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Trabalho de evento-resumo
Effect of the electron and hole scattering potentials compensation on optical band edge of heavily doped GaAs/AlGaAs superlattices (2004)
Pusep, Yuri A ; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo ; Ribeiro, M. B.; Arakaki, Haroldo; Souza, Carlos Alberto de; Malzer, S.; Dahler, G. H.
Source: Abstracts. Conference titles: International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Effect of the electron and hole scattering potentials compensation on optical band edge of heavily doped GaAs/AlGaAs superlattices. 2004, Anais.. Flagstaff: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2004. . Acesso em: 09 nov. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Guimarães, F. E. G., Ribeiro, M. B., Arakaki, H., Souza, C. A. de, Malzer, S., & Dahler, G. H. (2004). Effect of the electron and hole scattering potentials compensation on optical band edge of heavily doped GaAs/AlGaAs superlattices. In Abstracts. Flagstaff: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Pusep YA, Guimarães FEG, Ribeiro MB, Arakaki H, Souza CA de, Malzer S, Dahler GH. Effect of the electron and hole scattering potentials compensation on optical band edge of heavily doped GaAs/AlGaAs superlattices. Abstracts. 2004 ;[citado 2024 nov. 09 ]
Vancouver
Pusep YA, Guimarães FEG, Ribeiro MB, Arakaki H, Souza CA de, Malzer S, Dahler GH. Effect of the electron and hole scattering potentials compensation on optical band edge of heavily doped GaAs/AlGaAs superlattices. Abstracts. 2004 ;[citado 2024 nov. 09 ]
Artigo de periodico
Disorder induced coherence-incoherence crossover in random GaAs/AlGaAs superlattices (2004)
Pusep, Yuri A ; Ribeiro, M. B.; Arakaki, Haroldo; Souza, C. A. de; Malzer, S.; Dohler, G. H.
Source: International Journal of Modern Physics B. Unidade: IFSC
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Disorder induced coherence-incoherence crossover in random GaAs/AlGaAs superlattices. International Journal of Modern Physics B, v. No 2004, n. 27/29, p. 3629-3632, 2004Tradução . . Acesso em: 09 nov. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Ribeiro, M. B., Arakaki, H., Souza, C. A. de, Malzer, S., & Dohler, G. H. (2004). Disorder induced coherence-incoherence crossover in random GaAs/AlGaAs superlattices. International Journal of Modern Physics B, No 2004( 27/29), 3629-3632.
NLM
Pusep YA, Ribeiro MB, Arakaki H, Souza CA de, Malzer S, Dohler GH. Disorder induced coherence-incoherence crossover in random GaAs/AlGaAs superlattices. International Journal of Modern Physics B. 2004 ; No 2004( 27/29): 3629-3632.[citado 2024 nov. 09 ]
Vancouver
Pusep YA, Ribeiro MB, Arakaki H, Souza CA de, Malzer S, Dohler GH. Disorder induced coherence-incoherence crossover in random GaAs/AlGaAs superlattices. International Journal of Modern Physics B. 2004 ; No 2004( 27/29): 3629-3632.[citado 2024 nov. 09 ]
Artigo de periodico
Effect of compensation of electron and hole scattering potentials on the optical band edge of heavily doped GaAs/'Al IND.x''Ga IND.1-x'As superlattices (2004)
Pusep, Yuri A ; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo ; Ribeiro, M. B.; Arakaki, Haroldo; Souza, Carlos Alberto de; Malzer, S.; Döhler, G. H.
Source: Physical Review B. Unidade: IFSC
Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Effect of compensation of electron and hole scattering potentials on the optical band edge of heavily doped GaAs/'Al IND.x''Ga IND.1-x'As superlattices. Physical Review B, v. 70, n. 9, p. Se 2004, 2004Tradução . . Acesso em: 09 nov. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Guimarães, F. E. G., Ribeiro, M. B., Arakaki, H., Souza, C. A. de, Malzer, S., & Döhler, G. H. (2004). Effect of compensation of electron and hole scattering potentials on the optical band edge of heavily doped GaAs/'Al IND.x''Ga IND.1-x'As superlattices. Physical Review B, 70( 9), Se 2004.
