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  • Trabalho de evento

    Analysis of the trade-off between voltage gain and frequency response of OTA designed using experimental data of omega-gate nanowire SOI MOSFETs (2023)

    Araújo, Gustavo Vinicius de; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der

    Source: SBMicro. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, CIRCUITOS ANALÓGICOS, MICROELETRÔNICA, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      ARAÚJO, Gustavo Vinicius de e MARTINO, João Antonio e AGOPIAN, Paula Ghedini Der. Analysis of the trade-off between voltage gain and frequency response of OTA designed using experimental data of omega-gate nanowire SOI MOSFETs. 2023, Anais.. [Piscataway, N.J.]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302603. Acesso em: 09 out. 2024.

    • APA

      Araújo, G. V. de, Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2023). Analysis of the trade-off between voltage gain and frequency response of OTA designed using experimental data of omega-gate nanowire SOI MOSFETs. In SBMicro. [Piscataway, N.J.]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302603

    • NLM

      Araújo GV de, Martino JA, Agopian PGD. Analysis of the trade-off between voltage gain and frequency response of OTA designed using experimental data of omega-gate nanowire SOI MOSFETs [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302603

    • Vancouver

      Araújo GV de, Martino JA, Agopian PGD. Analysis of the trade-off between voltage gain and frequency response of OTA designed using experimental data of omega-gate nanowire SOI MOSFETs [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302603

  • Trabalho de evento

    Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET (2023)

    Ramos, Daniel Augusto; Sasaki, Kátia Regina Akemi ; Rangel, Ricardo Cardoso; Duarte, Pedro Henrique; Martino, João Antonio

    Source: SBMicro. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP

    Subjects: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      RAMOS, Daniel Augusto et al. Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET. 2023, Anais.. [Piscataway, N.J.]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302644. Acesso em: 09 out. 2024.

    • APA

      Ramos, D. A., Sasaki, K. R. A., Rangel, R. C., Duarte, P. H., & Martino, J. A. (2023). Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET. In SBMicro. [Piscataway, N.J.]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302644

    • NLM

      Ramos DA, Sasaki KRA, Rangel RC, Duarte PH, Martino JA. Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302644

    • Vancouver

      Ramos DA, Sasaki KRA, Rangel RC, Duarte PH, Martino JA. Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302644

  • Trabalho de evento

    Trade-off between channel length and mechanical stress in the operational transconductance amplifier designed with SOI FinFET (2023)

    Ribeiro, Arllen D.R; Araújo, Gustavo Vinicius de; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der

    Source: SBMicro. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP

    Subjects: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      RIBEIRO, Arllen D.R et al. Trade-off between channel length and mechanical stress in the operational transconductance amplifier designed with SOI FinFET. 2023, Anais.. [Piscataway, N.J.]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302575. Acesso em: 09 out. 2024.

    • APA

      Ribeiro, A. D. R., Araújo, G. V. de, Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2023). Trade-off between channel length and mechanical stress in the operational transconductance amplifier designed with SOI FinFET. In SBMicro. [Piscataway, N.J.]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302575

    • NLM

      Ribeiro ADR, Araújo GV de, Martino JA, Agopian PGD. Trade-off between channel length and mechanical stress in the operational transconductance amplifier designed with SOI FinFET [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302575

    • Vancouver

      Ribeiro ADR, Araújo GV de, Martino JA, Agopian PGD. Trade-off between channel length and mechanical stress in the operational transconductance amplifier designed with SOI FinFET [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302575

  • Trabalho de evento

    Analysis of low-dropout voltage regulator designed with gate-all-around nanosheet transistors (2023)

    Souto, Rayana Carvalho de Barros; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der

    Source: SBMicro. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      SOUTO, Rayana Carvalho de Barros e MARTINO, João Antonio e AGOPIAN, Paula Ghedini Der. Analysis of low-dropout voltage regulator designed with gate-all-around nanosheet transistors. 2023, Anais.. [Piscataway]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302596. Acesso em: 09 out. 2024.

