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Trabalho de evento
Caracterização de sensores digitais de pressão diferencial de baixo custo e sua implementação conceitual em um sistema de aquisição de dados manométricos (2018)
Lanaro, Lucca Real Bispo; Cerón Muñoz, Hernán Darío
Fonte: Anais. Nome do evento: Simpósio do Programa de Pós-Graduação em Engenharia Mecânica - SIPGEM. Unidade: EESC
Assuntos: INTERNET DAS COISAS, TELEMETRIA, MICROELETRÔNICA, ENGENHARIA MECÂNICA
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ABNT
LANARO, Lucca Real Bispo e CERÓN MUÑOZ, Hernán Darío. Caracterização de sensores digitais de pressão diferencial de baixo custo e sua implementação conceitual em um sistema de aquisição de dados manométricos. 2018, Anais.. São Carlos, SP: EESC-USP, 2018. Disponível em: http://soac.eesc.usp.br/index.php/SiPGEM/iiisipgem/paper/view/1370/829. Acesso em: 06 set. 2024.
APA
Lanaro, L. R. B., & Cerón Muñoz, H. D. (2018). Caracterização de sensores digitais de pressão diferencial de baixo custo e sua implementação conceitual em um sistema de aquisição de dados manométricos. In Anais. São Carlos, SP: EESC-USP. Recuperado de http://soac.eesc.usp.br/index.php/SiPGEM/iiisipgem/paper/view/1370/829
NLM
Lanaro LRB, Cerón Muñoz HD. Caracterização de sensores digitais de pressão diferencial de baixo custo e sua implementação conceitual em um sistema de aquisição de dados manométricos [Internet]. Anais. 2018 ;[citado 2024 set. 06 ] Available from: http://soac.eesc.usp.br/index.php/SiPGEM/iiisipgem/paper/view/1370/829
Vancouver
Lanaro LRB, Cerón Muñoz HD. Caracterização de sensores digitais de pressão diferencial de baixo custo e sua implementação conceitual em um sistema de aquisição de dados manométricos [Internet]. Anais. 2018 ;[citado 2024 set. 06 ] Available from: http://soac.eesc.usp.br/index.php/SiPGEM/iiisipgem/paper/view/1370/829
Trabalho de evento
VHDL deconvolution system (2000)
Ferreira, Fabio A; Pereira, José Carlos; Joaquim, Marcelo Basilio
Fonte: Anais. Nome do evento: International Conference Telecommunications and Electronics. Unidade: EESC
Assuntos: PROCESSAMENTO DIGITAL DE SINAIS, LARINGE, MICROELETRÔNICA
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ABNT
FERREIRA, Fabio A e PEREIRA, José Carlos e JOAQUIM, Marcelo Basilio. VHDL deconvolution system. 2000, Anais.. Santiago, Cuba: Universidad de Alcalá de Henares, 2000. . Acesso em: 06 set. 2024.
APA
Ferreira, F. A., Pereira, J. C., & Joaquim, M. B. (2000). VHDL deconvolution system. In Anais. Santiago, Cuba: Universidad de Alcalá de Henares.
NLM
Ferreira FA, Pereira JC, Joaquim MB. VHDL deconvolution system. Anais. 2000 ;[citado 2024 set. 06 ]
Vancouver
Ferreira FA, Pereira JC, Joaquim MB. VHDL deconvolution system. Anais. 2000 ;[citado 2024 set. 06 ]
Trabalho de evento
Projeto de fonte e dreno de MOSFETs de canal curto (1991)
Mafra Junior, Johnny Jose; Martino, João Antonio
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
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ABNT
MAFRA JUNIOR, Johnny Jose e MARTINO, João Antonio. Projeto de fonte e dreno de MOSFETs de canal curto. 1991, Anais.. Belo Horizonte: Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1991. . Acesso em: 06 set. 2024.
APA
Mafra Junior, J. J., & Martino, J. A. (1991). Projeto de fonte e dreno de MOSFETs de canal curto. In Anais. Belo Horizonte: Sociedade Brasileira de Microeletrônica.
