ReP USP - Resultado da busca

Artigo de periodico
Carrier diffusion in InGaAs/GaAs quantum wells grow on vicinal GaAs(001) substrates (2004)
Monte, A F G; Soler, M A G; Silva, S W da; Rodrigues, B B D; Morais, P C; Quivy, A. A.; Leite, J. R.
Fonte: Physica E. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
MONTE, A F G et al. Carrier diffusion in InGaAs/GaAs quantum wells grow on vicinal GaAs(001) substrates. Physica E, v. 23, n. 3-4, p. 466-470, 2004Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=6159&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=17f1fea449f699588a0075ae9a65600c. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Monte, A. F. G., Soler, M. A. G., Silva, S. W. da, Rodrigues, B. B. D., Morais, P. C., Quivy, A. A., & Leite, J. R. (2004). Carrier diffusion in InGaAs/GaAs quantum wells grow on vicinal GaAs(001) substrates. Physica E, 23( 3-4), 466-470. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=6159&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=17f1fea449f699588a0075ae9a65600c
NLM
Monte AFG, Soler MAG, Silva SW da, Rodrigues BBD, Morais PC, Quivy AA, Leite JR. Carrier diffusion in InGaAs/GaAs quantum wells grow on vicinal GaAs(001) substrates [Internet]. Physica E. 2004 ; 23( 3-4): 466-470.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=6159&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=17f1fea449f699588a0075ae9a65600c
Vancouver
Monte AFG, Soler MAG, Silva SW da, Rodrigues BBD, Morais PC, Quivy AA, Leite JR. Carrier diffusion in InGaAs/GaAs quantum wells grow on vicinal GaAs(001) substrates [Internet]. Physica E. 2004 ; 23( 3-4): 466-470.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=6159&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=17f1fea449f699588a0075ae9a65600c
Artigo de periodico
CW photoluminescence determination of the capture cross-section of self-assembled InAs quantum dots (2003)
Cruz, J M R; Sales, F V de; Silva, S W da; Soler, M A G; Morais, P C; Silva, M J da; Quivy, A. A.; Leite, J. R.
Fonte: Physica E. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
CRUZ, J M R et al. CW photoluminescence determination of the capture cross-section of self-assembled InAs quantum dots. Physica E, v. 17, n. 1-4, p. 107-108, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00721-x. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Cruz, J. M. R., Sales, F. V. de, Silva, S. W. da, Soler, M. A. G., Morais, P. C., Silva, M. J. da, et al. (2003). CW photoluminescence determination of the capture cross-section of self-assembled InAs quantum dots. Physica E, 17( 1-4), 107-108. doi:10.1016/s1386-9477(02)00721-x
NLM
Cruz JMR, Sales FV de, Silva SW da, Soler MAG, Morais PC, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. CW photoluminescence determination of the capture cross-section of self-assembled InAs quantum dots [Internet]. Physica E. 2003 ; 17( 1-4): 107-108.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00721-x
Vancouver
Cruz JMR, Sales FV de, Silva SW da, Soler MAG, Morais PC, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. CW photoluminescence determination of the capture cross-section of self-assembled InAs quantum dots [Internet]. Physica E. 2003 ; 17( 1-4): 107-108.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00721-x
Artigo de periodico
Observation of the spectral dependence of the spatial photocarrier redistribution in InAs/GaAs quantum dots (2003)
Sales, F V de; Silva, S W da; Cruz, J M R; Soler, M A G; Morais, P C; Silva, M J da; Quivy, A. A.; Leite, J. R.
Fonte: Physica E. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
SALES, F V de et al. Observation of the spectral dependence of the spatial photocarrier redistribution in InAs/GaAs quantum dots. Physica E, v. 17, n. 1-4, p. 120-121, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00739-7. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Sales, F. V. de, Silva, S. W. da, Cruz, J. M. R., Soler, M. A. G., Morais, P. C., Silva, M. J. da, et al. (2003). Observation of the spectral dependence of the spatial photocarrier redistribution in InAs/GaAs quantum dots. Physica E, 17( 1-4), 120-121. doi:10.1016/s1386-9477(02)00739-7
NLM
Sales FV de, Silva SW da, Cruz JMR, Soler MAG, Morais PC, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Observation of the spectral dependence of the spatial photocarrier redistribution in InAs/GaAs quantum dots [Internet]. Physica E. 2003 ; 17( 1-4): 120-121.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00739-7
Vancouver
Sales FV de, Silva SW da, Cruz JMR, Soler MAG, Morais PC, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Observation of the spectral dependence of the spatial photocarrier redistribution in InAs/GaAs quantum dots [Internet]. Physica E. 2003 ; 17( 1-4): 120-121.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00739-7
Trabalho de evento-resumo
Energy transfer in small lens-shaped in as quantum dots observed by microluminescence image (2003)
Sales, F V de; Silva, S W da; Cruz, J M R; Monte, A F G; Soler, M A G; Morais, P C; Silva, M J da; Quivy, A. A.; Leite, J. R.