    • APA

      Souto, R. C. de B., Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2023). Analysis of low-dropout voltage regulator designed with gate-all-around nanosheet transistors. In SBMicro. [Piscataway]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302596

    • NLM

      Souto RC de B, Martino JA, Agopian PGD. Analysis of low-dropout voltage regulator designed with gate-all-around nanosheet transistors [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302596

    • Vancouver

      Souto RC de B, Martino JA, Agopian PGD. Analysis of low-dropout voltage regulator designed with gate-all-around nanosheet transistors [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302596

  • Dissertação (Mestrado)

    Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET (2022)

    Zangaro, Henrique Araújo; Martino, João Antonio (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES

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    • ABNT

      ZANGARO, Henrique Araújo. Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET. 2022. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-095406/. Acesso em: 09 out. 2024.

    • APA

      Zangaro, H. A. (2022). Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-095406/

    • NLM

      Zangaro HA. Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET [Internet]. 2022 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-095406/

    • Vancouver

      Zangaro HA. Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET [Internet]. 2022 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-095406/

  • Tese (Doutorado)

    Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet (2022)

    Rangel, Ricardo Cardoso; Martino, João Antonio (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS

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    • ABNT

      RANGEL, Ricardo Cardoso. Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet. 2022. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/. Acesso em: 09 out. 2024.

    • APA

      Rangel, R. C. (2022). Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/

    • NLM

      Rangel RC. Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet [Internet]. 2022 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/

    • Vancouver

      Rangel RC. Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet [Internet]. 2022 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/

  • Dissertação (Mestrado)

    Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas (2022)

    Leal, João Vitor da Costa; Martino, João Antonio (Orientador) ; Der Agopian, Paula Ghedini (coorient)

    Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA, BAIXA TEMPERATURA

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    • ABNT

      LEAL, João Vitor da Costa. Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas. 2022. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-082639/. Acesso em: 09 out. 2024.

    • APA

      Leal, J. V. da C. (2022). Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-082639/

    • NLM

      Leal JV da C. Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas [Internet]. 2022 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-082639/

    • Vancouver

      Leal JV da C. Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas [Internet]. 2022 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-082639/

  • Tese (Doutorado)

    Estudo dos transistores de tunelamento por efeito de campo como biossensores (2021)

    Macambira, Christian Nemeth; Martino, João Antonio (Orientador) ; Agopian, Paula Ghedini Der (coorient)

    Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES

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    • ABNT

      MACAMBIRA, Christian Nemeth. Estudo dos transistores de tunelamento por efeito de campo como biossensores. 2021. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2021. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04032022-085035/. Acesso em: 09 out. 2024.

    • APA

      Macambira, C. N. (2021). Estudo dos transistores de tunelamento por efeito de campo como biossensores (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04032022-085035/

    • NLM

      Macambira CN. Estudo dos transistores de tunelamento por efeito de campo como biossensores [Internet]. 2021 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04032022-085035/

    • Vancouver

      Macambira CN. Estudo dos transistores de tunelamento por efeito de campo como biossensores [Internet]. 2021 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04032022-085035/

  • Dissertação (Mestrado)

    Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. (2020)

    Gonçalves, Guilherme Vieira; Martino, João Antonio (Orientador) ; Oliveira, Alberto Vinicius de (coorient)

    Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, SEMICONDUTORES, TRANSISTORES

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    • ABNT

      GONÇALVES, Guilherme Vieira. Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. 2020. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2020. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12042021-154721/. Acesso em: 09 out. 2024.

    • APA

      Gonçalves, G. V. (2020). Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12042021-154721/

    • NLM

      Gonçalves GV. Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. [Internet]. 2020 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12042021-154721/

    • Vancouver

      Gonçalves GV. Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. [Internet]. 2020 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12042021-154721/

  • Dissertação (Mestrado)

    Aplicação do BESOI (Back Enhanced) MOSFET como sensor de luz no espectro visível. (2019)

    Peixoto, José Augusto Padovese; Martino, João Antonio (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, SENSORES ÓPTICOS, TRANSISTORES

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    • ABNT

      PEIXOTO, José Augusto Padovese. Aplicação do BESOI (Back Enhanced) MOSFET como sensor de luz no espectro visível. 2019. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2019. Disponível em: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26112019-094751/. Acesso em: 09 out. 2024.

