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Artigo de periodico
Maleic anhydride adsorption on silicon (001) (2005)
Miotto, P; Ferraz, A. C.; Srivastava, G. P.
Source: Journal of Chemical Physics. Unidade: IF
Subjects: FÍSICO-QUÍMICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SUPERFÍCIE FÍSICA, SEMICONDUTORES
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ABNT
MIOTTO, P e FERRAZ, A. C. e SRIVASTAVA, G. P. Maleic anhydride adsorption on silicon (001). Journal of Chemical Physics, v. 123, n. 7, p. 074708/1-074708/9, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2006676. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Miotto, P., Ferraz, A. C., & Srivastava, G. P. (2005). Maleic anhydride adsorption on silicon (001). Journal of Chemical Physics, 123( 7), 074708/1-074708/9. doi:10.1063/1.2006676
NLM
Miotto P, Ferraz AC, Srivastava GP. Maleic anhydride adsorption on silicon (001) [Internet]. Journal of Chemical Physics. 2005 ; 123( 7): 074708/1-074708/9.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2006676
Vancouver
Miotto P, Ferraz AC, Srivastava GP. Maleic anhydride adsorption on silicon (001) [Internet]. Journal of Chemical Physics. 2005 ; 123( 7): 074708/1-074708/9.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2006676
Artigo de periodico
Acetonitrile adsorption on Si(001) (2004)
Miotto, R; Oliveira, M C de; Pinto, M M; Léon Pérez, F de; Ferraz, A. C.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SUPERFÍCIE FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
MIOTTO, R et al. Acetonitrile adsorption on Si(001). Physical Review B, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.69.235331. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Miotto, R., Oliveira, M. C. de, Pinto, M. M., Léon Pérez, F. de, & Ferraz, A. C. (2004). Acetonitrile adsorption on Si(001). Physical Review B. doi:10.1103/physrevb.69.235331
NLM
Miotto R, Oliveira MC de, Pinto MM, Léon Pérez F de, Ferraz AC. Acetonitrile adsorption on Si(001) [Internet]. Physical Review B. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.69.235331
Vancouver
Miotto R, Oliveira MC de, Pinto MM, Léon Pérez F de, Ferraz AC. Acetonitrile adsorption on Si(001) [Internet]. Physical Review B. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.69.235331
Artigo de periodico
C 'H IND. 3'CN on Si(001): adsorption geometries and electronic structure (2004)
Miotto, R; Oliveira, M C; Pinto, M M; Léon-Perez, F de; Ferraz, A. C.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
MIOTTO, R et al. C 'H IND. 3'CN on Si(001): adsorption geometries and electronic structure. Brazilian Journal of Physics, 2004Tradução . . Disponível em: http://www.scielo.br/pdf/bjp/v34n2b/a45v342b.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Miotto, R., Oliveira, M. C., Pinto, M. M., Léon-Perez, F. de, & Ferraz, A. C. (2004). C 'H IND. 3'CN on Si(001): adsorption geometries and electronic structure. Brazilian Journal of Physics. Recuperado de http://www.scielo.br/pdf/bjp/v34n2b/a45v342b.pdf
NLM
Miotto R, Oliveira MC, Pinto MM, Léon-Perez F de, Ferraz AC. C 'H IND. 3'CN on Si(001): adsorption geometries and electronic structure [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.scielo.br/pdf/bjp/v34n2b/a45v342b.pdf
Vancouver
Miotto R, Oliveira MC, Pinto MM, Léon-Perez F de, Ferraz AC. C 'H IND. 3'CN on Si(001): adsorption geometries and electronic structure [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.scielo.br/pdf/bjp/v34n2b/a45v342b.pdf
Artigo de periodico
A theoretical study of acrylonitride adsorption on Si(001) (2004)
Léon-Pérez, F de; Miotto, R; Ferraz, A. C.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
LÉON-PÉREZ, F de e MIOTTO, R e FERRAZ, A. C. A theoretical study of acrylonitride adsorption on Si(001). Brazilian Journal of Physics, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400052. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Léon-Pérez, F. de, Miotto, R., & Ferraz, A. C. (2004). A theoretical study of acrylonitride adsorption on Si(001). Brazilian Journal of Physics. doi:10.1590/s0103-97332004000400052
NLM
Léon-Pérez F de, Miotto R, Ferraz AC. A theoretical study of acrylonitride adsorption on Si(001) [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400052
Vancouver
Léon-Pérez F de, Miotto R, Ferraz AC. A theoretical study of acrylonitride adsorption on Si(001) [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400052
Artigo de periodico
Adsorption of 'Nh IND. 3' on Ge(001) (2003)
Miotto, R; Miwa, R H; Ferraz, A. C.