NLM
Mafra Junior JJ, Martino JA. Projeto de fonte e dreno de MOSFETs de canal curto. Anais. 1991 ;[citado 2024 set. 06 ]
Vancouver
Mafra Junior JJ, Martino JA. Projeto de fonte e dreno de MOSFETs de canal curto. Anais. 1991 ;[citado 2024 set. 06 ]
Trabalho de evento
An analytical model for the potential drop in the silicon substrate on thin film SOI Mosfet's and its influence on the threshold voltage (1990)
Martino, João Antonio ; Lauwers, L.; Colinge, Jean-Pierre
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
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ABNT
MARTINO, João Antonio e LAUWERS, L. e COLINGE, Jean-Pierre. An analytical model for the potential drop in the silicon substrate on thin film SOI Mosfet's and its influence on the threshold voltage. 1990, Anais.. Campinas: SBM, 1990. Disponível em: https://doi.org/10.1117/12.26296. Acesso em: 06 set. 2024.
APA
Martino, J. A., Lauwers, L., & Colinge, J. -P. (1990). An analytical model for the potential drop in the silicon substrate on thin film SOI Mosfet's and its influence on the threshold voltage. In Anais. Campinas: SBM. doi:10.1117/12.26296
NLM
Martino JA, Lauwers L, Colinge J-P. An analytical model for the potential drop in the silicon substrate on thin film SOI Mosfet's and its influence on the threshold voltage [Internet]. Anais. 1990 ;[citado 2024 set. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1117/12.26296
Vancouver
Martino JA, Lauwers L, Colinge J-P. An analytical model for the potential drop in the silicon substrate on thin film SOI Mosfet's and its influence on the threshold voltage [Internet]. Anais. 1990 ;[citado 2024 set. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1117/12.26296
Trabalho de evento
Formacao de siliceto de cobalto por recozimento termico rapido (1989)
Freitas, W J
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP
Assuntos: COBALTO, RECOZIMENTO, MICROELETRÔNICA
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ABNT
FREITAS, W J. Formacao de siliceto de cobalto por recozimento termico rapido. 1989, Anais.. Porto Alegre: Sbmicro/Ufrgs, 1989. . Acesso em: 06 set. 2024.
APA
Freitas, W. J. (1989). Formacao de siliceto de cobalto por recozimento termico rapido. In Anais. Porto Alegre: Sbmicro/Ufrgs.
NLM
Freitas WJ. Formacao de siliceto de cobalto por recozimento termico rapido. Anais. 1989 ;[citado 2024 set. 06 ]
Vancouver
Freitas WJ. Formacao de siliceto de cobalto por recozimento termico rapido. Anais. 1989 ;[citado 2024 set. 06 ]
Trabalho de evento
Um processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2'mu'm - resultados finais (1989)
Martino, João Antonio ; Swart, Jacobus Willibrordus
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
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ABNT
MARTINO, João Antonio e SWART, Jacobus Willibrordus. Um processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2'mu'm - resultados finais. 1989, Anais.. Porto Alegre: Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1989. . Acesso em: 06 set. 2024.
APA
Martino, J. A., & Swart, J. W. (1989). Um processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2'mu'm - resultados finais. In Anais. Porto Alegre: Sociedade Brasileira de Microeletrônica.
NLM
Martino JA, Swart JW. Um processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2'mu'm - resultados finais. Anais. 1989 ;[citado 2024 set. 06 ]
Vancouver
Martino JA, Swart JW. Um processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2'mu'm - resultados finais. Anais. 1989 ;[citado 2024 set. 06 ]
Trabalho de evento
Implementacao de tecnicas pseudo-exaustivas de teste (1989)
Amazonas, José Roberto de Almeida
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
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ABNT
AMAZONAS, José Roberto de Almeida. Implementacao de tecnicas pseudo-exaustivas de teste. 1989, Anais.. Porto Alegre: Sbmicro/Ufrgs, 1989. . Acesso em: 06 set. 2024.
