Projeto e construcao de um sistema de vacuo para uso em espectrometria de massa de particulas ionizadas ( sims ) (1996)
- Authors:
- USP affiliated authors: ARAKAKI, HAROLDO - IFSC ; BASMAJI, PIERRE - IFSC ; MAREGA JUNIOR, EUCLYDES - IFSC
- Unidade: IFSC
- Assunto: SUPERFÍCIE FÍSICA
- Language: Português
- Imprenta:
- Source:
- Título: Anais: Instrumentacao
- Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada
-
ABNT
FRANCECHINI, M J et al. Projeto e construcao de um sistema de vacuo para uso em espectrometria de massa de particulas ionizadas ( sims ). 1996, Anais.. São Paulo: SBF, 1996. . Acesso em: 29 dez. 2025. -
APA
Francechini, M. J., Souza, C. A., Arakaki, H., Basmaji, P., & Marega Junior, E. (1996). Projeto e construcao de um sistema de vacuo para uso em espectrometria de massa de particulas ionizadas ( sims ). In Anais: Instrumentacao. São Paulo: SBF. -
NLM
Francechini MJ, Souza CA, Arakaki H, Basmaji P, Marega Junior E. Projeto e construcao de um sistema de vacuo para uso em espectrometria de massa de particulas ionizadas ( sims ). Anais: Instrumentacao. 1996 ;[citado 2025 dez. 29 ] -
Vancouver
Francechini MJ, Souza CA, Arakaki H, Basmaji P, Marega Junior E. Projeto e construcao de um sistema de vacuo para uso em espectrometria de massa de particulas ionizadas ( sims ). Anais: Instrumentacao. 1996 ;[citado 2025 dez. 29 ] - Testes de performance para o sistema de automação da máquina de crescimento epitaxial (MBE)
- Dispositivo PIN com múltiplos poços de InGaAs crescidos em substratos de GaAs (311)A dopados apenas com Si
- A USP já ingressa na era da nanoescala
- Optical properties of GaAs/AlAs superlattices grown on (311)A GaAs surfaces
- Estudo e caracterização de pontos quânticos semicondutores através de microscopia eletrônica de transmissão
- Localização excitônica em super-redes de (GaAs)-(AlAs) crescidas em diferentes planos cristalinos
- Study of 'GA''SB' and 'AL''SB' surface superstructures based on the (100) planes
- High index orientation effects of strained self-assembled 'IN''GA''AS' quantum dots
- Vertically stacked self-assembled 'IN''GA''AS' quantum dot layers grown on (311)a / b and (001) orientations
- Temperature dependence of the quantization energy in self-assembled 'IN''GA''AS' quantum dots
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
