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  • Source: Programa e Livro de Resumos. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidades: EP, IF

    Subjects: MATERIAIS, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS

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    • ABNT

      ALAYO CHÁVEZ, Marco Isaías et al. Optical waveguides of PECVD silicon oxynitride films. 2002, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2002. . Acesso em: 10 nov. 2024.
    • APA

      Alayo Chávez, M. I., Pereyra, I., Scopel, W. L., & Fantini, M. C. de A. (2002). Optical waveguides of PECVD silicon oxynitride films. In Programa e Livro de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat.
    • NLM

      Alayo Chávez MI, Pereyra I, Scopel WL, Fantini MC de A. Optical waveguides of PECVD silicon oxynitride films. Programa e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2024 nov. 10 ]
    • Vancouver

      Alayo Chávez MI, Pereyra I, Scopel WL, Fantini MC de A. Optical waveguides of PECVD silicon oxynitride films. Programa e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2024 nov. 10 ]
  • Source: Brazilian Journal of Physics. Unidades: IF, EP

    Subjects: ESPECTROSCOPIA DE RAIO X, ESPECTROMETRIA

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    • ABNT

      SCOPEL, Wanderla Luis et al. Local order structure of a-Si'O IND.X' 'N IND.Y':H grown by PECVD. Brazilian Journal of Physics, v. 32, n. 2A, p. 366-368, 2002Tradução . . Disponível em: http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_366.pdf. Acesso em: 10 nov. 2024.
    • APA

      Scopel, W. L., Fantini, M. C. de A., Alayo Chávez, M. I., & Pereyra, I. (2002). Local order structure of a-Si'O IND.X' 'N IND.Y':H grown by PECVD. Brazilian Journal of Physics, 32( 2A), 366-368. Recuperado de http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_366.pdf
    • NLM

      Scopel WL, Fantini MC de A, Alayo Chávez MI, Pereyra I. Local order structure of a-Si'O IND.X' 'N IND.Y':H grown by PECVD [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 366-368.[citado 2024 nov. 10 ] Available from: http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_366.pdf
    • Vancouver

      Scopel WL, Fantini MC de A, Alayo Chávez MI, Pereyra I. Local order structure of a-Si'O IND.X' 'N IND.Y':H grown by PECVD [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 366-368.[citado 2024 nov. 10 ] Available from: http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_366.pdf
  • Source: Thin Solid Films. Unidades: IF, EP

    Subjects: ESPECTROSCOPIA DE RAIO X, ESPECTROMETRIA, FILMES FINOS

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    • ABNT

      SCOPEL, Wanderla Luis et al. Local structure and bonds of amorphous silicon oxynitride thin films. Thin Solid Films, v. 413, n. 1-2, p. 59-64, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0040-6090(02)00346-2. Acesso em: 10 nov. 2024.
    • APA

      Scopel, W. L., Fantini, M. C. de A., Alayo Chávez, M. I., & Pereyra, I. (2002). Local structure and bonds of amorphous silicon oxynitride thin films. Thin Solid Films, 413( 1-2), 59-64. doi:10.1016/s0040-6090(02)00346-2
    • NLM

      Scopel WL, Fantini MC de A, Alayo Chávez MI, Pereyra I. Local structure and bonds of amorphous silicon oxynitride thin films [Internet]. Thin Solid Films. 2002 ; 413( 1-2): 59-64.[citado 2024 nov. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0040-6090(02)00346-2
    • Vancouver

      Scopel WL, Fantini MC de A, Alayo Chávez MI, Pereyra I. Local structure and bonds of amorphous silicon oxynitride thin films [Internet]. Thin Solid Films. 2002 ; 413( 1-2): 59-64.[citado 2024 nov. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0040-6090(02)00346-2
  • Source: Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2002. Conference titles: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP

    Assunto: MICROELETRÔNICA

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    • ABNT

      PÁEZ CARREÑO, Marcelo Nelson et al. 3D topography in self-sustained membranes of SiOxNy obtained by PECVD technique at low temperatures. Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2002. Tradução . Pennington: The Electrochemical Society, 2002. . . Acesso em: 10 nov. 2024.
    • APA

      Páez Carreño, M. N., Lopes, A. T., Alayo Chávez, M. I., & Pereyra, I. (2002). 3D topography in self-sustained membranes of SiOxNy obtained by PECVD technique at low temperatures. In Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2002. Pennington: The Electrochemical Society.
    • NLM

      Páez Carreño MN, Lopes AT, Alayo Chávez MI, Pereyra I. 3D topography in self-sustained membranes of SiOxNy obtained by PECVD technique at low temperatures. In: Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2002. Pennington: The Electrochemical Society; 2002. [citado 2024 nov. 10 ]
    • Vancouver

      Páez Carreño MN, Lopes AT, Alayo Chávez MI, Pereyra I. 3D topography in self-sustained membranes of SiOxNy obtained by PECVD technique at low temperatures. In: Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2002. Pennington: The Electrochemical Society; 2002. [citado 2024 nov. 10 ]
  • Source: Thin Solid Films. Unidades: IF, EP

    Subjects: FÍSICA DE PLASMAS, DIELÉTRICOS

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    • ABNT

      ALAYO CHÁVEZ, Marco Isaías et al. On the nitrogen and oxygen incorporation in plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) SiOxNy films. Thin Solid Films, v. 402, n. 1-2, p. 154-161, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/S0040-6090(01)01685-6. Acesso em: 10 nov. 2024.
    • APA

      Alayo Chávez, M. I., Pereyra, I., Scopel, W. L., & Fantini, M. C. de A. (2002). On the nitrogen and oxygen incorporation in plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) SiOxNy films. Thin Solid Films, 402( 1-2), 154-161. doi:10.1016/S0040-6090(01)01685-6
    • NLM

      Alayo Chávez MI, Pereyra I, Scopel WL, Fantini MC de A. On the nitrogen and oxygen incorporation in plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) SiOxNy films [Internet]. Thin Solid Films. 2002 ; 402( 1-2): 154-161.[citado 2024 nov. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/S0040-6090(01)01685-6
    • Vancouver

      Alayo Chávez MI, Pereyra I, Scopel WL, Fantini MC de A. On the nitrogen and oxygen incorporation in plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) SiOxNy films [Internet]. Thin Solid Films. 2002 ; 402( 1-2): 154-161.[citado 2024 nov. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/S0040-6090(01)01685-6

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