APA
Amazonas, J. R. de A. (1989). Implementacao de tecnicas pseudo-exaustivas de teste. In Anais. Porto Alegre: Sbmicro/Ufrgs.
NLM
Amazonas JR de A. Implementacao de tecnicas pseudo-exaustivas de teste. Anais. 1989 ;[citado 2024 set. 06 ]
Vancouver
Amazonas JR de A. Implementacao de tecnicas pseudo-exaustivas de teste. Anais. 1989 ;[citado 2024 set. 06 ]
Trabalho de evento
Caracterizacao de oxido de silicio nao dopado depositados por pecvd (1989)
Morimoto, Nilton Itiro ; Montree, A H
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
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ABNT
MORIMOTO, Nilton Itiro e MONTREE, A H. Caracterizacao de oxido de silicio nao dopado depositados por pecvd. 1989, Anais.. Porto Alegre: Sbmicro/Ufrgs, 1989. . Acesso em: 06 set. 2024.
APA
Morimoto, N. I., & Montree, A. H. (1989). Caracterizacao de oxido de silicio nao dopado depositados por pecvd. In Anais. Porto Alegre: Sbmicro/Ufrgs.
NLM
Morimoto NI, Montree AH. Caracterizacao de oxido de silicio nao dopado depositados por pecvd. Anais. 1989 ;[citado 2024 set. 06 ]
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Morimoto NI, Montree AH. Caracterizacao de oxido de silicio nao dopado depositados por pecvd. Anais. 1989 ;[citado 2024 set. 06 ]
Trabalho de evento-resumo
Estudo preliminar da formação de siliceto de cobalto (1988)
Freitas, W J; Swart, Jacobus Willibrordus; Sinatora, Amilton
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
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ABNT
FREITAS, W J e SWART, Jacobus Willibrordus e SINATORA, Amilton. Estudo preliminar da formação de siliceto de cobalto. 1988, Anais.. São Paulo: Sbmicro/Epusp, 1988. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/10c6ef72-9fa7-4a04-90c7-86298a02ac49/Sinatora-1988-estudo%20prelimina%20da%20formacao.pdf. Acesso em: 06 set. 2024.
APA
Freitas, W. J., Swart, J. W., & Sinatora, A. (1988). Estudo preliminar da formação de siliceto de cobalto. In Anais. São Paulo: Sbmicro/Epusp. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/10c6ef72-9fa7-4a04-90c7-86298a02ac49/Sinatora-1988-estudo%20prelimina%20da%20formacao.pdf
NLM
Freitas WJ, Swart JW, Sinatora A. Estudo preliminar da formação de siliceto de cobalto [Internet]. Anais. 1988 ;[citado 2024 set. 06 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/10c6ef72-9fa7-4a04-90c7-86298a02ac49/Sinatora-1988-estudo%20prelimina%20da%20formacao.pdf
Vancouver
Freitas WJ, Swart JW, Sinatora A. Estudo preliminar da formação de siliceto de cobalto [Internet]. Anais. 1988 ;[citado 2024 set. 06 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/10c6ef72-9fa7-4a04-90c7-86298a02ac49/Sinatora-1988-estudo%20prelimina%20da%20formacao.pdf
Trabalho de evento
Verificação da redistribuição de arsenio no processo de formação de siliceto de titanio por rtp em vacuo (1988)
Furlan, Rogério ; Swart, Jacobus Willibrordus
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FURLAN, Rogério e SWART, Jacobus Willibrordus. Verificação da redistribuição de arsenio no processo de formação de siliceto de titanio por rtp em vacuo. 1988, Anais.. São Paulo: Sbmicro/Epusp, 1988. . Acesso em: 06 set. 2024.
APA
Furlan, R., & Swart, J. W. (1988). Verificação da redistribuição de arsenio no processo de formação de siliceto de titanio por rtp em vacuo. In Anais. São Paulo: Sbmicro/Epusp.
