calculations on the compensation mechanisms in InP [Internet]. Solid State Communications. 2001 ; 117( 6): 353-355.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(00)00487-7
Artigo de periodico
Electrically active centers in partial dislocations in semiconductors (2001)
Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, Adalberto
Source: Physica B. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Electrically active centers in partial dislocations in semiconductors. Physica B, v. 308, p. 489-492, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00819-5. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (2001). Electrically active centers in partial dislocations in semiconductors. Physica B, 308, 489-492. doi:10.1016/s0921-4526(01)00819-5
NLM
Justo Filho JF, Fazzio A. Electrically active centers in partial dislocations in semiconductors [Internet]. Physica B. 2001 ; 308 489-492.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00819-5
Vancouver
Justo Filho JF, Fazzio A. Electrically active centers in partial dislocations in semiconductors [Internet]. Physica B. 2001 ; 308 489-492.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00819-5
Artigo de periodico
Formation and structural properties of the amorphous-crystal interface in a nanocrystalline system (2001)
Silva, Cesar R S da; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Cesar R S da e FAZZIO, Adalberto. Formation and structural properties of the amorphous-crystal interface in a nanocrystalline system. Physical Review B, v. 64, n. 7, p. 5301/1-5301/7, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.64.075301. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Silva, C. R. S. da, & Fazzio, A. (2001). Formation and structural properties of the amorphous-crystal interface in a nanocrystalline system. Physical Review B, 64( 7), 5301/1-5301/7. doi:10.1103/physrevb.64.075301
NLM
Silva CRS da, Fazzio A. Formation and structural properties of the amorphous-crystal interface in a nanocrystalline system [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 64( 7): 5301/1-5301/7.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.64.075301
Vancouver
Silva CRS da, Fazzio A. Formation and structural properties of the amorphous-crystal interface in a nanocrystalline system [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 64( 7): 5301/1-5301/7.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.64.075301
Artigo de periodico
Stability investigation and thermal behavior of a hypothetical silicon nanotube (2001)
Fagan, Solange Binotto; Mota, R; Baierle, Rogerio Jose; Paiva, C; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto
Source: Journal of Molecular Structure-Theochem. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, MÉTODO DE MONTE CARLO
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ABNT
FAGAN, Solange Binotto et al. Stability investigation and thermal behavior of a hypothetical silicon nanotube. Journal of Molecular Structure-Theochem, v. 539, p. 101-106, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0166-1280(00)00777-6. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Fagan, S. B., Mota, R., Baierle, R. J., Paiva, C., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2001). Stability investigation and thermal behavior of a hypothetical silicon nanotube. Journal of Molecular Structure-Theochem, 539, 101-106. doi:10.1016/s0166-1280(00)00777-6
NLM
Fagan SB, Mota R, Baierle RJ, Paiva C, Silva AJR da, Fazzio A. Stability investigation and thermal behavior of a hypothetical silicon nanotube [Internet]. Journal of Molecular Structure-Theochem. 2001 ; 539 101-106.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0166-1280(00)00777-6
Vancouver
Fagan SB, Mota R, Baierle RJ, Paiva C, Silva AJR da, Fazzio A. Stability investigation and thermal behavior of a hypothetical silicon nanotube [Internet]. Journal of Molecular Structure-Theochem. 2001 ; 539 101-106.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0166-1280(00)00777-6
Artigo de periodico
Stacking fault effects in pure and n-type doped GaAs (2001)
Schmidt, T M; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, Adalberto
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHMIDT, T M e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Stacking fault effects in pure and n-type doped GaAs. Applied Physics Letters, v. 78, n. 7, p. 907-909, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1347005. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Schmidt, T. M., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (2001). Stacking fault effects in pure and n-type doped GaAs. Applied Physics Letters, 78( 7), 907-909. doi:10.1063/1.1347005