    • APA

      Peixoto, J. A. P. (2019). Aplicação do BESOI (Back Enhanced) MOSFET como sensor de luz no espectro visível. (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26112019-094751/

    • NLM

      Peixoto JAP. Aplicação do BESOI (Back Enhanced) MOSFET como sensor de luz no espectro visível. [Internet]. 2019 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26112019-094751/

    • Vancouver

      Peixoto JAP. Aplicação do BESOI (Back Enhanced) MOSFET como sensor de luz no espectro visível. [Internet]. 2019 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26112019-094751/

  • Dissertação (Mestrado)

    Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e SOI UTBB (2018)

    Mori, Carlos Augusto Bergfeld; Martino, João Antonio (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES

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    • ABNT

      MORI, Carlos Augusto Bergfeld. Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e SOI UTBB. 2018. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2018. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-103903/. Acesso em: 09 out. 2024.

    • APA

      Mori, C. A. B. (2018). Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e SOI UTBB (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-103903/

    • NLM

      Mori CAB. Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e SOI UTBB [Internet]. 2018 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-103903/

    • Vancouver

      Mori CAB. Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e SOI UTBB [Internet]. 2018 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-103903/

  • Dissertação (Mestrado)

    Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET (2018)

    Yojo, Leonardo Shimizu; Martino, João Antonio (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES

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    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      YOJO, Leonardo Shimizu. Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET. 2018. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2018. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-150633/. Acesso em: 09 out. 2024.

    • APA

      Yojo, L. S. (2018). Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-150633/

    • NLM

      Yojo LS. Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET [Internet]. 2018 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-150633/

    • Vancouver

      Yojo LS. Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET [Internet]. 2018 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-150633/

  • Tese (Doutorado)

    Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos (2017)

    Martino, Márcio Dalla Valle; Agopian, Paula Ghedini Der (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES, CIRCUITOS ANALÓGICOS

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    • ABNT

      MARTINO, Márcio Dalla Valle. Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos. 2017. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05032018-110248/. Acesso em: 09 out. 2024.

    • APA

      Martino, M. D. V. (2017). Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05032018-110248/

    • NLM

      Martino MDV. Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos [Internet]. 2017 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05032018-110248/

    • Vancouver

      Martino MDV. Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos [Internet]. 2017 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05032018-110248/

  • Tese (Doutorado)

    Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio (2016)

    Oliveira, Alberto Vinicius de; Martino, João Antonio (Orientador) ; Agopian, Paula Ghedini Der (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES, SILÍCIO, GERMÂNIO

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    • ABNT

      OLIVEIRA, Alberto Vinicius de. Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio. 2016. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2016. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21032017-152959/. Acesso em: 09 out. 2024.

    • APA

      Oliveira, A. V. de. (2016). Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21032017-152959/

    • NLM

      Oliveira AV de. Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio [Internet]. 2016 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21032017-152959/

    • Vancouver

      Oliveira AV de. Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio [Internet]. 2016 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21032017-152959/

  • Dissertação (Mestrado)

    Efeitos da radiação de prótons em FinFET's de porta tripla de corpo (Bulk-FinFET) (2016)

    Bertoldo, Marcelo; Martino, João Antonio (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, RADIAÇÃO IONIZANTE, TRANSISTORES

    Acesso à fonteHow to cite
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    • ABNT

      BERTOLDO, Marcelo. Efeitos da radiação de prótons em FinFET's de porta tripla de corpo (Bulk-FinFET). 2016. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2016. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-24012017-082703/. Acesso em: 09 out. 2024.