NLM
Furlan R, Swart JW. Verificação da redistribuição de arsenio no processo de formação de siliceto de titanio por rtp em vacuo. Anais. 1988 ;[citado 2024 set. 06 ]
Vancouver
Furlan R, Swart JW. Verificação da redistribuição de arsenio no processo de formação de siliceto de titanio por rtp em vacuo. Anais. 1988 ;[citado 2024 set. 06 ]
Trabalho de evento
Dependencia da tensao de limiar de transistores tipo deplecao com canal n implantado, na reducao da geometria do dispositivo (1988)
Zasnicoff, Luiz Sergio; Andrade, Carlos Américo Morato de
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidades: IEE, EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
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ABNT
ZASNICOFF, Luiz Sergio e ANDRADE, Carlos Américo Morato de. Dependencia da tensao de limiar de transistores tipo deplecao com canal n implantado, na reducao da geometria do dispositivo. 1988, Anais.. São Paulo: Sbmicro/Epusp, 1988. . Acesso em: 06 set. 2024.
APA
Zasnicoff, L. S., & Andrade, C. A. M. de. (1988). Dependencia da tensao de limiar de transistores tipo deplecao com canal n implantado, na reducao da geometria do dispositivo. In Anais. São Paulo: Sbmicro/Epusp.
NLM
Zasnicoff LS, Andrade CAM de. Dependencia da tensao de limiar de transistores tipo deplecao com canal n implantado, na reducao da geometria do dispositivo. Anais. 1988 ;[citado 2024 set. 06 ]
Vancouver
Zasnicoff LS, Andrade CAM de. Dependencia da tensao de limiar de transistores tipo deplecao com canal n implantado, na reducao da geometria do dispositivo. Anais. 1988 ;[citado 2024 set. 06 ]
Trabalho de evento
Caracterização experimental e análise da formação de filme de siliceto de titanio por técnicas de difração de raios-x (1988)
Morimoto, Nilton Itiro ; Swart, Jacobus Willibrordus; Riella, Humberto Gracher
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP
Assuntos: MICROELETRÔNICA, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
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ABNT
MORIMOTO, Nilton Itiro e SWART, Jacobus Willibrordus e RIELLA, Humberto Gracher. Caracterização experimental e análise da formação de filme de siliceto de titanio por técnicas de difração de raios-x. 1988, Anais.. São Paulo: Sbmicro/Epusp, 1988. . Acesso em: 06 set. 2024.
APA
Morimoto, N. I., Swart, J. W., & Riella, H. G. (1988). Caracterização experimental e análise da formação de filme de siliceto de titanio por técnicas de difração de raios-x. In Anais. São Paulo: Sbmicro/Epusp.
NLM
Morimoto NI, Swart JW, Riella HG. Caracterização experimental e análise da formação de filme de siliceto de titanio por técnicas de difração de raios-x. Anais. 1988 ;[citado 2024 set. 06 ]
Vancouver
Morimoto NI, Swart JW, Riella HG. Caracterização experimental e análise da formação de filme de siliceto de titanio por técnicas de difração de raios-x. Anais. 1988 ;[citado 2024 set. 06 ]
Trabalho de evento
Transistores de filmes finos de silicio amorfo (1988)
Andrade, Adnei Melges de ; Sanematsu, Mário Sabro; Fonseca, Fernando Josepetti ; Andrade, Carlos Américo Morato de; Martins, R F P; Fortunato, E
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidades: IEE, EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
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ABNT
ANDRADE, Adnei Melges de et al. Transistores de filmes finos de silicio amorfo. 1988, Anais.. Sao Paulo: Sbmicro/Epusp, 1988. . Acesso em: 06 set. 2024.
APA
Andrade, A. M. de, Sanematsu, M. S., Fonseca, F. J., Andrade, C. A. M. de, Martins, R. F. P., & Fortunato, E. (1988). Transistores de filmes finos de silicio amorfo. In Anais. Sao Paulo: Sbmicro/Epusp.