NLM
Schmidt TM, Justo Filho JF, Fazzio A. Stacking fault effects in pure and n-type doped GaAs [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 78( 7): 907-909.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1347005
Vancouver
Schmidt TM, Justo Filho JF, Fazzio A. Stacking fault effects in pure and n-type doped GaAs [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 78( 7): 907-909.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1347005
Artigo de periodico
Theoretical STM images of Ge monomers and trimers on Si(100) (2001)
Dalpian, Gustavo Martini ; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da
Source: Surface Science. Unidade: IF
Subjects: QUÍMICA DE SUPERFÍCIE, QUÍMICA QUÂNTICA, MICROSCOPIA ELETRÔNICA DE VARREDURA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DALPIAN, Gustavo Martini e FAZZIO, Adalberto e SILVA, Antonio Jose Roque da. Theoretical STM images of Ge monomers and trimers on Si(100). Surface Science, v. 482, p. 507-511, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0039-6028(00)01012-8. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Dalpian, G. M., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2001). Theoretical STM images of Ge monomers and trimers on Si(100). Surface Science, 482, 507-511. doi:10.1016/s0039-6028(00)01012-8
NLM
Dalpian GM, Fazzio A, Silva AJR da. Theoretical STM images of Ge monomers and trimers on Si(100) [Internet]. Surface Science. 2001 ; 482 507-511.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0039-6028(00)01012-8
Vancouver
Dalpian GM, Fazzio A, Silva AJR da. Theoretical STM images of Ge monomers and trimers on Si(100) [Internet]. Surface Science. 2001 ; 482 507-511.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0039-6028(00)01012-8
Artigo de periodico
Ab initio determination of the atomistic structure of 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X' alloy (2001)
Venezuela, P; Dalpian, Gustavo Martini ; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA, ESTRUTURA DOS SÓLIDOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
VENEZUELA, P et al. Ab initio determination of the atomistic structure of 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X' alloy. Physical Review B, v. 64, n. 19, p. 3202/1-3202/4, 2001Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000064000019193202000001&idtype=cvips. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Venezuela, P., Dalpian, G. M., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2001). Ab initio determination of the atomistic structure of 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X' alloy. Physical Review B, 64( 19), 3202/1-3202/4. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000064000019193202000001&idtype=cvips
NLM
Venezuela P, Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Ab initio determination of the atomistic structure of 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X' alloy [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 64( 19): 3202/1-3202/4.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000064000019193202000001&idtype=cvips
Vancouver
Venezuela P, Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Ab initio determination of the atomistic structure of 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X' alloy [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 64( 19): 3202/1-3202/4.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000064000019193202000001&idtype=cvips
Trabalho de evento-resumo
Dinâmica molecular de primeiros princípios da transição de fase zincblend -'beta'-Sn na liga ordenada 'Si IND.0.5' 'Ge IND.0.5' (2001)
Silva, Cesar Renato Simenes da; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS MAGNÉTICOS, MAGNETISMO, ESTRUTURA DOS MATERIAIS, MUDANÇA DE FASE
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Cesar Renato Simenes da e FAZZIO, Adalberto e SILVA, Antonio Jose Roque da. Dinâmica molecular de primeiros princípios da transição de fase zincblend -'beta'-Sn na liga ordenada 'Si IND.0.5' 'Ge IND.0.5'. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Silva, C. R. S. da, Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2001). Dinâmica molecular de primeiros princípios da transição de fase zincblend -'beta'-Sn na liga ordenada 'Si IND.0.5' 'Ge IND.0.5'. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Silva CRS da, Fazzio A, Silva AJR da. Dinâmica molecular de primeiros princípios da transição de fase zincblend -'beta'-Sn na liga ordenada 'Si IND.0.5' 'Ge IND.0.5'. Resumos. 2001 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Vancouver