    • APA

      Bertoldo, M. (2016). Efeitos da radiação de prótons em FinFET's de porta tripla de corpo (Bulk-FinFET) (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-24012017-082703/

    • NLM

      Bertoldo M. Efeitos da radiação de prótons em FinFET's de porta tripla de corpo (Bulk-FinFET) [Internet]. 2016 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-24012017-082703/

    • Vancouver

      Bertoldo M. Efeitos da radiação de prótons em FinFET's de porta tripla de corpo (Bulk-FinFET) [Internet]. 2016 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-24012017-082703/

  • Tese (Doutorado)

    Estudo de transistores SOI MOSFETs com camada de silício e óxido enterrado ultrafinos operando em modo de tensão de limiar dinâmica (2016)

    Sasaki, Kátia Regina Akemi; Martino, João Antonio (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA

    Acesso à fonteHow to cite
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    • ABNT

      SASAKI, Kátia Regina Akemi. Estudo de transistores SOI MOSFETs com camada de silício e óxido enterrado ultrafinos operando em modo de tensão de limiar dinâmica. 2016. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2016. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07032017-145408/. Acesso em: 09 out. 2024.

    • APA

      Sasaki, K. R. A. (2016). Estudo de transistores SOI MOSFETs com camada de silício e óxido enterrado ultrafinos operando em modo de tensão de limiar dinâmica (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07032017-145408/

    • NLM

      Sasaki KRA. Estudo de transistores SOI MOSFETs com camada de silício e óxido enterrado ultrafinos operando em modo de tensão de limiar dinâmica [Internet]. 2016 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07032017-145408/

    • Vancouver

      Sasaki KRA. Estudo de transistores SOI MOSFETs com camada de silício e óxido enterrado ultrafinos operando em modo de tensão de limiar dinâmica [Internet]. 2016 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07032017-145408/

  • Artigo de periodico

    Impact of Gate Stack Layer Composition on Dynamic Threshold Voltage and Analog Parameters of Ge pMOSFETs (2016)

    Oliveira, Alberto Vinicius de; Simoen, Eddy ; Thean, Aaron; Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio ; Claeys, Cor ; Mertens, Hans; Collaert, Nadine

    Source: ECS Transactions volume 66 issue 5 on pages 309 to 314. Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      OLIVEIRA, Alberto Vinicius de et al. Impact of Gate Stack Layer Composition on Dynamic Threshold Voltage and Analog Parameters of Ge pMOSFETs. ECS Transactions volume 66 issue 5 on pages 309 to 314, v. 66, n. 5, p. 309-314, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1149/06605.0309ecst. Acesso em: 09 out. 2024.

    • APA

      Oliveira, A. V. de, Simoen, E., Thean, A., Agopian, P. G. D., Martino, J. A., Claeys, C., et al. (2016). Impact of Gate Stack Layer Composition on Dynamic Threshold Voltage and Analog Parameters of Ge pMOSFETs. ECS Transactions volume 66 issue 5 on pages 309 to 314, 66( 5), 309-314. doi:10.1149/06605.0309ecst

    • NLM

      Oliveira AV de, Simoen E, Thean A, Agopian PGD, Martino JA, Claeys C, Mertens H, Collaert N. Impact of Gate Stack Layer Composition on Dynamic Threshold Voltage and Analog Parameters of Ge pMOSFETs [Internet]. ECS Transactions volume 66 issue 5 on pages 309 to 314. 2016 ; 66( 5): 309-314.[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1149/06605.0309ecst

    • Vancouver

      Oliveira AV de, Simoen E, Thean A, Agopian PGD, Martino JA, Claeys C, Mertens H, Collaert N. Impact of Gate Stack Layer Composition on Dynamic Threshold Voltage and Analog Parameters of Ge pMOSFETs [Internet]. ECS Transactions volume 66 issue 5 on pages 309 to 314. 2016 ; 66( 5): 309-314.[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1149/06605.0309ecst

  • Artigo de periodico

    Influence of the Source Composition on the Analog Performance Parameters of Vertical Nanowire-TFETs (2015)

    Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio ; Santos, Sara Dereste dos; Rooyackers, Rita; Vandoren, A

    Source: IEEE Transactions on Electron Devices. Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES, SILÍCIO

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      AGOPIAN, Paula Ghedini Der et al. Influence of the Source Composition on the Analog Performance Parameters of Vertical Nanowire-TFETs. IEEE Transactions on Electron Devices, v. 62, n. Ja 2015, p. 16-22, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/ted.2014.2367659. Acesso em: 09 out. 2024.