Source: Phisical Review B. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SUPERFÍCIE FÍSICA
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ABNT
MIOTTO, R e MIWA, R H e FERRAZ, A. C. Adsorption of 'Nh IND. 3' on Ge(001). Phisical Review B, v. 68, n. 11, p. 115436/1-1155436/6, 2003Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000068000011115436000001&idtype=cvips. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Miotto, R., Miwa, R. H., & Ferraz, A. C. (2003). Adsorption of 'Nh IND. 3' on Ge(001). Phisical Review B, 68( 11), 115436/1-1155436/6. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000068000011115436000001&idtype=cvips
NLM
Miotto R, Miwa RH, Ferraz AC. Adsorption of 'Nh IND. 3' on Ge(001) [Internet]. Phisical Review B. 2003 ; 68( 11): 115436/1-1155436/6.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000068000011115436000001&idtype=cvips
Vancouver
Miotto R, Miwa RH, Ferraz AC. Adsorption of 'Nh IND. 3' on Ge(001) [Internet]. Phisical Review B. 2003 ; 68( 11): 115436/1-1155436/6.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000068000011115436000001&idtype=cvips
Trabalho de evento-resumo
Acetronitrile adsorption on the silicon (001) surface (2003)
Miotto, R; Ferraz, A. C.
Source: Book of Abstract. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
MIOTTO, R e FERRAZ, A. C. Acetronitrile adsorption on the silicon (001) surface. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Miotto, R., & Ferraz, A. C. (2003). Acetronitrile adsorption on the silicon (001) surface. In Book of Abstract. Fortaleza: DF/UFC.
NLM
Miotto R, Ferraz AC. Acetronitrile adsorption on the silicon (001) surface. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Miotto R, Ferraz AC. Acetronitrile adsorption on the silicon (001) surface. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Artigo de periodico
Ab initio study of the GaAs(001)-In(4 X 2) surface (2003)
Miwa, Roberto Hiroki; Miotto, R.; Ferraz, A. C.; Srivastava, G P
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SUPERFÍCIE FÍSICA
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ABNT
MIWA, Roberto Hiroki et al. Ab initio study of the GaAs(001)-In(4 X 2) surface. Physical Review B, v. 67, n. 4, p. 045325/1-045325/5, 2003Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000067000004045325000001&idtype=cvips. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Miwa, R. H., Miotto, R., Ferraz, A. C., & Srivastava, G. P. (2003). Ab initio study of the GaAs(001)-In(4 X 2) surface. Physical Review B, 67( 4), 045325/1-045325/5. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000067000004045325000001&idtype=cvips
NLM
Miwa RH, Miotto R, Ferraz AC, Srivastava GP. Ab initio study of the GaAs(001)-In(4 X 2) surface [Internet]. Physical Review B. 2003 ; 67( 4): 045325/1-045325/5.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000067000004045325000001&idtype=cvips
Vancouver
Miwa RH, Miotto R, Ferraz AC, Srivastava GP. Ab initio study of the GaAs(001)-In(4 X 2) surface [Internet]. Physical Review B. 2003 ; 67( 4): 045325/1-045325/5.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000067000004045325000001&idtype=cvips
Artigo de periodico
Oxygen adsorption on CdTe(110) (2003)
Miotto, R ((*)); Kiss, F D; Ferraz, A. C.
Source: Surface Science. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES, SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
KISS, F D e FERRAZ, A. C. Oxygen adsorption on CdTe(110). Surface Science, v. 525, n. 1-3, p. 24-32, 2003Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5546&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=12cc7163887b9327838c19187cdddd51. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Kiss, F. D., & Ferraz, A. C. (2003). Oxygen adsorption on CdTe(110). Surface Science, 525( 1-3), 24-32. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5546&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=12cc7163887b9327838c19187cdddd51
NLM
Kiss FD, Ferraz AC. Oxygen adsorption on CdTe(110) [Internet]. Surface Science. 2003 ; 525( 1-3): 24-32.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5546&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=12cc7163887b9327838c19187cdddd51
Vancouver
Kiss FD, Ferraz AC. Oxygen adsorption on CdTe(110) [Internet]. Surface Science. 2003 ; 525( 1-3): 24-32.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5546&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=12cc7163887b9327838c19187cdddd51
Artigo de periodico
Zn-induced features at the GaAs(110) surface: a first-principles study (2002)
Ferraz, A. C.; Miotto, R.