Silva CRS da, Fazzio A, Silva AJR da. Dinâmica molecular de primeiros princípios da transição de fase zincblend -'beta'-Sn na liga ordenada 'Si IND.0.5' 'Ge IND.0.5'. Resumos. 2001 ;[citado 2025 dez. 05 ]
Artigo de periodico
Electronic and structural properties of silicon-doped carbon nanotubes (2001)
Baierle, Rogerio Jose; Fagan, Solange Binotto; Mota, R.; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, CLUSTERS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BAIERLE, Rogerio Jose et al. Electronic and structural properties of silicon-doped carbon nanotubes. Physical Review B, v. 64, n. 8, p. 5413/1-5413/4, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.64.085413. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Baierle, R. J., Fagan, S. B., Mota, R., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2001). Electronic and structural properties of silicon-doped carbon nanotubes. Physical Review B, 64( 8), 5413/1-5413/4. doi:10.1103/physrevb.64.085413
NLM
Baierle RJ, Fagan SB, Mota R, Silva AJR da, Fazzio A. Electronic and structural properties of silicon-doped carbon nanotubes [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 64( 8): 5413/1-5413/4.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.64.085413
Vancouver
Baierle RJ, Fagan SB, Mota R, Silva AJR da, Fazzio A. Electronic and structural properties of silicon-doped carbon nanotubes [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 64( 8): 5413/1-5413/4.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.64.085413
Artigo de periodico
Segregation of dopant atoms on extended defects in semiconductors (2001)
Justo Filho, João Francisco ; Schmidt, T M; Fazzio, Adalberto ; Antonelli, A
Source: Physica B. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS (PROPRIEDADES MECÂNICAS), ACÚSTICA (PROPRIEDADES MECÂNICAS), ESTRUTURA DOS SÓLIDOS, MECÂNICA DOS LÍQUIDOS, CRISTALOGRAFIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco et al. Segregation of dopant atoms on extended defects in semiconductors. Physica B, v. 302, n. 403-407, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00462-8. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Justo Filho, J. F., Schmidt, T. M., Fazzio, A., & Antonelli, A. (2001). Segregation of dopant atoms on extended defects in semiconductors. Physica B, 302( 403-407). doi:10.1016/s0921-4526(01)00462-8
NLM
Justo Filho JF, Schmidt TM, Fazzio A, Antonelli A. Segregation of dopant atoms on extended defects in semiconductors [Internet]. Physica B. 2001 ; 302( 403-407):[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00462-8
Vancouver
Justo Filho JF, Schmidt TM, Fazzio A, Antonelli A. Segregation of dopant atoms on extended defects in semiconductors [Internet]. Physica B. 2001 ; 302( 403-407):[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00462-8
Artigo de periodico
The energetics of dislocation cores in semiconductors and their role on dislocation mobility (2001)
Justo Filho, João Francisco ; Antonelli, Alex; Fazzio, Adalberto
Source: Physica B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco e ANTONELLI, Alex e FAZZIO, Adalberto. The energetics of dislocation cores in semiconductors and their role on dislocation mobility. Physica B, v. 302-303, p. 398-402, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00461-6. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Justo Filho, J. F., Antonelli, A., & Fazzio, A. (2001). The energetics of dislocation cores in semiconductors and their role on dislocation mobility. Physica B, 302-303, 398-402. doi:10.1016/s0921-4526(01)00461-6
NLM
Justo Filho JF, Antonelli A, Fazzio A. The energetics of dislocation cores in semiconductors and their role on dislocation mobility [Internet]. Physica B. 2001 ; 302-303 398-402.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00461-6
Vancouver
Justo Filho JF, Antonelli A, Fazzio A. The energetics of dislocation cores in semiconductors and their role on dislocation mobility [Internet]. Physica B. 2001 ; 302-303 398-402.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00461-6
Artigo de periodico
Theoretical investigation of the pressure induced cubic-diamond-'beta'-tin phase transition in the 'Si IND.0.5''Ge IND.0.5' (2001)
Silva, Cesar R S da; Venezuela, P; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, SUPERCONDUTIVIDADE, MUDANÇA DE FASE