    • APA

      Agopian, P. G. D., Martino, J. A., Santos, S. D. dos, Rooyackers, R., & Vandoren, A. (2015). Influence of the Source Composition on the Analog Performance Parameters of Vertical Nanowire-TFETs. IEEE Transactions on Electron Devices, 62( Ja 2015), 16-22. doi:10.1109/ted.2014.2367659

    • NLM

      Agopian PGD, Martino JA, Santos SD dos, Rooyackers R, Vandoren A. Influence of the Source Composition on the Analog Performance Parameters of Vertical Nanowire-TFETs [Internet]. IEEE Transactions on Electron Devices. 2015 ; 62( Ja 2015): 16-22.[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ted.2014.2367659

    • Vancouver

      Agopian PGD, Martino JA, Santos SD dos, Rooyackers R, Vandoren A. Influence of the Source Composition on the Analog Performance Parameters of Vertical Nanowire-TFETs [Internet]. IEEE Transactions on Electron Devices. 2015 ; 62( Ja 2015): 16-22.[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ted.2014.2367659

  • Artigo de periodico

    Analog performance of vertical nanowire TFETs as a function of temperature and transport mechanism (2015)

    Martino, Márcio Dalla Valle; Thean, Aaron; Claeys, Cor ; Neves, Felipe S; Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio ; Vandooren, A; Rooyackers, Rita; Simoen, Eddy

    Source: Solid-State Electronics. Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      MARTINO, Márcio Dalla Valle et al. Analog performance of vertical nanowire TFETs as a function of temperature and transport mechanism. Solid-State Electronics, v. 112, p. 51-55, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2015.02.006. Acesso em: 09 out. 2024.

    • APA

      Martino, M. D. V., Thean, A., Claeys, C., Neves, F. S., Agopian, P. G. D., Martino, J. A., et al. (2015). Analog performance of vertical nanowire TFETs as a function of temperature and transport mechanism. Solid-State Electronics, 112, 51-55. doi:10.1016/j.sse.2015.02.006

    • NLM

      Martino MDV, Thean A, Claeys C, Neves FS, Agopian PGD, Martino JA, Vandooren A, Rooyackers R, Simoen E. Analog performance of vertical nanowire TFETs as a function of temperature and transport mechanism [Internet]. Solid-State Electronics. 2015 ; 112 51-55.[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2015.02.006

    • Vancouver

      Martino MDV, Thean A, Claeys C, Neves FS, Agopian PGD, Martino JA, Vandooren A, Rooyackers R, Simoen E. Analog performance of vertical nanowire TFETs as a function of temperature and transport mechanism [Internet]. Solid-State Electronics. 2015 ; 112 51-55.[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2015.02.006

  • Dissertação (Mestrado)

    Sequência simples de fabricação de transistores SOI nMOSFET (2014)

    Rangel, Ricardo Cardoso; Martino, João Antonio (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA, FABRICAÇÃO (MICROELETRÔNICA), DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      RANGEL, Ricardo Cardoso. Sequência simples de fabricação de transistores SOI nMOSFET. 2014. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2014. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12122014-153226/. Acesso em: 09 out. 2024.

    • APA

      Rangel, R. C. (2014). Sequência simples de fabricação de transistores SOI nMOSFET (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12122014-153226/

    • NLM

      Rangel RC. Sequência simples de fabricação de transistores SOI nMOSFET [Internet]. 2014 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12122014-153226/

    • Vancouver

      Rangel RC. Sequência simples de fabricação de transistores SOI nMOSFET [Internet]. 2014 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12122014-153226/

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