Source: Vacuum. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES, VÁCUO
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ABNT
FERRAZ, A. C. e MIOTTO, R. Zn-induced features at the GaAs(110) surface: a first-principles study. Vacuum, v. 67, n. 1, p. 31-35, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0042-207x(02)00184-7. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Ferraz, A. C., & Miotto, R. (2002). Zn-induced features at the GaAs(110) surface: a first-principles study. Vacuum, 67( 1), 31-35. doi:10.1016/s0042-207x(02)00184-7
NLM
Ferraz AC, Miotto R. Zn-induced features at the GaAs(110) surface: a first-principles study [Internet]. Vacuum. 2002 ; 67( 1): 31-35.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0042-207x(02)00184-7
Vancouver
Ferraz AC, Miotto R. Zn-induced features at the GaAs(110) surface: a first-principles study [Internet]. Vacuum. 2002 ; 67( 1): 31-35.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0042-207x(02)00184-7
Artigo de periodico
Acetylene adsorption on the Si(001) surface (2002)
Miotto, R.; Ferraz, A. C.; Srivastava, G P
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: SUPERFÍCIE FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIOTTO, R. e FERRAZ, A. C. e SRIVASTAVA, G P. Acetylene adsorption on the Si(001) surface. Physical Review B, v. 65, n. 7, p. 75401/1-75401/11, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.65.075401. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Miotto, R., Ferraz, A. C., & Srivastava, G. P. (2002). Acetylene adsorption on the Si(001) surface. Physical Review B, 65( 7), 75401/1-75401/11. doi:10.1103/physrevb.65.075401
NLM
Miotto R, Ferraz AC, Srivastava GP. Acetylene adsorption on the Si(001) surface [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 65( 7): 75401/1-75401/11.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.65.075401
Vancouver
Miotto R, Ferraz AC, Srivastava GP. Acetylene adsorption on the Si(001) surface [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 65( 7): 75401/1-75401/11.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.65.075401
Artigo de periodico
Stability and electronic structure of hydrogen-nitrogen complexes in GaAs (2002)
Orellana, W; Ferraz, A. C.
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
ORELLANA, W e FERRAZ, A. C. Stability and electronic structure of hydrogen-nitrogen complexes in GaAs. Applied Physics Letters, v. 81, n. 20, p. 3816-3818, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1521571. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Orellana, W., & Ferraz, A. C. (2002). Stability and electronic structure of hydrogen-nitrogen complexes in GaAs. Applied Physics Letters, 81( 20), 3816-3818. doi:10.1063/1.1521571
NLM
Orellana W, Ferraz AC. Stability and electronic structure of hydrogen-nitrogen complexes in GaAs [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 81( 20): 3816-3818.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1521571
Vancouver
Orellana W, Ferraz AC. Stability and electronic structure of hydrogen-nitrogen complexes in GaAs [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 81( 20): 3816-3818.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1521571
Artigo de periodico
Ab initio study of substitutional nitrogen in GaAs (2001)
Orellana, W; Ferraz, A. C.
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, NITROGÊNIO, ESTADO SÓLIDO, FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, FÍSICA DO ESTADO SÓLIDO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ORELLANA, W e FERRAZ, A. C. Ab initio study of substitutional nitrogen in GaAs. Applied Physics Letters, v. 78, n. 9, p. 1231-1233, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1351524. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Orellana, W., & Ferraz, A. C. (2001). Ab initio study of substitutional nitrogen in GaAs. Applied Physics Letters, 78( 9), 1231-1233. doi:10.1063/1.1351524
NLM
Orellana W, Ferraz AC. Ab initio study of substitutional nitrogen in GaAs [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 78( 9): 1231-1233.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1351524
Vancouver
Orellana W, Ferraz AC. Ab initio study of substitutional nitrogen in GaAs [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 78( 9): 1231-1233.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1351524
Tese (Doutorado)
Estudo de primeiros princípios das superfícies III-N e adsorção de N'H IND.3' e N'F IND.3' sobre a superfície de 'SI' (1999)
Miotto, R.; Ferraz, A. C. (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIOTTO, R. Estudo de primeiros princípios das superfícies III-N e adsorção de N'H IND.3' e N'F IND.3' sobre a superfície de 'SI'. 1999. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1999. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-11012001-192040/. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Miotto, R. (1999). Estudo de primeiros princípios das superfícies III-N e adsorção de N'H IND.3' e N'F IND.3' sobre a superfície de 'SI' (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-11012001-192040/
NLM
Miotto R. Estudo de primeiros princípios das superfícies III-N e adsorção de N'H IND.3' e N'F IND.3' sobre a superfície de 'SI' [Internet]. 1999 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-11012001-192040/
