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Dissertação (Mestrado)
Otimização das propriedades estruturais de filmes de nitreto de alumínio visando sua aplicação como material piezoelétrico (2015)
Cunha Junior, Rubens Martins; Pereyra, Inés (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: ENGENHARIA ELÉTRICA, MICROELETRÔNICA
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ABNT
CUNHA JUNIOR, Rubens Martins. Otimização das propriedades estruturais de filmes de nitreto de alumínio visando sua aplicação como material piezoelétrico. 2015. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2015. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20072016-153016/. Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Cunha Junior, R. M. (2015). Otimização das propriedades estruturais de filmes de nitreto de alumínio visando sua aplicação como material piezoelétrico (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20072016-153016/
NLM
Cunha Junior RM. Otimização das propriedades estruturais de filmes de nitreto de alumínio visando sua aplicação como material piezoelétrico [Internet]. 2015 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20072016-153016/
Vancouver
Cunha Junior RM. Otimização das propriedades estruturais de filmes de nitreto de alumínio visando sua aplicação como material piezoelétrico [Internet]. 2015 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20072016-153016/
Artigo de periodico
Enhanced dynamic threshold voltage UTBB SOI nMOSFETs (2015)
Sasaki, Kátia Regina Akemi; Manini, Matheus Barros; Claeys, Cor ; Simoen, Eddy ; Martino, João Antonio
Source: Solid-State Electronics. Unidade: EP
Subjects: SEMICONDUTORES, MICROELETRÔNICA
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ABNT
SASAKI, Kátia Regina Akemi et al. Enhanced dynamic threshold voltage UTBB SOI nMOSFETs. Solid-State Electronics, v. 112, p. 19-23, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2015.02.011. Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Sasaki, K. R. A., Manini, M. B., Claeys, C., Simoen, E., & Martino, J. A. (2015). Enhanced dynamic threshold voltage UTBB SOI nMOSFETs. Solid-State Electronics, 112, 19-23. doi:10.1016/j.sse.2015.02.011
NLM
Sasaki KRA, Manini MB, Claeys C, Simoen E, Martino JA. Enhanced dynamic threshold voltage UTBB SOI nMOSFETs [Internet]. Solid-State Electronics. 2015 ; 112 19-23.[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2015.02.011
Vancouver
Sasaki KRA, Manini MB, Claeys C, Simoen E, Martino JA. Enhanced dynamic threshold voltage UTBB SOI nMOSFETs [Internet]. Solid-State Electronics. 2015 ; 112 19-23.[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2015.02.011
Artigo de periodico
Extensionless UTBB FDSOI Devices in Enhanced Dynamic Threshold Mode under Low Power Point of View (2015)
Sasaki, Kátia Regina Akemi; Aoulaiche, Marc; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor ; Martino, João Antonio
Source: J. Low Power Electron. Appl. 2015, 5(2), 69-80. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
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ABNT
SASAKI, Kátia Regina Akemi et al. Extensionless UTBB FDSOI Devices in Enhanced Dynamic Threshold Mode under Low Power Point of View. J. Low Power Electron. Appl. 2015, 5(2), 69-80, v. 5, n. 2, p. 69-80, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.3390/jlpea5020069. Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Sasaki, K. R. A., Aoulaiche, M., Simoen, E., Claeys, C., & Martino, J. A. (2015). Extensionless UTBB FDSOI Devices in Enhanced Dynamic Threshold Mode under Low Power Point of View. J. Low Power Electron. Appl. 2015, 5(2), 69-80, 5( 2), 69-80. doi:10.3390/jlpea5020069
NLM
Sasaki KRA, Aoulaiche M, Simoen E, Claeys C, Martino JA. Extensionless UTBB FDSOI Devices in Enhanced Dynamic Threshold Mode under Low Power Point of View [Internet]. J. Low Power Electron. Appl. 2015, 5(2), 69-80. 2015 ; 5( 2): 69-80.[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.3390/jlpea5020069
Vancouver
Sasaki KRA, Aoulaiche M, Simoen E, Claeys C, Martino JA. Extensionless UTBB FDSOI Devices in Enhanced Dynamic Threshold Mode under Low Power Point of View [Internet]. J. Low Power Electron. Appl. 2015, 5(2), 69-80. 2015 ; 5( 2): 69-80.[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.3390/jlpea5020069
Artigo de periodico
In-depth low frequency noise evaluation of substrate rotation and strain engineering in n-type triple gate SOI FinFETs (2015)
Doria, Rodrigo Trevisoli ; Claeys, Cor ; Simoen, Eddy ; Souza, Marcio Alves Sodré de; Martino, João Antonio