NLM
Pusep YA, Guimarães FEG, Ribeiro MB, Arakaki H, Souza CA de, Malzer S, Döhler GH. Effect of compensation of electron and hole scattering potentials on the optical band edge of heavily doped GaAs/'Al IND.x''Ga IND.1-x'As superlattices. Physical Review B. 2004 ; 70( 9): Se 2004.[citado 2024 nov. 09 ]
Vancouver
Pusep YA, Guimarães FEG, Ribeiro MB, Arakaki H, Souza CA de, Malzer S, Döhler GH. Effect of compensation of electron and hole scattering potentials on the optical band edge of heavily doped GaAs/'Al IND.x''Ga IND.1-x'As superlattices. Physical Review B. 2004 ; 70( 9): Se 2004.[citado 2024 nov. 09 ]
Trabalho de evento-resumo
Dispositivo PIN com múltiplos poços de InGaAs crescidos em substratos de GaAs (311)A dopados apenas com Si (2004)
Oliveira, Rodrigo Marques de; Arakaki, Haroldo; Souza, Carlos Alberto de; Marega Junior, Euclydes
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IFSC
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
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ABNT
OLIVEIRA, Rodrigo Marques de et al. Dispositivo PIN com múltiplos poços de InGaAs crescidos em substratos de GaAs (311)A dopados apenas com Si. 2004, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2004. . Acesso em: 09 nov. 2024.
APA
Oliveira, R. M. de, Arakaki, H., Souza, C. A. de, & Marega Junior, E. (2004). Dispositivo PIN com múltiplos poços de InGaAs crescidos em substratos de GaAs (311)A dopados apenas com Si. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Oliveira RM de, Arakaki H, Souza CA de, Marega Junior E. Dispositivo PIN com múltiplos poços de InGaAs crescidos em substratos de GaAs (311)A dopados apenas com Si. Resumos. 2004 ;[citado 2024 nov. 09 ]
Vancouver
Oliveira RM de, Arakaki H, Souza CA de, Marega Junior E. Dispositivo PIN com múltiplos poços de InGaAs crescidos em substratos de GaAs (311)A dopados apenas com Si. Resumos. 2004 ;[citado 2024 nov. 09 ]
Trabalho de evento-resumo
Disorder induced coherence-incoherence crossover in Random GaAs/AlGaAs superlattices (2004)
Pusep, Yuri A ; Ribeiro, M. B.; Arakaki, Haroldo; Souza, Carlos Alberto de; Malzer, S.; Dohler, G. H.
Source: Abstracts. Conference titles: International Conference on High Magnetic Fields in Semiconductor Physics - SemiMag. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, ENERGIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Disorder induced coherence-incoherence crossover in Random GaAs/AlGaAs superlattices. 2004, Anais.. Florida: University of Florida, 2004. . Acesso em: 09 nov. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Ribeiro, M. B., Arakaki, H., Souza, C. A. de, Malzer, S., & Dohler, G. H. (2004). Disorder induced coherence-incoherence crossover in Random GaAs/AlGaAs superlattices. In Abstracts. Florida: University of Florida.
NLM
Pusep YA, Ribeiro MB, Arakaki H, Souza CA de, Malzer S, Dohler GH. Disorder induced coherence-incoherence crossover in Random GaAs/AlGaAs superlattices. Abstracts. 2004 ;[citado 2024 nov. 09 ]
Vancouver
Pusep YA, Ribeiro MB, Arakaki H, Souza CA de, Malzer S, Dohler GH. Disorder induced coherence-incoherence crossover in Random GaAs/AlGaAs superlattices. Abstracts. 2004 ;[citado 2024 nov. 09 ]

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