Dispositivo PIN com múltiplos poços de InGaAs crescidos em substratos de GaAs (311)A dopados apenas com Si (2004)
- Authors:
- USP affiliated authors: ARAKAKI, HAROLDO - IFSC ; SOUZA, CARLOS ALBERTO DE - IFSC ; MAREGA JUNIOR, EUCLYDES - IFSC
- Unidade: IFSC
- Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA; SEMICONDUTORES
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Sociedade Brasileira de Física
- Publisher place: São Paulo
- Date published: 2004
- Source:
- Título do periódico: Resumos
- Volume/Número/Paginação/Ano: São Paulo : Sociedade Brasileira de Física, 2004
- Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada
-
ABNT
OLIVEIRA, Rodrigo Marques de et al. Dispositivo PIN com múltiplos poços de InGaAs crescidos em substratos de GaAs (311)A dopados apenas com Si. 2004, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2004. . Acesso em: 24 abr. 2024. -
APA
Oliveira, R. M. de, Arakaki, H., Souza, C. A. de, & Marega Júnior, E. (2004). Dispositivo PIN com múltiplos poços de InGaAs crescidos em substratos de GaAs (311)A dopados apenas com Si. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. -
NLM
Oliveira RM de, Arakaki H, Souza CA de, Marega Júnior E. Dispositivo PIN com múltiplos poços de InGaAs crescidos em substratos de GaAs (311)A dopados apenas com Si. Resumos. 2004 ;[citado 2024 abr. 24 ] -
Vancouver
Oliveira RM de, Arakaki H, Souza CA de, Marega Júnior E. Dispositivo PIN com múltiplos poços de InGaAs crescidos em substratos de GaAs (311)A dopados apenas com Si. Resumos. 2004 ;[citado 2024 abr. 24 ] - Instrumentacao eletronica de apoio para um sistema de epitaxia por feixes moleculares
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