NLM
Andrade AM de, Sanematsu MS, Fonseca FJ, Andrade CAM de, Martins RFP, Fortunato E. Transistores de filmes finos de silicio amorfo. Anais. 1988 ;[citado 2024 set. 06 ]
Vancouver
Andrade AM de, Sanematsu MS, Fonseca FJ, Andrade CAM de, Martins RFP, Fortunato E. Transistores de filmes finos de silicio amorfo. Anais. 1988 ;[citado 2024 set. 06 ]
Trabalho de evento
Design of a mead and conway style alu in cmos (1988)
Decaluwe, J; Strum, Marius
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DECALUWE, J e STRUM, Marius. Design of a mead and conway style alu in cmos. 1988, Anais.. São Paulo: Sbmicro/Epusp, 1988. . Acesso em: 06 set. 2024.
APA
Decaluwe, J., & Strum, M. (1988). Design of a mead and conway style alu in cmos. In Anais. São Paulo: Sbmicro/Epusp.
NLM
Decaluwe J, Strum M. Design of a mead and conway style alu in cmos. Anais. 1988 ;[citado 2024 set. 06 ]
Vancouver
Decaluwe J, Strum M. Design of a mead and conway style alu in cmos. Anais. 1988 ;[citado 2024 set. 06 ]
Trabalho de evento-resumo
Medida experimental do atraso rc em linhas de interconexao (1988)
Santos Filho, Sebastião Gomes dos ; Swart, Jacobus Willibrordus
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos e SWART, Jacobus Willibrordus. Medida experimental do atraso rc em linhas de interconexao. 1988, Anais.. São Paulo: Sbmicro/Epusp, 1988. . Acesso em: 06 set. 2024.
APA
Santos Filho, S. G. dos, & Swart, J. W. (1988). Medida experimental do atraso rc em linhas de interconexao. In Anais. São Paulo: Sbmicro/Epusp.
NLM
Santos Filho SG dos, Swart JW. Medida experimental do atraso rc em linhas de interconexao. Anais. 1988 ;[citado 2024 set. 06 ]
Vancouver
Santos Filho SG dos, Swart JW. Medida experimental do atraso rc em linhas de interconexao. Anais. 1988 ;[citado 2024 set. 06 ]
Trabalho de evento
Formação de siliceto de titanio por rtp em vácuo e verificação da influência do arsênio (1988)
Furlan, Rogério ; Swart, Jacobus Willibrordus
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FURLAN, Rogério e SWART, Jacobus Willibrordus. Formação de siliceto de titanio por rtp em vácuo e verificação da influência do arsênio. 1988, Anais.. São Paulo: Sbmicro/Epusp, 1988. . Acesso em: 06 set. 2024.
APA
Furlan, R., & Swart, J. W. (1988). Formação de siliceto de titanio por rtp em vácuo e verificação da influência do arsênio. In Anais. São Paulo: Sbmicro/Epusp.
NLM
Furlan R, Swart JW. Formação de siliceto de titanio por rtp em vácuo e verificação da influência do arsênio. Anais. 1988 ;[citado 2024 set. 06 ]
Vancouver
Furlan R, Swart JW. Formação de siliceto de titanio por rtp em vácuo e verificação da influência do arsênio. Anais. 1988 ;[citado 2024 set. 06 ]
Trabalho de evento-resumo
Otimizacao da area ocupada por filtros continuos integrados (1988)
Galup Montoro, C
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GALUP MONTORO, C. Otimizacao da area ocupada por filtros continuos integrados. 1988, Anais.. Sao Paulo: Sbmicro/Epusp, 1988. . Acesso em: 06 set. 2024.
APA
Galup Montoro, C. (1988). Otimizacao da area ocupada por filtros continuos integrados. In Anais. Sao Paulo: Sbmicro/Epusp.
