ReP USP - Resultado da busca

Artigo de periodico
Quasi-Fermi levels, chemical and electric potential profiles of a semiconductor under illumination (1999)
Santos, A. M. dos; Beliaev, Dmitri; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
SANTOS, A. M. dos et al. Quasi-Fermi levels, chemical and electric potential profiles of a semiconductor under illumination. Brazilian Journal of Physics, v. 29, n. 4, p. 775-778, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400034. Acesso em: 09 nov. 2025.
APA
Santos, A. M. dos, Beliaev, D., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1999). Quasi-Fermi levels, chemical and electric potential profiles of a semiconductor under illumination. Brazilian Journal of Physics, 29( 4), 775-778. doi:10.1590/s0103-97331999000400034
NLM
Santos AM dos, Beliaev D, Scolfaro LMR, Leite JR. Quasi-Fermi levels, chemical and electric potential profiles of a semiconductor under illumination [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1999 ; 29( 4): 775-778.[citado 2025 nov. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400034
Vancouver
Santos AM dos, Beliaev D, Scolfaro LMR, Leite JR. Quasi-Fermi levels, chemical and electric potential profiles of a semiconductor under illumination [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1999 ; 29( 4): 775-778.[citado 2025 nov. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400034
Artigo de periodico
Stochastic dynamics of 2D electrons in antidot lattice in the presence of an in-plane magnetic field (1999)
Choque, Nilo Mauricio Sotomayor; Santos, M. T. dos; Gusev, Guennadii Michailovich; Leite, J. R.; Kvon, Z. D.
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
CHOQUE, Nilo Mauricio Sotomayor et al. Stochastic dynamics of 2D electrons in antidot lattice in the presence of an in-plane magnetic field. Brazilian Journal of Physics, v. 29, n. 4, p. 727-729, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400022. Acesso em: 09 nov. 2025.
APA
Choque, N. M. S., Santos, M. T. dos, Gusev, G. M., Leite, J. R., & Kvon, Z. D. (1999). Stochastic dynamics of 2D electrons in antidot lattice in the presence of an in-plane magnetic field. Brazilian Journal of Physics, 29( 4), 727-729. doi:10.1590/s0103-97331999000400022
NLM
Choque NMS, Santos MT dos, Gusev GM, Leite JR, Kvon ZD. Stochastic dynamics of 2D electrons in antidot lattice in the presence of an in-plane magnetic field [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1999 ; 29( 4): 727-729.[citado 2025 nov. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400022
Vancouver
Choque NMS, Santos MT dos, Gusev GM, Leite JR, Kvon ZD. Stochastic dynamics of 2D electrons in antidot lattice in the presence of an in-plane magnetic field [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1999 ; 29( 4): 727-729.[citado 2025 nov. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400022
Artigo de periodico
High magnetic field transport and photoluminescence in doped InGaAs/InP superlattices (1999)
Henriques, André Bohomoletz ; Hanamoto, L. K.; Oliveira, R. F.; Souza, P. L.; Gonçalves, L. C. D.; Yavich, B.
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
HENRIQUES, André Bohomoletz et al. High magnetic field transport and photoluminescence in doped InGaAs/InP superlattices. Brazilian Journal of Physics, v. 29, n. 4, p. 707-710, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400017. Acesso em: 09 nov. 2025.
APA
Henriques, A. B., Hanamoto, L. K., Oliveira, R. F., Souza, P. L., Gonçalves, L. C. D., & Yavich, B. (1999). High magnetic field transport and photoluminescence in doped InGaAs/InP superlattices. Brazilian Journal of Physics, 29( 4), 707-710. doi:10.1590/s0103-97331999000400017
NLM
Henriques AB, Hanamoto LK, Oliveira RF, Souza PL, Gonçalves LCD, Yavich B. High magnetic field transport and photoluminescence in doped InGaAs/InP superlattices [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1999 ; 29( 4): 707-710.[citado 2025 nov. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400017
Vancouver
Henriques AB, Hanamoto LK, Oliveira RF, Souza PL, Gonçalves LCD, Yavich B. High magnetic field transport and photoluminescence in doped InGaAs/InP superlattices [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1999 ; 29( 4): 707-710.[citado 2025 nov. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400017
Artigo de periodico
Ab initio theoretical studies of atomic and electronic structures of III-nitride (110) surfaces (1999)
Alves, H. W. Leite; Alves, J. L. A.; Nogueira, R. A.; Leite, J. R.
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
ALVES, H. W. Leite et al. Ab initio theoretical studies of atomic and electronic structures of III-nitride (110) surfaces. Brazilian Journal of Physics, v. 29, n. 4, p. 817-822, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400044. Acesso em: 09 nov. 2025.
APA
Alves, H. W. L., Alves, J. L. A., Nogueira, R. A., & Leite, J. R. (1999). Ab initio theoretical studies of atomic and electronic structures of III-nitride (110) surfaces. Brazilian Journal of Physics, 29( 4), 817-822. doi:10.1590/s0103-97331999000400044
NLM
Alves HWL, Alves JLA, Nogueira RA, Leite JR. Ab initio theoretical studies of atomic and electronic structures of III-nitride (110) surfaces [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1999 ; 29( 4): 817-822.[citado 2025 nov. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400044
Vancouver
Alves HWL, Alves JLA, Nogueira RA, Leite JR. Ab initio theoretical studies of atomic and electronic structures of III-nitride (110) surfaces [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1999 ; 29( 4): 817-822.[citado 2025 nov. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400044
Artigo de periodico
Tellurium: modified surface states of GaAs(001) and InAs(001) (1999)
Silva, R. Claudino da; Ferraz, A. C.