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ABNT
SILVA, Cesar R S da et al. Theoretical investigation of the pressure induced cubic-diamond-'beta'-tin phase transition in the 'Si IND.0.5''Ge IND.0.5'. Solid State Communications, v. 120, n. 9-10, p. 369-373, 2001Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5545&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=2c31626c8839eda088d08d3a1744c13b. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Silva, C. R. S. da, Venezuela, P., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2001). Theoretical investigation of the pressure induced cubic-diamond-'beta'-tin phase transition in the 'Si IND.0.5''Ge IND.0.5'. Solid State Communications, 120( 9-10), 369-373. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5545&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=2c31626c8839eda088d08d3a1744c13b
NLM
Silva CRS da, Venezuela P, Silva AJR da, Fazzio A. Theoretical investigation of the pressure induced cubic-diamond-'beta'-tin phase transition in the 'Si IND.0.5''Ge IND.0.5' [Internet]. Solid State Communications. 2001 ; 120( 9-10): 369-373.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5545&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=2c31626c8839eda088d08d3a1744c13b
Vancouver
Silva CRS da, Venezuela P, Silva AJR da, Fazzio A. Theoretical investigation of the pressure induced cubic-diamond-'beta'-tin phase transition in the 'Si IND.0.5''Ge IND.0.5' [Internet]. Solid State Communications. 2001 ; 120( 9-10): 369-373.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5545&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=2c31626c8839eda088d08d3a1744c13b
Artigo de periodico
Two-atom structures of Ge on Si(100): dimers versus adatom pairs (2001)
Silva, Antonio Jose Roque da ; Dalpian, Gustavo Martini ; Janotti, A; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review Letters. Unidade: IF
Subjects: MICROSCOPIA ELETRÔNICA DE VARREDURA, DINÂMICA, SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Antonio Jose Roque da et al. Two-atom structures of Ge on Si(100): dimers versus adatom pairs. Physical Review Letters, v. 87, n. 3, p. 6104/1-6104/4, 2001Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000087000003036104000001&idtype=cvips. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Silva, A. J. R. da, Dalpian, G. M., Janotti, A., & Fazzio, A. (2001). Two-atom structures of Ge on Si(100): dimers versus adatom pairs. Physical Review Letters, 87( 3), 6104/1-6104/4. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000087000003036104000001&idtype=cvips
NLM
Silva AJR da, Dalpian GM, Janotti A, Fazzio A. Two-atom structures of Ge on Si(100): dimers versus adatom pairs [Internet]. Physical Review Letters. 2001 ; 87( 3): 6104/1-6104/4.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000087000003036104000001&idtype=cvips
Vancouver
Silva AJR da, Dalpian GM, Janotti A, Fazzio A. Two-atom structures of Ge on Si(100): dimers versus adatom pairs [Internet]. Physical Review Letters. 2001 ; 87( 3): 6104/1-6104/4.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000087000003036104000001&idtype=cvips
Artigo de periodico
How do gold nanowires break? (2001)
Silva, E Z da; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review Letters. Unidade: IF
Subjects: ÁTOMOS, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MECÂNICA DOS SÓLIDOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, E Z da e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. How do gold nanowires break?. Physical Review Letters, v. 87, n. 25, p. 6102/1-6102/4, 2001Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000087000025256102000001&idtype=cvips. Acesso em: 05 dez. 2025.
APA
Silva, E. Z. da, Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2001). How do gold nanowires break? Physical Review Letters, 87( 25), 6102/1-6102/4. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000087000025256102000001&idtype=cvips
NLM
Silva EZ da, Silva AJR da, Fazzio A. How do gold nanowires break? [Internet]. Physical Review Letters. 2001 ; 87( 25): 6102/1-6102/4.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000087000025256102000001&idtype=cvips
Vancouver
Silva EZ da, Silva AJR da, Fazzio A. How do gold nanowires break? [Internet]. Physical Review Letters. 2001 ; 87( 25): 6102/1-6102/4.[citado 2025 dez. 05 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000087000025256102000001&idtype=cvips

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