Vancouver
Miotto R. Estudo de primeiros princípios das superfícies III-N e adsorção de N'H IND.3' e N'F IND.3' sobre a superfície de 'SI' [Internet]. 1999 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-11012001-192040/
Tese (Doutorado)
Adsorção atômica e molecular de cloro sobre a superfície livre de silício (1999)
Casagrande, Douglas; Ferraz, A. C. (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CASAGRANDE, Douglas. Adsorção atômica e molecular de cloro sobre a superfície livre de silício. 1999. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1999. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-23052012-152952/. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Casagrande, D. (1999). Adsorção atômica e molecular de cloro sobre a superfície livre de silício (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-23052012-152952/
NLM
Casagrande D. Adsorção atômica e molecular de cloro sobre a superfície livre de silício [Internet]. 1999 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-23052012-152952/
Vancouver
Casagrande D. Adsorção atômica e molecular de cloro sobre a superfície livre de silício [Internet]. 1999 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-23052012-152952/
Dissertação (Mestrado)
Estabilidade e estrutura eletronica em super-redes ' (III-V) IND.N'/' ('iv ind.2') IND.N' (1994)
Casagrande, Douglas; Ferraz, A. C. (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CASAGRANDE, Douglas. Estabilidade e estrutura eletronica em super-redes ' (III-V) IND.N'/' ('iv ind.2') IND.N'. 1994. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1994. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Casagrande, D. (1994). Estabilidade e estrutura eletronica em super-redes ' (III-V) IND.N'/' ('iv ind.2') IND.N' (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Casagrande D. Estabilidade e estrutura eletronica em super-redes ' (III-V) IND.N'/' ('iv ind.2') IND.N'. 1994 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Casagrande D. Estabilidade e estrutura eletronica em super-redes ' (III-V) IND.N'/' ('iv ind.2') IND.N'. 1994 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Tese (Doutorado)
Estruturas eletrônicas de super-redes semicondutoras tensionadas (1992)
Figueiredo, Sergio Kaisserlian de; Ferraz, A. C. (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FIGUEIREDO, Sergio Kaisserlian de. Estruturas eletrônicas de super-redes semicondutoras tensionadas. 1992. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1992. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Figueiredo, S. K. de. (1992). Estruturas eletrônicas de super-redes semicondutoras tensionadas (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Figueiredo SK de. Estruturas eletrônicas de super-redes semicondutoras tensionadas. 1992 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Figueiredo SK de. Estruturas eletrônicas de super-redes semicondutoras tensionadas. 1992 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Tese (Doutorado)
Estrutura eletrônica de semicondutores do grupo iv e de compostos do grupo iii-v pelo metodo celular variacional autoconsistente (1988)
Takahashi, Eduardo Kojy; Ferraz, A. C. (Orientador)
Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TAKAHASHI, Eduardo Kojy. Estrutura eletrônica de semicondutores do grupo iv e de compostos do grupo iii-v pelo metodo celular variacional autoconsistente. 1988. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1988. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Takahashi, E. K. (1988). Estrutura eletrônica de semicondutores do grupo iv e de compostos do grupo iii-v pelo metodo celular variacional autoconsistente (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Takahashi EK. Estrutura eletrônica de semicondutores do grupo iv e de compostos do grupo iii-v pelo metodo celular variacional autoconsistente. 1988 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Takahashi EK. Estrutura eletrônica de semicondutores do grupo iv e de compostos do grupo iii-v pelo metodo celular variacional autoconsistente. 1988 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Artigo de periodico
Electronic band structure of ' ( 'ga''as' ) IND.N'' (A1AS) IND.N' superlattices (1986)
Ferraz, A. C.; Srivastava, G. P.
Source: Semiconductors Science Technology. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERRAZ, A. C. e SRIVASTAVA, G. P. Electronic band structure of ' ( 'ga''as' ) IND.N'' (A1AS) IND.N' superlattices. Semiconductors Science Technology, v. 1 , n. 3 , p. 169-71, 1986Tradução . . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Ferraz, A. C., & Srivastava, G. P. (1986). Electronic band structure of ' ( 'ga''as' ) IND.N'' (A1AS) IND.N' superlattices. Semiconductors Science Technology, 1 ( 3 ), 169-71.
NLM
Ferraz AC, Srivastava GP. Electronic band structure of ' ( 'ga''as' ) IND.N'' (A1AS) IND.N' superlattices. Semiconductors Science Technology. 1986 ;1 ( 3 ): 169-71.[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Ferraz AC, Srivastava GP. Electronic band structure of ' ( 'ga''as' ) IND.N'' (A1AS) IND.N' superlattices. Semiconductors Science Technology. 1986 ;1 ( 3 ): 169-71.[citado 2025 nov. 04 ]

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