NLM
Galup Montoro C. Otimizacao da area ocupada por filtros continuos integrados. Anais. 1988 ;[citado 2024 set. 06 ]
Vancouver
Galup Montoro C. Otimizacao da area ocupada por filtros continuos integrados. Anais. 1988 ;[citado 2024 set. 06 ]
Trabalho de evento
Transistores mos com geometria fechada ; influencia dos cantos da geometria na largura efetiva do canal (1988)
Molina Torres, L C; Andrade, Carlos Américo Morato de
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidades: IEE, EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MOLINA TORRES, L C e ANDRADE, Carlos Américo Morato de. Transistores mos com geometria fechada ; influencia dos cantos da geometria na largura efetiva do canal. 1988, Anais.. Sao Paulo: Sbmicro/Epusp, 1988. . Acesso em: 06 set. 2024.
APA
Molina Torres, L. C., & Andrade, C. A. M. de. (1988). Transistores mos com geometria fechada ; influencia dos cantos da geometria na largura efetiva do canal. In Anais. Sao Paulo: Sbmicro/Epusp.
NLM
Molina Torres LC, Andrade CAM de. Transistores mos com geometria fechada ; influencia dos cantos da geometria na largura efetiva do canal. Anais. 1988 ;[citado 2024 set. 06 ]
Vancouver
Molina Torres LC, Andrade CAM de. Transistores mos com geometria fechada ; influencia dos cantos da geometria na largura efetiva do canal. Anais. 1988 ;[citado 2024 set. 06 ]
Trabalho de evento
Construção e caracterização de um equipamento de corrosão por plasma gasoso (1987)
Seabra, Antonio Carlos ; Silva, Maria Lucia Pereira da; Zuffo, João Antonio
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica. Unidade: EP
Assuntos: MICROELETRÔNICA, CORROSÃO, PLASMA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SEABRA, Antonio Carlos e SILVA, Maria Lucia Pereira da e ZUFFO, João Antonio. Construção e caracterização de um equipamento de corrosão por plasma gasoso. 1987, Anais.. São Paulo: Sbmicro/Epusp, 1987. . Acesso em: 06 set. 2024.
APA
Seabra, A. C., Silva, M. L. P. da, & Zuffo, J. A. (1987). Construção e caracterização de um equipamento de corrosão por plasma gasoso. In Anais. São Paulo: Sbmicro/Epusp.
NLM
Seabra AC, Silva MLP da, Zuffo JA. Construção e caracterização de um equipamento de corrosão por plasma gasoso. Anais. 1987 ;[citado 2024 set. 06 ]
Vancouver
Seabra AC, Silva MLP da, Zuffo JA. Construção e caracterização de um equipamento de corrosão por plasma gasoso. Anais. 1987 ;[citado 2024 set. 06 ]
Trabalho de evento
Obtenção de fontes e drenos em processo CMOS sem implantação de boro no silício policristalino de porta (1987)
Martino, João Antonio ; Seabra, Antonio Carlos ; Swart, Jacobus Willibrordus; Braz, Ivan Carlos; Favoretto, K
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP
Assuntos: CIRCUITOS INTEGRADOS, SILÍCIO, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARTINO, João Antonio et al. Obtenção de fontes e drenos em processo CMOS sem implantação de boro no silício policristalino de porta. 1987, Anais.. São Paulo: Sbmicro/Epusp, 1987. . Acesso em: 06 set. 2024.
APA
Martino, J. A., Seabra, A. C., Swart, J. W., Braz, I. C., & Favoretto, K. (1987). Obtenção de fontes e drenos em processo CMOS sem implantação de boro no silício policristalino de porta. In Anais. São Paulo: Sbmicro/Epusp.
NLM
Martino JA, Seabra AC, Swart JW, Braz IC, Favoretto K. Obtenção de fontes e drenos em processo CMOS sem implantação de boro no silício policristalino de porta. Anais. 1987 ;[citado 2024 set. 06 ]
Vancouver
Martino JA, Seabra AC, Swart JW, Braz IC, Favoretto K. Obtenção de fontes e drenos em processo CMOS sem implantação de boro no silício policristalino de porta. Anais. 1987 ;[citado 2024 set. 06 ]

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