Tellurium: modified surface states of GaAs(001) and InAs(001) (1999)
- Authors:
- Autor USP: FERRAZ, ARMANDO CORBANI - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1590/s0103-97331999000400045
- Subjects: FÍSICA; INTERFACE
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Brazilian Journal of Physics
- ISSN: 0103-9733
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 29, n. 4, p. 823-827, 1999
- Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo é de acesso aberto
- URL de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: gold
- Licença: cc-by-nc
-
ABNT
SILVA, R. Claudino da e FERRAZ, A. C. Tellurium: modified surface states of GaAs(001) and InAs(001). Brazilian Journal of Physics, v. 29, n. 4, p. 823-827, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400045. Acesso em: 28 set. 2024. -
APA
Silva, R. C. da, & Ferraz, A. C. (1999). Tellurium: modified surface states of GaAs(001) and InAs(001). Brazilian Journal of Physics, 29( 4), 823-827. doi:10.1590/s0103-97331999000400045 -
NLM
Silva RC da, Ferraz AC. Tellurium: modified surface states of GaAs(001) and InAs(001) [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1999 ; 29( 4): 823-827.[citado 2024 set. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400045 -
Vancouver
Silva RC da, Ferraz AC. Tellurium: modified surface states of GaAs(001) and InAs(001) [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1999 ; 29( 4): 823-827.[citado 2024 set. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400045 - Electronic band structure of ' ( 'ga''as' ) IND.N'' (A1AS) IND.N' superlattices
- Self-consistent variational celular schene applied to semiconductors of group iv and iii-v compounds
- Electronic band structure of ' (GAAS) IND.N'' (ALAS) IND.N' and ' (GAAS) IND.N'' (ZNSE) IND.N' superlattices
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- Propriedades eletronicas das super-redes semicondutoras
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Informações sobre o DOI: 10.1590/s0103-97331999000400045 (Fonte: oaDOI API)
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