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA, INTERFACE
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ABNT
SILVA, R. Claudino da e FERRAZ, A. C. Tellurium: modified surface states of GaAs(001) and InAs(001). Brazilian Journal of Physics, v. 29, n. 4, p. 823-827, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400045. Acesso em: 09 nov. 2025.
APA
Silva, R. C. da, & Ferraz, A. C. (1999). Tellurium: modified surface states of GaAs(001) and InAs(001). Brazilian Journal of Physics, 29( 4), 823-827. doi:10.1590/s0103-97331999000400045
NLM
Silva RC da, Ferraz AC. Tellurium: modified surface states of GaAs(001) and InAs(001) [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1999 ; 29( 4): 823-827.[citado 2025 nov. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400045
Vancouver
Silva RC da, Ferraz AC. Tellurium: modified surface states of GaAs(001) and InAs(001) [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1999 ; 29( 4): 823-827.[citado 2025 nov. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400045
Trabalho de evento-anais periodico
Theoretical study of Si(001)/Te-(1X1), (2X1) and (3X1) surfaces (1999)
Miwa, R. H.; Ferraz, A. C.
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIWA, R. H. e FERRAZ, A. C. Theoretical study of Si(001)/Te-(1X1), (2X1) and (3X1) surfaces. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://www.scielo.br/cgi-bin/fbpe/fball?got=all&pid=0103-9733&usr=fbpe&lng=pt&nrm=iso&sss=1&aut=71981947. Acesso em: 09 nov. 2025. , 1999
APA
Miwa, R. H., & Ferraz, A. C. (1999). Theoretical study of Si(001)/Te-(1X1), (2X1) and (3X1) surfaces. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.scielo.br/cgi-bin/fbpe/fball?got=all&pid=0103-9733&usr=fbpe&lng=pt&nrm=iso&sss=1&aut=71981947
NLM
Miwa RH, Ferraz AC. Theoretical study of Si(001)/Te-(1X1), (2X1) and (3X1) surfaces [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1999 ; 29( 4): 814-816.[citado 2025 nov. 09 ] Available from: http://www.scielo.br/cgi-bin/fbpe/fball?got=all&pid=0103-9733&usr=fbpe&lng=pt&nrm=iso&sss=1&aut=71981947
Vancouver
Miwa RH, Ferraz AC. Theoretical study of Si(001)/Te-(1X1), (2X1) and (3X1) surfaces [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1999 ; 29( 4): 814-816.[citado 2025 nov. 09 ] Available from: http://www.scielo.br/cgi-bin/fbpe/fball?got=all&pid=0103-9733&usr=fbpe&lng=pt&nrm=iso&sss=1&aut=71981947
Trabalho de evento-anais periodico
p-type Si-doped structures grown by molecular beam epitaxy on (311)A GaAs substrates (1998)
Quivy, A. A.; Frizzarini, M; Silva, E C F; Sperandio, A L; Leite, J. R.
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
QUIVY, A. A. et al. p-type Si-doped structures grown by molecular beam epitaxy on (311)A GaAs substrates. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. . Acesso em: 09 nov. 2025. , 1998
APA
Quivy, A. A., Frizzarini, M., Silva, E. C. F., Sperandio, A. L., & Leite, J. R. (1998). p-type Si-doped structures grown by molecular beam epitaxy on (311)A GaAs substrates. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Quivy AA, Frizzarini M, Silva ECF, Sperandio AL, Leite JR. p-type Si-doped structures grown by molecular beam epitaxy on (311)A GaAs substrates. Brazilian Journal of Physics. 1998 ; 27A( 4): 125-129.[citado 2025 nov. 09 ]
Vancouver
Quivy AA, Frizzarini M, Silva ECF, Sperandio AL, Leite JR. p-type Si-doped structures grown by molecular beam epitaxy on (311)A GaAs substrates. Brazilian Journal of Physics. 1998 ; 27A( 4): 125-129.[citado 2025 nov. 09 ]
Trabalho de evento-anais periodico
Electronic and structural properties of complex defects in GaAs (1998)
Janotti, A.; Fazzio, Adalberto ; Piquini, P; Mota, R.
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JANOTTI, A. et al. Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. . Acesso em: 09 nov. 2025. , 1998
APA
Janotti, A., Fazzio, A., Piquini, P., & Mota, R. (1998). Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Janotti A, Fazzio A, Piquini P, Mota R. Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics. 1998 ; 27A( 4): 110-115.[citado 2025 nov. 09 ]
Vancouver
Janotti A, Fazzio A, Piquini P, Mota R. Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics. 1998 ; 27A( 4): 110-115.[citado 2025 nov. 09 ]
Trabalho de evento-anais periodico
Growth of selg-organized InGaAs islands by molecular beam epitaxy (1998)
Quivy, A. A.; Cotta, M A; Leite, J. R.
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
QUIVY, A. A. e COTTA, M A e LEITE, J. R. Growth of selg-organized InGaAs islands by molecular beam epitaxy. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. . Acesso em: 09 nov. 2025. , 1998
APA
Quivy, A. A., Cotta, M. A., & Leite, J. R. (1998). Growth of selg-organized InGaAs islands by molecular beam epitaxy. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Quivy AA, Cotta MA, Leite JR. Growth of selg-organized InGaAs islands by molecular beam epitaxy. Brazilian Journal of Physics. 1998 ; 27( 4): 154-457.[citado 2025 nov. 09 ]
Vancouver
Quivy AA, Cotta MA, Leite JR. Growth of selg-organized InGaAs islands by molecular beam epitaxy. Brazilian Journal of Physics. 1998 ; 27( 4): 154-457.[citado 2025 nov. 09 ]

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