Fonte: Book of Abstracts. Nome do evento: International Meeting on Applied Physics. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SALES, F V de et al. Energy transfer in small lens-shaped in as quantum dots observed by microluminescence image. 2003, Anais.. Badajoz: APHYS, 2003. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Sales, F. V. de, Silva, S. W. da, Cruz, J. M. R., Monte, A. F. G., Soler, M. A. G., Morais, P. C., et al. (2003). Energy transfer in small lens-shaped in as quantum dots observed by microluminescence image. In Book of Abstracts. Badajoz: APHYS.
NLM
Sales FV de, Silva SW da, Cruz JMR, Monte AFG, Soler MAG, Morais PC, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Energy transfer in small lens-shaped in as quantum dots observed by microluminescence image. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Sales FV de, Silva SW da, Cruz JMR, Monte AFG, Soler MAG, Morais PC, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Energy transfer in small lens-shaped in as quantum dots observed by microluminescence image. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Artigo de periodico
Coupled rate equation modeling of self-assembled quantum dot photoluminescence (2003)
Sales, F V de; Cruz, J M R; Silva, S W da; Soler, M A G; Morais, P C; Silva, M J da; Quivy, A. A.; Leite, J. R.
Fonte: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
SALES, F V de et al. Coupled rate equation modeling of self-assembled quantum dot photoluminescence. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5-8, p. 705-707, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00107-1. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Sales, F. V. de, Cruz, J. M. R., Silva, S. W. da, Soler, M. A. G., Morais, P. C., Silva, M. J. da, et al. (2003). Coupled rate equation modeling of self-assembled quantum dot photoluminescence. Microelectronics Journal, 34( 5-8), 705-707. doi:10.1016/s0026-2692(03)00107-1
NLM
Sales FV de, Cruz JMR, Silva SW da, Soler MAG, Morais PC, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Coupled rate equation modeling of self-assembled quantum dot photoluminescence [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 705-707.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00107-1
Vancouver
Sales FV de, Cruz JMR, Silva SW da, Soler MAG, Morais PC, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Coupled rate equation modeling of self-assembled quantum dot photoluminescence [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 705-707.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00107-1
Artigo de periodico
Carrier kinetics in quantum dots through continuos wave photoluminescence modeling: a systematic study on a sample with surface dot density gradient (2003)
Sales, F V de; Cruz, J M R; Silva, S W da; Soler, M A G; Morais, P C de; Silva, M J da; Quivy, A. A.; Leite, J. R.
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SALES, F V de et al. Carrier kinetics in quantum dots through continuos wave photoluminescence modeling: a systematic study on a sample with surface dot density gradient. Journal of Applied Physics, v. 94, n. 3, p. 1787-1794, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1586953. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Sales, F. V. de, Cruz, J. M. R., Silva, S. W. da, Soler, M. A. G., Morais, P. C. de, Silva, M. J. da, et al. (2003). Carrier kinetics in quantum dots through continuos wave photoluminescence modeling: a systematic study on a sample with surface dot density gradient. Journal of Applied Physics, 94( 3), 1787-1794. doi:10.1063/1.1586953
NLM
Sales FV de, Cruz JMR, Silva SW da, Soler MAG, Morais PC de, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Carrier kinetics in quantum dots through continuos wave photoluminescence modeling: a systematic study on a sample with surface dot density gradient [Internet]. Journal of Applied Physics. 2003 ; 94( 3): 1787-1794.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1586953
Vancouver
Sales FV de, Cruz JMR, Silva SW da, Soler MAG, Morais PC de, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Carrier kinetics in quantum dots through continuos wave photoluminescence modeling: a systematic study on a sample with surface dot density gradient [Internet]. Journal of Applied Physics. 2003 ; 94( 3): 1787-1794.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1586953
Artigo de periodico
Photoexcited carrier diffusion in self-assembled InAs/GaAs quantum dots with different dot densities (2003)
Monte, A F G; Sales, F V de; Silva, S W da; Soler, M A G; Cruz, J M R; Morais, P C; Silva, M J da; Quivy, A. A.; Leite, J. R.
Fonte: Physica E. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MONTE, A F G et al. Photoexcited carrier diffusion in self-assembled InAs/GaAs quantum dots with different dot densities. Physica E, v. 17, n. 1-4, p. 122-123, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00741-5. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Monte, A. F. G., Sales, F. V. de, Silva, S. W. da, Soler, M. A. G., Cruz, J. M. R., Morais, P. C., et al. (2003). Photoexcited carrier diffusion in self-assembled InAs/GaAs quantum dots with different dot densities. Physica E, 17( 1-4), 122-123. doi:10.1016/s1386-9477(02)00741-5
NLM
Monte AFG, Sales FV de, Silva SW da, Soler MAG, Cruz JMR, Morais PC, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Photoexcited carrier diffusion in self-assembled InAs/GaAs quantum dots with different dot densities [Internet]. Physica E. 2003 ; 17( 1-4): 122-123.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00741-5
Vancouver
Monte AFG, Sales FV de, Silva SW da, Soler MAG, Cruz JMR, Morais PC, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Photoexcited carrier diffusion in self-assembled InAs/GaAs quantum dots with different dot densities [Internet]. Physica E. 2003 ; 17( 1-4): 122-123.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00741-5

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