Source: Microelectronic Engineering. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
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ABNT
DORIA, Rodrigo Trevisoli et al. In-depth low frequency noise evaluation of substrate rotation and strain engineering in n-type triple gate SOI FinFETs. Microelectronic Engineering, v. 147, n. 1, p. 92-95, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mee.2015.04.056. Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Doria, R. T., Claeys, C., Simoen, E., Souza, M. A. S. de, & Martino, J. A. (2015). In-depth low frequency noise evaluation of substrate rotation and strain engineering in n-type triple gate SOI FinFETs. Microelectronic Engineering, 147( 1), 92-95. doi:10.1016/j.mee.2015.04.056
NLM
Doria RT, Claeys C, Simoen E, Souza MAS de, Martino JA. In-depth low frequency noise evaluation of substrate rotation and strain engineering in n-type triple gate SOI FinFETs [Internet]. Microelectronic Engineering. 2015 ; 147( 1): 92-95.[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mee.2015.04.056
Vancouver
Doria RT, Claeys C, Simoen E, Souza MAS de, Martino JA. In-depth low frequency noise evaluation of substrate rotation and strain engineering in n-type triple gate SOI FinFETs [Internet]. Microelectronic Engineering. 2015 ; 147( 1): 92-95.[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mee.2015.04.056
Artigo de periodico
Different stress techniques and their efficiency on triple-gate SOI n-MOSFETs (2015)
Bühler, Rudolf Theoderich; Agopian, Paula Ghedini Der ; Collaert, Nadine ; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor ; Martino, João Antonio
Source: Solid-State Electronics. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
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ABNT
BÜHLER, Rudolf Theoderich et al. Different stress techniques and their efficiency on triple-gate SOI n-MOSFETs. Solid-State Electronics, v. 103, p. 209-215, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2014.07.010. Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Bühler, R. T., Agopian, P. G. D., Collaert, N., Simoen, E., Claeys, C., & Martino, J. A. (2015). Different stress techniques and their efficiency on triple-gate SOI n-MOSFETs. Solid-State Electronics, 103, 209-215. doi:10.1016/j.sse.2014.07.010
NLM
Bühler RT, Agopian PGD, Collaert N, Simoen E, Claeys C, Martino JA. Different stress techniques and their efficiency on triple-gate SOI n-MOSFETs [Internet]. Solid-State Electronics. 2015 ;103 209-215.[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2014.07.010
Vancouver
Bühler RT, Agopian PGD, Collaert N, Simoen E, Claeys C, Martino JA. Different stress techniques and their efficiency on triple-gate SOI n-MOSFETs [Internet]. Solid-State Electronics. 2015 ;103 209-215.[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2014.07.010
Artigo de periodico
Influence of the Source Composition on the Analog Performance Parameters of Vertical Nanowire-TFETs (2015)
Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio ; Santos, Sara Dereste dos; Rooyackers, Rita; Vandoren, A
Source: IEEE Transactions on Electron Devices. Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES, SILÍCIO
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ABNT
AGOPIAN, Paula Ghedini Der et al. Influence of the Source Composition on the Analog Performance Parameters of Vertical Nanowire-TFETs. IEEE Transactions on Electron Devices, v. 62, n. Ja 2015, p. 16-22, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/ted.2014.2367659. Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Agopian, P. G. D., Martino, J. A., Santos, S. D. dos, Rooyackers, R., & Vandoren, A. (2015). Influence of the Source Composition on the Analog Performance Parameters of Vertical Nanowire-TFETs. IEEE Transactions on Electron Devices, 62( Ja 2015), 16-22. doi:10.1109/ted.2014.2367659
NLM
Agopian PGD, Martino JA, Santos SD dos, Rooyackers R, Vandoren A. Influence of the Source Composition on the Analog Performance Parameters of Vertical Nanowire-TFETs [Internet]. IEEE Transactions on Electron Devices. 2015 ; 62( Ja 2015): 16-22.[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ted.2014.2367659
Vancouver
Agopian PGD, Martino JA, Santos SD dos, Rooyackers R, Vandoren A. Influence of the Source Composition on the Analog Performance Parameters of Vertical Nanowire-TFETs [Internet]. IEEE Transactions on Electron Devices. 2015 ; 62( Ja 2015): 16-22.[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ted.2014.2367659
Tese (Doutorado)
Geração de energia elétrica por ondas marinhas gerenciadas por microcontroladores (2015)
