Projeto de fonte e dreno de MOSFETs de canal curto (1991)
- Authors:
- Autor USP: MARTINO, JOAO ANTONIO - EP
- Unidade: EP
- Assunto: MICROELETRÔNICA
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Sociedade Brasileira de Microeletrônica
- Publisher place: Belo Horizonte
- Date published: 1991
- Source:
- Título do periódico: Anais
- Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica
-
ABNT
MAFRA JUNIOR, Johnny Jose e MARTINO, João Antonio. Projeto de fonte e dreno de MOSFETs de canal curto. 1991, Anais.. Belo Horizonte: Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 1991. . Acesso em: 28 mar. 2024. -
APA
Mafra Junior, J. J., & Martino, J. A. (1991). Projeto de fonte e dreno de MOSFETs de canal curto. In Anais. Belo Horizonte: Sociedade Brasileira de Microeletrônica. -
NLM
Mafra Junior JJ, Martino JA. Projeto de fonte e dreno de MOSFETs de canal curto. Anais. 1991 ;[citado 2024 mar. 28 ] -
Vancouver
Mafra Junior JJ, Martino JA. Projeto de fonte e dreno de MOSFETs de canal curto. Anais. 1991 ;[citado 2024 mar. 28 ] - The leakage drain current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs operating up to 300 o.C
- Comparison between the leakage drain current behavior in SOI nMOSFETs and SOI nMOSFETs operating at 300 o. C
- Obtenção da estrutura de perfil de um transistor MOS a partir de parâmetros PSPICE
- Components of the leakage drain current in accumulation-mode SOI pMOSFETs at high temperatures
- A novel simple method to extract the effective LDD doping concentration on fully depleted SOI NMOSFET
- The graded-channel SOI NMOSFET and its potential to analog applications
- CPU didática. (também em CD-Rom)
- Optimization of the twin gate SOI MOSFET
- Método simples para obtenção de variação da carga efetiva no óxido de um SOI-MOSFET em função da radiação. (em CD-Rom)
- Improved channel lenght and series resistance extraction for short-channel MOSFETs suffering from mobility degradation
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