Kawano, Mario; Onmori, Roberto Koji (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: GERAÇÃO DE ENERGIA ELÉTRICA (GERENCIAMENTO;CONTROLE), MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
KAWANO, Mario. Geração de energia elétrica por ondas marinhas gerenciadas por microcontroladores. 2015. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2015. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-15072016-161226/. Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Kawano, M. (2015). Geração de energia elétrica por ondas marinhas gerenciadas por microcontroladores (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-15072016-161226/
NLM
Kawano M. Geração de energia elétrica por ondas marinhas gerenciadas por microcontroladores [Internet]. 2015 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-15072016-161226/
Vancouver
Kawano M. Geração de energia elétrica por ondas marinhas gerenciadas por microcontroladores [Internet]. 2015 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-15072016-161226/
Artigo de periodico
Analog performance of vertical nanowire TFETs as a function of temperature and transport mechanism (2015)
Martino, Márcio Dalla Valle; Thean, Aaron; Claeys, Cor ; Neves, Felipe S; Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio ; Vandooren, A; Rooyackers, Rita; Simoen, Eddy
Source: Solid-State Electronics. Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARTINO, Márcio Dalla Valle et al. Analog performance of vertical nanowire TFETs as a function of temperature and transport mechanism. Solid-State Electronics, v. 112, p. 51-55, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2015.02.006. Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Martino, M. D. V., Thean, A., Claeys, C., Neves, F. S., Agopian, P. G. D., Martino, J. A., et al. (2015). Analog performance of vertical nanowire TFETs as a function of temperature and transport mechanism. Solid-State Electronics, 112, 51-55. doi:10.1016/j.sse.2015.02.006
NLM
Martino MDV, Thean A, Claeys C, Neves FS, Agopian PGD, Martino JA, Vandooren A, Rooyackers R, Simoen E. Analog performance of vertical nanowire TFETs as a function of temperature and transport mechanism [Internet]. Solid-State Electronics. 2015 ; 112 51-55.[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2015.02.006
Vancouver
Martino MDV, Thean A, Claeys C, Neves FS, Agopian PGD, Martino JA, Vandooren A, Rooyackers R, Simoen E. Analog performance of vertical nanowire TFETs as a function of temperature and transport mechanism [Internet]. Solid-State Electronics. 2015 ; 112 51-55.[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2015.02.006
Artigo de periodico
Controlled growth of extended arrays of 'CO''SI' IND. 2' hexagonal nanoplatelets buried in 'SI'(001), 'SI'(011) and 'SI'(111) wafers (2015)
Kellermann, G.; Montoro, L. A.; Giovanetti, L. J.; Claro, P. C. dos Santos; Requejo, F. G.; Zhang, L.; Ramirez, A. J.; Craievich, Aldo Felix
Source: Physical Chemistry Chemical Physics. Unidade: IF
Subjects: SILÍCIO, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
KELLERMANN, G. et al. Controlled growth of extended arrays of 'CO''SI' IND. 2' hexagonal nanoplatelets buried in 'SI'(001), 'SI'(011) and 'SI'(111) wafers. Physical Chemistry Chemical Physics, v. 17, n. ja 2015, p. 4945-4951, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1039/C4CP04738A. Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Kellermann, G., Montoro, L. A., Giovanetti, L. J., Claro, P. C. dos S., Requejo, F. G., Zhang, L., et al. (2015). Controlled growth of extended arrays of 'CO''SI' IND. 2' hexagonal nanoplatelets buried in 'SI'(001), 'SI'(011) and 'SI'(111) wafers. Physical Chemistry Chemical Physics, 17( ja 2015), 4945-4951. doi:10.1039/C4CP04738A
NLM
Kellermann G, Montoro LA, Giovanetti LJ, Claro PC dos S, Requejo FG, Zhang L, Ramirez AJ, Craievich AF. Controlled growth of extended arrays of 'CO''SI' IND. 2' hexagonal nanoplatelets buried in 'SI'(001), 'SI'(011) and 'SI'(111) wafers [Internet]. Physical Chemistry Chemical Physics. 2015 ; 17( ja 2015): 4945-4951.[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1039/C4CP04738A
Vancouver
Kellermann G, Montoro LA, Giovanetti LJ, Claro PC dos S, Requejo FG, Zhang L, Ramirez AJ, Craievich AF. Controlled growth of extended arrays of 'CO''SI' IND. 2' hexagonal nanoplatelets buried in 'SI'(001), 'SI'(011) and 'SI'(111) wafers [Internet]. Physical Chemistry Chemical Physics. 2015 ; 17( ja 2015): 4945-4951.[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1039/C4CP04738A

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